RTP-100快速退火爐

技術(shù)規(guī)格：
- 溫度：1200攝氏度,；
- 升溫速率：150攝氏度/秒；
- 降溫速度：200攝氏度/分鐘 (1000攝氏度-->400攝氏度),；
- 溫控均勻性：≤ 1.5%設(shè)定溫度,；
- 加熱方式：紅外鹵素燈，頂部及底部加熱,；
- 燈管數(shù)量及功率：18支/20千瓦,；
- 腔體冷卻：水冷方式；
- 襯底冷卻：氮氣吹掃,；
- 工藝氣路：MFC控制,，多4路 (氮氣、氬氣,、氧氣,、氫氮混合氣等)；
- 主機尺寸及重量：505mm x 504mm x 420mm (W x D x H),，約55Kg,；
 RTP-100快速退火爐
儀器特點：
- 真空快速退火爐，有低真空型號(10-3 hPa),、高真空型號(10-6 hPa)；
- 可在不同氣氛環(huán)境下使用,，如惰性氣體,、氧氣、氫氮混合氣等,；
- 控制方式：SIMATIC, SPS人機界面控制,，7英寸觸摸屏；
- 可存儲50個程序,，每個程序多分為50段控制,；
- 全自動智能控制，包括溫度,、時間,、氣體流量、真空度,、循環(huán)水均可自動設(shè)置,；
- 優(yōu)異的溫控均勻性,，的工藝重現(xiàn)性；
- 臺式設(shè)計,；
 
應(yīng)用領(lǐng)域：
- 離子注入/接觸退火,；
- 快速熱處理(RTP)，快速退火(RTA),，快速熱氧化(RTO),，快速熱氮化(RTN)；
- 可在真空,、惰性氣氛,、氧氣、氫氣,、混合氣等不同環(huán)境下使用,；
- SiAu, SiAl, SiMo合金化；
- 低介電材料,；
- 晶體化,，致密化；
- 太陽能電池片鍵合,；
等等...