噴霧熱解成膜系統(tǒng)

技術(shù)基本原理是將含有成膜成分的前驅(qū)體物質(zhì)制成溶液，然后在高壓下使其霧化,，噴射到預(yù)熱的基材上,，發(fā)生分解反應(yīng)，得到想要的薄膜材料,；常用的高壓源通常為壓縮的空氣,、氧氣、氮?dú)?、氫氣等,；噴霧熱解法的主要工藝參數(shù)有溶液濃度、氣流量,、溶液流量、液滴半徑,、噴口與基板的距離,、氣體環(huán)境溫度、基板溫度等,，在成膜過(guò)程中基材的溫度,、液體的流速,、壓縮氣體的壓力以及噴嘴到基材的距離等參數(shù)均可實(shí)現(xiàn)控制；

噴霧熱解法成膜系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于實(shí)驗(yàn)室和工業(yè)領(lǐng)域各種功能薄膜的制備,，例如FTO,、ITO、TiO2, SnO2, ZnO等（根據(jù)客戶要求的形狀,、大小和pattern）,；而且在利用該技術(shù)制備DSSC太陽(yáng)能染料敏化電池制備方面，具備良好的工藝和技術(shù)支持,；

噴霧熱解成膜系統(tǒng)

技術(shù)優(yōu)勢(shì)：
（1)干燥所需時(shí)間短,，因此每一顆多組分細(xì)微液滴在反應(yīng)過(guò)程中來(lái)不及發(fā)生偏析，從而可以獲得組分均勻的納米粒子,；
（2)由于原料是在溶液狀態(tài)下均勻混合,，所以可以控制所合成的化合物組成；
（3）它能夠容易的在薄膜中以任何比例摻雜幾乎任何可以用來(lái)改變薄膜特性的元素,；
（4）沉積速率和薄膜厚度在一定范圍內(nèi)可控,，通過(guò)改變噴霧參數(shù)可以很容易的實(shí)現(xiàn)對(duì)薄膜厚度的控制；而溶膠凝膠等化學(xué)方法制備薄膜的厚度不易控制且只能維持在比較薄的范圍內(nèi),；
（5）與高能制備方法(如射頻磁控濺射等)不同,，它不會(huì)造成基板過(guò)熱而對(duì)基板造成破壞，對(duì)基板的材料大小和表面形貌選擇性很低,；
（6）可選擇的前驅(qū)物較多,，容易控制薄膜的化學(xué)計(jì)量比，摻雜容易并可改變前驅(qū) 物溶液中組分的濃度制備多層膜或組分梯度膜等,；
（7）能夠在一個(gè)較大范圍內(nèi)保持動(dòng)力學(xué)參數(shù)的穩(wěn)定,，可以制備致密均勻的薄膜 而不會(huì)產(chǎn)生邊際效應(yīng)；
（8）沉積溫度適中(通常為100-600 ),， 噴霧熱解法制備的薄膜強(qiáng)度高和基板結(jié)合緊密,；
（9)可以通過(guò)不同的工藝條件來(lái)制得各種不同形態(tài)和性能的超微粒子，此法制得的納米粒子表觀密度小,、比表面積大,、粉體燒結(jié)性能好；
(10)對(duì)靶材無(wú)特殊要求,，也不需要苛刻的真空要求,，操作簡(jiǎn)單，反應(yīng)一次完成,，可連續(xù)進(jìn)行制備,；

設(shè)備分類：
1）桌面型噴霧熱解法成膜系統(tǒng)：大基片尺寸25mm×25mm，高溫度600℃,；
2）研發(fā)型噴霧熱解法成膜系統(tǒng)：大基片尺寸150mm×150mm,，高溫度700℃,；
3）生產(chǎn)型噴霧熱解法成膜系統(tǒng)：大基片尺寸300mm×300mm，高溫度700℃,；

配套設(shè)備：
1）自動(dòng)電解液注入機(jī)
2）自動(dòng)電極堆積機(jī)
3）紫外固化機(jī)

附件耗材：
FTO玻璃大量供貨,；