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ALD R-200 ALD R-200 PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)-高級(jí)版
- 公司名稱 北京亞科晨旭科技有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào) ALD R-200 ALD R-200
- 產(chǎn)地 芬蘭
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2024/9/25 13:43:50
- 訪問次數(shù) 1545
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| 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 價(jià)格區(qū)間 | 100萬-200萬 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子,航天 |
PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)ALD R-200高級(jí)版
（PICOSUN™ ALD R-200 Advanced）
名稱：原子層沉積系統(tǒng) 產(chǎn)地：芬蘭
Picosun簡(jiǎn)介
Picosun是yi家公司,，Picosun的總部位于芬蘭的Espoo，其生產(chǎn)設(shè)施位于芬蘭的Masala（Kirkkonummi）,。PICOSUN®ALD設(shè)備專為高產(chǎn)量和高產(chǎn)量而設(shè)計(jì),，并且不斷發(fā)展以提高效率。Picosun適應(yīng)性強(qiáng)其客戶包括 大的電子制造商,，小型的創(chuàng)新型挑戰(zhàn)者以及的大學(xué),。 Picosun的組織機(jī)構(gòu)和種類繁多的ALD解決方案都可以滿足每個(gè)客戶的需求。PICOSUN®研發(fā)工具具有du特的內(nèi)置可擴(kuò)展性,，可確保將研究結(jié)果平穩(wěn)過渡到大批量工業(yè)制造中,，而不會(huì)出現(xiàn)技術(shù)差距。Picosun的熱情在于創(chuàng)新,。當(dāng)您想與設(shè)備制造商共同創(chuàng)建定制的ALD解決方案,，從而引ling行業(yè)發(fā)展時(shí)，Picosun是您的合作伙伴,。
PICOSUN™ R系列設(shè)備提供高質(zhì)量ALD薄膜的沉積技術(shù),，并在各種各樣的襯底上都表現(xiàn)ji佳的均勻性，包括具挑戰(zhàn)性的通孔的,、超高深寬比和顆粒等樣品,。我們?yōu)橐后w、氣體和固體化學(xué)物提供的更高級(jí)的,，易更換的前驅(qū)源系統(tǒng),，能夠在晶圓,、3D樣品和各種納米特性的樣品上生長(zhǎng)顆粒度小的薄膜層。在基本的PICOSUN™ R系列配置中可以選擇多個(gè)du立的,，*分離的源入口匹配多種類型的前驅(qū)源,。PICOSUN™ R系列du特的擴(kuò)展性使ALD工藝可以從研究環(huán)境直接過渡到生產(chǎn)環(huán)境的PICOSUN™ P系列ALD系統(tǒng)。由于研發(fā)型與生產(chǎn)型PICOSUN™反應(yīng)腔室核心設(shè)計(jì)特點(diǎn)都是相同的,這消除了實(shí)驗(yàn)室與制造車間之間的鴻溝,。對(duì)大學(xué)來說,突破創(chuàng)新的技術(shù)轉(zhuǎn)化到生產(chǎn)中,，就會(huì)吸引到企業(yè)投資。
PICOSUN®R-200高級(jí)
PICOSUN®R-200 Advanced ALD系統(tǒng)適用于數(shù)十種應(yīng)用的研發(fā),，例如IC組件,，MEMS器件，顯示器,，LED,，激光和3D對(duì)象，例如透鏡,，光學(xué)器件，珠寶,，硬幣和醫(yī)療植入物,。
群集工具，Picoflow™擴(kuò)散增強(qiáng)劑,，卷對(duì)卷室,，RGA，UHV兼容性,，N2發(fā)生器,，氣體洗滌器，定制設(shè)計(jì),，用于惰性裝載的手套箱集成PICOSUN®R-200高級(jí)ALD系統(tǒng)是高級(jí)ALD研究工具的市場(chǎng),，已有數(shù)百個(gè)客戶安裝。它已成為創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)的公司和研究機(jī)構(gòu)的工具,。
敏捷的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量的ALD薄膜沉積以及終的系統(tǒng)靈活性,，可以滿足未來的需求和應(yīng)用。的熱壁設(shè)計(jì)具有*du立的入口和儀器,，可實(shí)現(xiàn)無顆粒工藝,，適用于晶圓，3D對(duì)象和所有納米級(jí)特征上的多種材料,。得益于我們專有的Picoflow™技術(shù),，即使在具挑戰(zhàn)性的通孔，超高長(zhǎng)寬比和納米顆粒樣品上也能實(shí)現(xiàn)出色的均勻性,。 PICOSUN®R-200 Advanced系統(tǒng)配備了功能強(qiáng)大且易于更換的液態(tài),，氣態(tài)和固態(tài)化學(xué)品前體源,。高效且獲得的遠(yuǎn)程等離子選件可實(shí)現(xiàn)金屬沉積，而沒有短路或等離子損壞的風(fēng)險(xiǎn),。與手套箱,，UHV系統(tǒng)，手動(dòng)和自動(dòng)裝載機(jī),，集群工具,，粉末倉，卷對(duì)卷倉以及各種原位分析系統(tǒng)集成在yi起,，無論您現(xiàn)在或?qū)淼难芯款I(lǐng)域如何,，都可以高效，靈活地進(jìn)行研究,，并獲得良好的結(jié)果稍后,。
（*）等離子發(fā)生器技術(shù)特點(diǎn)：
遠(yuǎn)程血漿源安裝到裝載室并與反應(yīng)室連
出色性能的適用于不同化學(xué)性質(zhì)的藍(lán)寶石涂藥器
商用微波等離子體發(fā)生器，具有300 – 3000 W可調(diào)功率,，2.45 GHz頻率
保護(hù)氣體在中間空間中流動(dòng)（無等離子體物質(zhì)的反向擴(kuò)散）
在相同的沉積過程中,，等離子體和熱ALD循環(huán)的可能性，而無需對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行硬件更改
技術(shù)指標(biāo)
襯底尺寸和類型 | 50 – 200 mm /單片 |
大可沉積直徑150 mm基片,，豎直放置,，10-25片/批次（根據(jù)工藝） | |
156 mm x 156 mm 太陽能硅片 | |
3D 復(fù)雜表面襯底（使用Showerhead噴灑淋浴模式效果更佳） | |
粉末與顆粒（配備擴(kuò)散增強(qiáng)器） | |
多孔，通孔,，高深寬比（HAR）樣品 | |
工藝溫度 | 50 – 500 °C, 可選更高溫度（真空腔體外壁不用任何冷卻方式即可保持溫度低于60 °C） |
基片傳送選件 | 氣動(dòng)升降（手動(dòng)裝載） |
預(yù)真空室安裝磁力操作機(jī)械手（Load lock ） | |
前驅(qū)體 | 液態(tài),、固態(tài)、氣態(tài),、臭氧源 |
4根du立源管線,，多加載6個(gè)前驅(qū)體源 | |
對(duì)蒸汽壓低的前驅(qū)體(1mbar~10mbar)，用氮?dú)獾容d氣導(dǎo)入前驅(qū)體瓶?jī)?nèi)引出 | |
重量 | 350kg |
尺寸（ W x H x D)） | 取決于選件 |
小146 cm x 146 cm x 84 cm | |
大189 cm x 206 cm x 111 cm | |
選件 | PICOFLOW™擴(kuò)散增強(qiáng)器,，集成橢偏儀,，QCM， RGA,，N2發(fā)生器,，尾氣處理器，定制設(shè)計(jì),，手套箱集 |
成（用于惰性氣體下裝載）,。 | |
驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn) | 標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)為 Al2O3 工藝 |
應(yīng)用領(lǐng)域
客戶使用PICOSUN™ R系列ALD 設(shè)備在150mm和200mm（6”和8”）晶圓上所沉積薄膜厚度均勻性數(shù)據(jù)。
材料 | 非均勻性(1σ) |
AI2O3 (batch) | 0.13% |
SiO2 (batch) | 0.77% |
TiO2 | 0.28% |
HfO2 | 0.47% |
ZnO | 0.94% |
Ta2O5 | 1.00% |
TiN | 1.10% |
CeO2 | 1.52% |
Pt | 3.41% |
PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)ALD R-200高級(jí)版
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