TEM小室特點(diǎn)
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
- 公司名稱(chēng) 武漢弗凡科技有限責(zé)任公司
- 品牌
- 型號(hào)
- 所在地武漢市
- 廠(chǎng)商性質(zhì)生產(chǎn)廠(chǎng)家
- 更新時(shí)間2023/11/9 17:15:54
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| 產(chǎn)地類(lèi)別 | 國(guó)產(chǎn) |
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TEM小室其實(shí)就是一個(gè)變型的同軸線(xiàn),，在此同軸線(xiàn)中部,，由一塊扁平的芯板作為內(nèi)導(dǎo)體，外導(dǎo)體為方形,，兩端呈錐形向通用的同軸器件過(guò)渡,，一頭連接同軸線(xiàn)到測(cè)試接收機(jī)，另一頭連接匹配負(fù)載,。TEM小室的外導(dǎo)體頂端有一個(gè)方形開(kāi)口用于安裝測(cè)試電路板,。其中，集成電路的一側(cè)安裝在小室內(nèi)側(cè),，互連線(xiàn)和外圍電路的一側(cè)向外,。這樣做使測(cè)到的輻射發(fā)射主要來(lái)源于被測(cè)的IC芯片。受測(cè)芯片產(chǎn)生的高頻電流在互連導(dǎo)線(xiàn)上流動(dòng),，那些焊接引腳,、封裝連線(xiàn)就充當(dāng)了輻射發(fā)射天線(xiàn)。當(dāng)測(cè)試頻率低于TEM小室的一階高次模頻率時(shí),，只有主模TEM模傳輸,，此時(shí)TEM小室端口的測(cè)試電壓與騷擾源的發(fā)射大小有較好的定量關(guān)系，因此,，可用此電壓值來(lái)評(píng)定集成電路芯片的輻射發(fā)射大小,。
TEM小室的測(cè)量手段主要是由測(cè)試場(chǎng)地和測(cè)試儀器組成。常規(guī)的電磁兼容檢測(cè)方法有屏蔽室法,、開(kāi)闊場(chǎng)法,、電波暗室法等。
屏蔽室：在EMC測(cè)試中，屏蔽室能提供環(huán)境電平低而恒定的電磁環(huán)境,，它為測(cè)量精度的提高,，測(cè)量的可靠性和重復(fù)性的改善帶來(lái)了較大的潛力。但是由于被測(cè)設(shè)備在屏蔽室中產(chǎn)生的干擾信號(hào)通過(guò)屏蔽室的六個(gè)面產(chǎn)生無(wú)規(guī)則的漫反射,，特別是在輻射發(fā)射測(cè)量和輻射敏感度測(cè)量中表現(xiàn)更嚴(yán)重,，導(dǎo)致在屏蔽室內(nèi)形成駐波而產(chǎn)生較大的測(cè)量誤差。
電波暗室：通常所說(shuō)的電波暗室在結(jié)構(gòu)上大都由屏蔽室和吸波材料兩部分組成,。在工程應(yīng)用中又分全電波暗室和半電波暗室,。全電波暗室可充當(dāng)標(biāo)準(zhǔn)天線(xiàn)的校準(zhǔn)場(chǎng)地，半電波暗室可作為EMC試驗(yàn)場(chǎng)地,。電波暗室的主要性能指標(biāo)有“靜區(qū)”,、“工作頻率范圍”等六個(gè)。但建造電波暗室的成本,、難度均相當(dāng)高,，因?yàn)榘凳业墓ぷ黝l率的下限取決于暗室的寬度和吸收材料的長(zhǎng)度、上限取決于暗室的長(zhǎng)度和所充許的靜區(qū)的zui小截面積,。且由于吸波材料的低頻特性等原因,，總的測(cè)試誤差有時(shí)高達(dá)幾十分貝。
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