TEM小室
| 參考價 | ￥10.00 |
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
- 公司名稱 武漢弗凡科技有限責(zé)任公司
- 品牌FUFAN/弗凡科技
- 型號
- 所在地武漢市
- 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
- 更新時間2025/1/13 15:44:27
- 訪問次數(shù) 21390
規(guī)格
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| 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) |
|---|
隨著電磁兼容(EMC)檢測技術(shù)的發(fā)展和提高,人們正針對不同的電子電器產(chǎn)品尋求更為簡單便捷的檢測方法,尤其對于小型的電子產(chǎn)品,如:電動玩具,、集成電路(PBC板)、汽車電子零部件等,。由于開闊場,、屏蔽室和電波暗室的諸多缺點和不足，1974年美國國家標(biāo)準(zhǔn)局(NBS)的專家首先系統(tǒng)地描述了橫電磁波傳輸小室,，簡稱TEM小室( Transverse Electromagnetic Transmission Cell),。其外形為上下兩個對稱梯形。橫電磁波傳輸小室具有結(jié)構(gòu)簡單,、制造成本低,、檢測方法簡便等優(yōu)點，其主要缺點是可用頻率上限與可用空間存在矛盾,。標(biāo)準(zhǔn)TEM小室的測量尺寸大約限定在設(shè)計的小工作波長的四分之一范圍,，但對于小尺寸的被測件，可以滿足測試的要求和技術(shù)指標(biāo),。
參照標(biāo)準(zhǔn)
YD/T 1690.2-2007 《中華人民共和國通信行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)》–電信設(shè)備內(nèi)部電磁發(fā)射診斷技術(shù)要求和測量方法(150KHz~1GHz) 第2部分:輻射發(fā)射測量TEM小室和寬帶TEM小室方法
IEC 61967-2(2005-09)《集成電路-電磁騷擾的測試方法(150KHz~1GHz)第2部分：輻射騷擾測量——TEM小室和寬帶TEM小室法》
DINEN61000-4-20-2011 《電磁兼容性(EMC)-第4-20部分：試驗和測量方法.橫向電磁(TEM)波導(dǎo)的輻射和干擾試驗》
IEC 61000-4-20-2010 《TEM室測試方法》
GB/T 17626.20-2014 《電磁兼容,、試驗和測量技術(shù)》橫電磁波(TEM)波導(dǎo)中的發(fā)射和抗擾度試驗
GJB151B-2013 《設(shè)備和分系統(tǒng)電磁發(fā)射和敏感度要求與測量》-RS105瞬態(tài)電磁場輻射敏感度
ISO 11452-3/SAE J1113-24 《道路車輛用窄帶發(fā)射的電磁能量進行電子干擾部件試驗方法》-TEM小室法
IEEE 1309-2013 《頻率為9KHz~40GHz的電磁場傳感器和探頭(天線除外)的校準(zhǔn)》
JJG 561-88 /JJG 562-88《中華人民共和國國家計量檢定規(guī)程》
TEM小室結(jié)構(gòu)特點
標(biāo)準(zhǔn)TEM小室經(jīng)常稱之為CRAWFORD室(參見圖1)。它是一個矩形雙導(dǎo)體傳輸線結(jié)構(gòu),。被測件EUT被安置在它的中隔板(一般稱為芯板),。TEM室的導(dǎo)體兩端被削制成錐形。傳輸線是閉合的,，雖然它沒有對稱軸,，但經(jīng)常被稱之為同軸的。TEM小室有一個輸入測量端口和一個輸出測量端口,，它的錐形端經(jīng)過中段的過渡與50Ω端口同軸連接器相匹配,。TEM小室有一個自由場所產(chǎn)生的高階的模所決定的有限帶寬。在銘感度/抗擾度試驗中,，EUT的大高度不僅限制了場均勻度,，而且還改變了EUT對室的耦合方式。在一個TEM小室中可以用來進行抗擾度試驗的近似大容積是：1/3乘以中隔板(芯板)和上部表面的距離后的積再與1/3乘以TEM室寬度的積相乘,，而且這個結(jié)果幾乎還可以推至1/2乘以1/2,。在一個典型的TEM小室中，它仍可能保持并獲得一個±1dB的場均勻度,。
TEM小室測試方法
TEM小室提供了針對EUT的抗擾度或者輻射發(fā)射的寬帶測量方法,。TEM小室不像傳統(tǒng)天線具有帶寬、非線性相位,、方向性以及極化方向等固有的限制,。TEM(橫電磁波)小室是經(jīng)過擴展的傳輸線，其中傳播來自外部或者內(nèi)部源的橫電磁波,。這種波由彼此正交的電場(E)和磁場(H)構(gòu)成,，波平面與其在小室或者傳輸線的傳播方向垂直,。這種場是模擬自由空間中阻抗為377Ω時的平面場。TEM模式?jīng)]有低端截止頻率,。這樣小室可以按照預(yù)期工作在盡可能低的頻率下,。TEM模式同時具有線性化相位和恒定的幅度(表征為頻率的函數(shù))。這樣就可以使用小室來產(chǎn)生或者檢測已知的場密度,。小室的截止頻率取決于測試信號在小室內(nèi)因為諧振以及多次模而產(chǎn)生的失真,。這種影響是小室的物理尺寸和形狀的函數(shù)。
TEM小室具有一定的尺寸和形狀,，輸入,、輸出饋入點均阻抗匹配，其VSWR在額定范圍內(nèi)小于1.5,。通過論證可以得到小室在很窄的頻率范圍內(nèi)具有很高的VSWR,，從而產(chǎn)生初次諧振。其高VSWR是由于小室具有很高的品質(zhì)因數(shù)Q,。如果小室經(jīng)過驗證可以在其大頻率上產(chǎn)生場,，那么該小室也適用于在該頻率下進行發(fā)射測量。
TEM小室輻射抗擾度測試
TEM類型的小室是為了進行輻射敏感度的試驗,，同時成本上又較為經(jīng)濟的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的,。TEM小室法輻射抗擾度測試示意圖如圖2。
TEM小室的輸入端接信號源和功率放大器,，另一端接50Ω的匹配負(fù)載,，在TEM小室內(nèi)腔就可以形成高強度的電磁場，適合用來進行電磁抗擾度的測試,。同時,，在小室的接口板處還可接出監(jiān)測設(shè)備，用于實時監(jiān)測被測件EUT的工作狀態(tài),。采用TEM小室法進行輻射抗擾度測試,，在其頻率范圍試驗水平可高度400V/m。
TEM小室在內(nèi)部導(dǎo)體(芯板)和外殼(接地平板)之間產(chǎn)生均勻場強,，TEM小室內(nèi)電場強度計算公式為：
P=(E*D)2/Z
式中：
E=電場強度,，單位：V/m
P=輸入TEM小室的功率，單位：W
Z=TEM小室的阻抗,，單位：50Ω
D(d)=芯板與接地平板之間的距離,，單位： m
圖3 TEM小室結(jié)構(gòu)尺寸說明
TEM小室輻射騷擾測試
現(xiàn)在TEM小室也可以用來測量來自被測件EUT或集成電路PCB的輻射發(fā)射，源于被測件EUT的發(fā)射場通過小室的發(fā)射模進行耦合,，并以此在室的一個端口耦合到一個電壓,。小室的外導(dǎo)體頂端有一個方形開口用于安裝測試電路板。其中，集成電路的一側(cè)安裝在小室內(nèi)側(cè),，互連線和外圍電路的一側(cè)向外,。這樣做使測到的輻射發(fā)射主要來源于被測的IC芯片,。受測芯片產(chǎn)生的高頻電流在互連導(dǎo)線上流動,，那些焊接引腳、封裝連線就充當(dāng)了輻射發(fā)射天線,。當(dāng)測試頻率低于TEM小室的一階高次模頻率時,，只有主模TEM模傳輸，此時TEM小室端口的測試電壓與騷擾源的發(fā)射大小有較好的定量關(guān)系,，因此,，可用此電壓值來評定集成電路芯片的輻射發(fā)射大小。用作輻射騷擾測試的TEM小室需具有跟IC測試板相匹配的接入端口,。TEM小室法輻射騷擾測試示意圖如圖4,。
用TEM小室進行輻射騷擾測量的優(yōu)點：由于它是在一個屏蔽室進行的，因此把可能感應(yīng)到的環(huán)境電壓降到了極低的水平,，一般地講也就是測量設(shè)備的本地噪聲,。
技術(shù)參數(shù)
型號命名說明：FF-T□□A
A：芯板將內(nèi)部空間1：1分區(qū)；B：芯板將內(nèi)部空間1：2分區(qū),；
□□：為TEM小室內(nèi)部空間尺寸,，單位為cm；
T：TEM小室縮寫,；
FF：武漢弗凡科技簡稱,；
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