·數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀

型號：KDK-LT-100C

為解決太陽能單晶、多晶少子壽命測量,，特按照國標GB/T1553及SEMI MF-1535用高頻光電導(dǎo)法研制出了數(shù)字式少子壽命測試儀,。

該設(shè)備是按照國家標準GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測定的高頻光電導(dǎo)衰減法”設(shè)計制造。高頻光電導(dǎo)衰減法在我國半導(dǎo)體集成電路,、晶體管,、整流器件、核探測器行業(yè)已運用了三十多年,，積累了豐富的使用經(jīng)驗,，經(jīng)過數(shù)次全國十多個單位巡回測試的考驗，證明是一種成熟可靠的測試方法,，特別適合于硅塊,、硅棒研磨面的少子體壽命測量；也可對硅片進行測量,，給出相對壽命值,。方法本身對樣品表面的要求為研磨面,，制樣簡便。

KDK-LT-100C數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀有以下特點：

1,、 可測量太陽能級多晶硅塊,、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命。表面無需拋光,，直接對切割面或研磨面進行測量,。同時可測量多晶硅檢驗棒及集成電路、整流器,、晶體管級硅單晶的少子壽命,。

2、  可測量太陽能級單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對壽命,，表面無需拋光,、鈍化。

3,、配備軟件的數(shù)字示波器,，液晶屏上直接顯示少子壽命值，同時顯示動態(tài)光電導(dǎo)衰退波形,，并可聯(lián)用打印機及計算機,。

4、配置兩種波長的紅外光源：

a,、紅外光源,，光穿透硅晶體深度較深≥500μm，有利于準確測量晶體少數(shù)載流子體壽命,。

b,、短波長紅外脈沖激光器，光穿透硅晶體深度較淺≈30μm,，但光強較強,，有利于測量低阻太陽能級硅晶體。

5,、測量范圍寬廣

測試儀可直接測量：

a,、研磨或切割面：電阻率≥0.3Ω•㎝的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命,，切割片的少子相對壽命,。

b、拋光面：電阻率在0.3～0.01Ω•㎝范圍內(nèi)的硅單晶,、鍺單晶拋光片,。

壽命可測范圍     0.25μS—10ms