ST-HTXB_X 高溫反偏試驗(yàn)臺(tái)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱 西安天光測控技術(shù)有限公司
品牌 其他品牌
型號(hào) ST-HTXB_X
產(chǎn)地西安
廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間 2021/11/5 16:24:56
訪問次數(shù) 353

產(chǎn)品標(biāo)簽

半導(dǎo)體環(huán)境老化試驗(yàn)IGBT高溫反偏測試 IGBT高溫柵偏測試 T3Ster熱阻測試儀 Mentor Graphics T3St

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公司介紹 主營產(chǎn)品

|公司簡介：

西安天光測控技術(shù)有限公司 是一家從事 半導(dǎo)體功率器件測試設(shè)備 研發(fā),、生產(chǎn)、銷售的高科技技術(shù)企業(yè),。

經(jīng)營產(chǎn)品包括：晶體管圖示儀,；

半導(dǎo)體分立器件測試篩選系統(tǒng),；

Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / MOSFETs / DIODEs / BJTs / SCRs的電參數(shù)及可靠性和老化測試；

靜態(tài)測試（包括 IGEs / VGE(th) / VCEsat / VF / ICEs / VCEs 等）,；

動(dòng)態(tài)測試（包括 Turn_ON&OFF_L / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA 等）,；

環(huán)境老化測試（包括 HTRB / HTGB / H3TRB / Surge 等）;

熱特性測試（包括 PC / TC / Rth / Zth / Kcurve 等）各類全系列測試設(shè)備。

一直以來被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件上游產(chǎn)業(yè)（設(shè)計(jì),、制造,、封裝、IDM廠商,、晶圓,、DBC襯板）和下游產(chǎn)業(yè)（院所高校、電子廠,、軌道機(jī)車,、新能源汽車、白色家電等元器件的應(yīng)用端產(chǎn)業(yè)鏈）,。

公司團(tuán)隊(duì)匯集了來自國內(nèi)*院校及電力電子行業(yè)的專家教授,，擁有眾多的革命性創(chuàng)新技術(shù)。產(chǎn)品成熟可靠,，久經(jīng)市場考驗(yàn),，在替代進(jìn)口產(chǎn)品方面有著突出的優(yōu)勢。公司從產(chǎn)品到服務(wù),，從技術(shù)咨詢到現(xiàn)場支持,，可覆蓋功率器件的初始研發(fā)到規(guī)模化生產(chǎn)的整個(gè)領(lǐng)域,。

展望未來,，公司將全力發(fā)揮自身技術(shù)優(yōu)勢，為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的專家級(jí)技術(shù)支持以及更多的經(jīng)典產(chǎn)品,。

展開

半導(dǎo)體分立器件測試篩選系統(tǒng)|IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀|IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測試儀| 功率循環(huán)試驗(yàn)臺(tái)|高溫反偏差測試系統(tǒng)

詳細(xì)信息 在線詢價(jià)

產(chǎn)地類別	國產(chǎn)	價(jià)格區(qū)間	1-1萬
應(yīng)用領(lǐng)域	電子

產(chǎn)品系列
晶體管圖示儀

半導(dǎo)體分立器件測試篩選系統(tǒng)

靜態(tài)測試（包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等）

動(dòng)態(tài)測試（包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等）

環(huán)境老化測試（包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等）

熱特性測試（包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等）

可測試 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件

ST-HTXB_X 功率器件環(huán)境老化試驗(yàn)臺(tái)

可測試 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCRs 等器件的

HTRB（高溫反偏）,、HTGB（高溫柵偏）、H3TRB（高溫高濕反偏）

?產(chǎn)品簡述
該試驗(yàn)系統(tǒng)是依據(jù) GB/T 29332-2012/IEC60747-9:2007 標(biāo)準(zhǔn)要求對(duì)器件測試,，將柵極與發(fā)射極短接,，在集電極與發(fā)射極間加上設(shè)定的直流電壓，同時(shí)檢測直流電壓與漏電流的值,。測試需有傳感器直接檢測 IGBT 模塊殼溫,，并可通過軟件輸入模塊結(jié)殼熱阻，結(jié)合產(chǎn)生的耗散功率,，當(dāng)溫度與漏電流超過設(shè)定值后,，切斷電源，給出警告信號(hào)。此設(shè)備是電力電子器件環(huán)境老化測試的重要檢測設(shè)備,，用于驗(yàn)證*穩(wěn)定情況下器件的漏電流,。系統(tǒng)大測試電壓5000V（可擴(kuò)展至10KV）?？梢詫?shí)現(xiàn)對(duì)IGBT器件集電極-發(fā)射極電壓Vce,、集電極發(fā)射極電流Ices、殼溫Tc ,、時(shí)間等各項(xiàng)參數(shù)的檢測,，根據(jù)程序設(shè)定自動(dòng)完成測試，記錄保存測試數(shù)據(jù)并且可以瀏覽和導(dǎo)出,。

測試夾具采用氣動(dòng)控制單面加熱型,。工作時(shí)通過溫控儀和其他控制系統(tǒng)設(shè)定溫度和時(shí)間，具備自動(dòng)檢測溫度,、超溫報(bào)警,、超壓報(bào)警、過流保護(hù)及安全連鎖,、緊停等功能,，異常時(shí)切斷主電源

?產(chǎn)品簡述
? 可以通過計(jì)算機(jī)設(shè)定試驗(yàn)參數(shù)（Vce、Ices,、Tc,、時(shí)間、采樣周期）和監(jiān)控參數(shù)（Vce,、Ice,、Tc、T,，實(shí)時(shí)采集并記錄試驗(yàn)過程中每個(gè)工位的溫度（Tc）,、時(shí)間、電壓,、漏電流等,，并可隨時(shí)瀏覽數(shù)據(jù)。

? 當(dāng)被測器件失效時(shí)（Ices超限）,，系統(tǒng)能自動(dòng)檢測,、報(bào)警，并可及時(shí)切斷高壓電源（不需要中斷加熱）,，停止試驗(yàn)，該失效點(diǎn)的詳細(xì)數(shù)據(jù)會(huì)被記錄下來,，并記錄失效時(shí)間節(jié)點(diǎn),。

? 試驗(yàn)數(shù)據(jù)保存可以設(shè)定保存的時(shí)間間隔，設(shè)定時(shí)間范圍為：10s-600s，但當(dāng)器件檢測失效時(shí),，可以自動(dòng)保存失效前至少一個(gè)采樣時(shí)間周期的詳細(xì)數(shù)據(jù),，有助于對(duì)器件失效進(jìn)行分析。

? 該系統(tǒng)采用計(jì)算機(jī)記錄測試結(jié)果,，并可以將測試結(jié)果轉(zhuǎn)換為“EXCEL”并保存,。

? 安全防護(hù)1：該設(shè)備具有超溫保護(hù)、安全聯(lián)鎖等,。

? 安全防護(hù)2：配備獨(dú)立于溫控系統(tǒng)的干觸點(diǎn)超溫保護(hù)裝置,，在電路的發(fā)熱位置配溫度傳感器，一旦有異常超溫現(xiàn)象,，發(fā)出警報(bào)并自動(dòng)切斷設(shè)備電源,。

? 安全防護(hù)3：設(shè)備操作門配有安全連鎖開關(guān)，操作面板配置急停開關(guān),，保證測試及設(shè)備維護(hù)時(shí)人員安全,。

?電氣原理圖
依據(jù)GB/T 29332-2012/IEC60747-9:2007 對(duì)器件進(jìn)行測試。原理圖如下所示

說明：將被測IGBT柵極與發(fā)射極短接,，在集電極與發(fā)射極間加上設(shè)定的直流電壓,，同時(shí)檢測直流電壓與漏電流的值，輸出給隔離板并反饋給計(jì)算機(jī),，來顯示實(shí)時(shí)的電壓和電流值,。測試過程中有溫度傳感器直接檢測 IGBT 模塊殼溫，通過模擬隔離板后反饋給計(jì)算機(jī)實(shí)時(shí)溫度,。

其中,，被測兩端的電壓可以通過計(jì)算機(jī)程序控制輸出給高壓直流電源。漏電流和溫度的保護(hù)值可以通過計(jì)算機(jī)程序設(shè)定,，如達(dá)到設(shè)定保護(hù)值,，設(shè)備控制系統(tǒng)保護(hù)，并通過計(jì)算機(jī)程序主頁面下的故障顯示和面板保護(hù)指示燈顯示,。

?參數(shù)指標(biāo)