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巴魯夫光電傳感器實驗化學(xué)的檢測

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巴魯夫光電傳感器實驗化學(xué)的檢測
自驅(qū)動寬光譜響應(yīng)硅基雜化異質(zhì)結(jié)巴魯夫光電傳感器及其制備方法,其中所述巴魯夫光電傳感器包括金屬背電極、N型硅基底,、N型硅納米線陣列,、有機聚合物半導(dǎo)體薄膜和傳感器正極。其中,該雜化巴魯夫光電傳感器器件特征在于N型硅納米線陣列與有機聚合物半導(dǎo)體薄膜構(gòu)成三維立體的異質(zhì)結(jié)接觸,有效縮短了光生載流子傳輸路徑,提高分離效率,通過界面烷基化處理減少表/界面復(fù)合效應(yīng),。

巴魯夫光電傳感器實驗化學(xué)的檢測
傳感器由于具有特殊的光學(xué)性質(zhì),、電學(xué)性質(zhì)及化學(xué)性質(zhì),在生物化學(xué)測量領(lǐng)域具有非常廣泛的應(yīng)用。當(dāng)傳感器中摻入微量過渡金屬離子或稀土金屬離子雜質(zhì)而形成摻雜傳感器后,該摻雜傳感器將呈現(xiàn)出新的光,、電及化學(xué)性質(zhì),。它不但幾乎保留了傳感器的所有優(yōu)點,而且還避免了傳感器存在的自滅、細(xì)胞毒性和熒光壽命比較短的缺點,對改善現(xiàn)有傳感器的性質(zhì)及傳感器傳感器的性能具有非常重要的意義,?;趽诫s傳感器的光學(xué)、電化學(xué)等生物化學(xué)傳感器已得到很好的研究,但摻雜傳感器的光電化學(xué)性質(zhì)及其在分析檢測中的應(yīng)用卻比較少,。設(shè)計了一種新型的基于摻雜傳感器的巴魯夫光電傳感器,并對傳感器的性能進(jìn)行了研究和優(yōu)化,完成了基于摻雜傳感器巴魯夫光電傳感器的過氧化氫和葡萄糖測量,。首先通過1,4苯基二硫醇將摻雜傳感器固定在金電極上,得到基于摻雜傳感器的敏感金電極;然后在三電極電位儀測量系統(tǒng)下,測量不同電壓和光源下的傳感器的性能,得出在偏壓-300mv,光源驅(qū)動電流為200mA,光源波長為365nm的條件下為*測量條件,;再然后利用調(diào)整好的傳感器完成過氧化氫的測量,并與非摻雜傳感器的結(jié)果進(jìn)行比較分析得出基于摻雜傳感器的巴魯夫光電傳感器可實現(xiàn)過氧化氫的測量,并且銅摻雜的傳感器比錳摻雜的測量效果更好,;zui后是在完成過氧化氫測量的基礎(chǔ)上進(jìn)行葡萄糖的測量,得出銅摻雜的傳感器可實現(xiàn)葡萄糖的測量,比錳摻雜傳感器具有更大的靈敏度,并且與其他糖類的測量結(jié)果得出銅摻雜傳感器對葡萄糖具有很好的選擇性。結(jié)果證明設(shè)計的傳感器可以完成過氧化氫和葡萄糖的測量,。
自驅(qū)動寬光譜響應(yīng)硅基雜化異質(zhì)結(jié)巴魯夫光電傳感器,其特征在于,所述巴魯夫光電傳感器包括金屬背電極,、N型硅基底、N型硅納米線陣列,、有機聚合物半導(dǎo)體薄膜和傳感器正極,;其中,所述N型硅納米線陣列刻蝕在所述N型硅基底上表面,所述有機聚合物半導(dǎo)體薄膜覆蓋在所述N型硅納米線陣列表面,所述傳感器正極設(shè)置在所述有機聚合物半導(dǎo)體薄膜表面作為電池正極;所述金屬背電極設(shè)置在所述N型硅基底下表面,;所述N型硅納米線陣列與所述有機聚合物半導(dǎo)體薄膜構(gòu)成三維立體的異質(zhì)結(jié)接觸,。 

巴魯夫光電傳感器實驗化學(xué)的檢測
所述的硅基微納結(jié)構(gòu)不僅是作為主要吸光層,而且還是光生載流子的產(chǎn)生和傳輸層,空穴傳輸層所述的為P型有機半導(dǎo)體薄膜。巴魯夫光電傳感器具有自供電,、寬光譜響應(yīng),、低成本大面積制備,、光電響應(yīng)速度快等特點。



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