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IM4000日立高新離子研磨裝置

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西努光學(xué)創(chuàng)建于2003 年,,主營(yíng)工業(yè)顯微鏡及制樣設(shè)備,、鏡片測(cè)定設(shè)備,高速攝像系統(tǒng),、工業(yè)內(nèi)窺鏡,、機(jī)器視覺(jué)等工業(yè)及科研應(yīng)用的檢測(cè)設(shè)備及系統(tǒng)集成。
西努光學(xué)秉承“以光學(xué)為核心,,為客戶提供解決方案”的經(jīng)驗(yàn)思路,,經(jīng)過(guò)16年的努力,成為眾多企業(yè),、高??蒲袉挝惶峁└鞣N專業(yè)化的光學(xué)系統(tǒng)解決方案。并于2012 年導(dǎo)入SAP 管理系統(tǒng),,通過(guò)系統(tǒng)資源整合,,為客戶提供更優(yōu)質(zhì)、快捷的專業(yè)化服務(wù),。
2016 年,,我們積極引進(jìn)檢測(cè)設(shè)備的同時(shí)導(dǎo)入制樣等配套設(shè)備以豐富我們實(shí)驗(yàn)室平臺(tái),以更好的為客戶提供現(xiàn)場(chǎng)體驗(yàn),,從微米到納米滿足客戶從制樣到結(jié)果分析的一站式體驗(yàn)服務(wù),。



奧林巴斯顯微鏡,奧林巴斯工業(yè)內(nèi)窺鏡,iX高速攝像機(jī),標(biāo)樂(lè)金相制樣設(shè)備,威爾遜硬度計(jì),navitar鏡頭,日立掃描電鏡,加拿大WDI光學(xué)設(shè)備

使用切片方式制備像紙張、纖維等軟材料截面樣品,,容易使樣品變形錯(cuò)位,;機(jī)械拋光處理的樣品表面經(jīng)常也會(huì)留下劃痕、污染和表面應(yīng)力,,對(duì)樣品的形貌觀察和結(jié)構(gòu)分析帶來(lái)不利影響,。日立新推出的IM4000離子研磨儀既可以對(duì)樣品進(jìn)行氬離子截面切割,可以進(jìn)行氬離子平面研磨,,是截面樣品制備和平面樣品無(wú)應(yīng)力拋光的理想工具,。IM4000日立高新離子研磨裝置

日立高新離子研磨裝置IM4000具有斷面加工和平面研磨功能的混合儀器!

日立高新離子研磨裝置IM4000的混合模式帶有兩種研磨配置:

斷面加工:將樣品斷面研磨光滑,,便于表面以下結(jié)構(gòu)高分辨成像,。

平面研磨:將樣品表面均勻研磨5平方毫米,從不同角度有選擇地研磨,,以便突出樣品的表面特性,。

日立高新離子研磨裝置IM4000的高通量能提高加工效率:

與之前的E-3500型相比,,采用新型離子槍設(shè)計(jì),減少了橫截面研磨時(shí)間,。(zui大加工率:硅元素為300微米/小時(shí) — 加工時(shí)間減少了66%,。

日立高新離子研磨裝置IM4000的可拆卸樣品臺(tái)裝置:為便于樣品設(shè)置和定義研磨邊緣,可將樣品臺(tái)裝置拆卸,。

特點(diǎn)  IM4000日立高新離子研磨裝置

混合模式:兩種研磨配置

斷面加工:將樣品斷面研磨光滑,,便于表面高分辨觀察

平面研磨:不同角度有選擇地,大面積,,均勻地研磨5 mm的平面,,以突顯樣品的表面特性

高效:提高加工效率

與之前的E-3500型相比,采用新型離子槍設(shè)計(jì),,減少了橫截面研磨時(shí)間

(zui大加工速度:硅材質(zhì)為300 μm/h - 加工時(shí)間減少了66%)

可拆卸式樣品臺(tái):

為便于樣品設(shè)置和邊緣研磨,,樣品臺(tái)設(shè)計(jì)為可拆卸型  

項(xiàng)目內(nèi)容
平面研磨截面研磨
使用氣體氬氣
加速電壓0 ~ 6 kV
zui大加工速率(材料Si)

約20 m/h*1

約2 m/h*2

約300 m/h*3
zui大樣品尺寸φ50×25(H)mm20(W)×12(D)×7(H)mm
樣品移動(dòng)范圍X : 0 ~ +5 mmX :±7 mm、Y : 0 ~ +3 mm
旋轉(zhuǎn)速度1 r/min,、 25 r/min-
擺動(dòng)角度±60°,、±90°±15°、±30°,、±40°
傾斜角度0~90°-
氬氣(Ar)流量控制方式質(zhì)量流量計(jì)(Mass Flow Controller)
真空系統(tǒng)渦輪分子泵(33 L/s)+機(jī)械泵(135 L/min(50 Hz),、162 L/min(60 Hz))
裝置尺寸616(W)×705(D)×312(H)mm
重量主機(jī)48 kg+機(jī)械泵28 kg
 選配
加工觀測(cè)用顯微鏡倍率 :15× ~ 100× 雙目型、三目型(可加裝CCD)
真空轉(zhuǎn)移盒單元旋蓋式(O形圈密封)密閉樣品,,樣品倉(cāng)內(nèi)打開(kāi)旋蓋
冷卻系統(tǒng)*4使用液氮間接冷卻樣品 ,;冷卻Mask溫度 :-30℃以下*5 ;配有恢復(fù)到室溫的控制器

*1 :照射角 0° 偏心量 0 mm?。? :照射角 60° 偏心量 4 mm ?。? :Si片突出遮擋板(Mask)邊緣100 m加工時(shí)的zui大深度  *4 :不能后裝,,需出廠時(shí)配置 ?。? :加入液氮30分鐘后遮擋板(Mask)的溫度



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