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Phenom GSR 飛納電鏡射擊殘留物分析(GSR)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

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復(fù)納科學(xué)儀器(上海)有限公司(簡(jiǎn)稱“復(fù)納科技”)于 2012 年在上海成立,,聚焦荷蘭飛納臺(tái)式掃描電鏡在中國(guó)市場(chǎng)的推廣和應(yīng)用,,涵蓋領(lǐng)域包括材料,、鋰電新能源,、半導(dǎo)體、生命科學(xué)和法醫(yī)檢測(cè)等,。

截止目前,,復(fù)納科技服務(wù)超過 2000 家飛納電鏡客戶和 100 家相關(guān)產(chǎn)品客戶,包括:清華大學(xué),、北京大學(xué),、復(fù)旦大學(xué)、上海交通大學(xué),、華南理工大學(xué)和中科院系統(tǒng)等高??蒲袉挝唬话退狗?、寧德時(shí)代,、微軟、默克和出入境檢驗(yàn)局等企事業(yè)單位,。

2017 年開始,,復(fù)納科技陸續(xù)與 7 家行業(yè)品牌建立了長(zhǎng)期合作,致力于為中國(guó)高校,、研究所,、企業(yè)和政府用戶提供先進(jìn)可靠,、高效智能的科學(xué)分析儀器、優(yōu)質(zhì)專業(yè)的服務(wù)和基于核心技術(shù)的解決方案,。目前已引進(jìn)先進(jìn)的:DENSsolutions TEM原位樣品桿,,飛納臺(tái)式掃描電鏡,NEOSCAN臺(tái)式高分辨顯微 CT,,F(xiàn)orgeNano原子層沉積,、 Technoorg Linda SEM/TEM樣品制備和VSParticle 納米氣溶膠沉積等設(shè)備。

十年以來(lái),,復(fù)納科技賦能中國(guó)科研創(chuàng)新,、工業(yè)升級(jí),人工智能檢測(cè)的使命也越來(lái)越清晰,。

 

 

 

 

臺(tái)式掃描電鏡,,SEM / TEM 樣品制備,ALD 原子層沉積,,TEM 原位樣品桿,,X 射線顯微 CT

產(chǎn)地類別 進(jìn)口 二次電子圖象分辨率 8nmnm
放大倍數(shù) 200,000xx 加速電壓 4.8-20.5kVkV
價(jià)格區(qū)間 面議 儀器種類 六硼化鈰
應(yīng)用領(lǐng)域 公安/司法

飛納電鏡射擊殘留物分析(GSR)的背散射成像,用來(lái)掃描樣品和發(fā)現(xiàn)可疑的 “GSR” 顆粒,。一旦發(fā)現(xiàn)可疑的顆粒,,使用能譜(EDS)識(shí)別在該粒子中的元素。zui常見的搜索元素為 Pb,,Sb 和 Ba,。無(wú)鉛底火的檢測(cè),例如 Ti 和 Zn 也可為搜索條件進(jìn)行搜索,。


飛納電鏡射擊殘留物分析(GSR)是在臺(tái)式掃描電鏡運(yùn)行自動(dòng)射擊殘留物分析軟件,。其設(shè)計(jì)基于飛納臺(tái)式掃描電鏡大樣品室版 Phenom XL。軟件和硬件*一體化,,以提高用戶操作界面友好性,,可靠性和分析速度。Phenom GSR 包括以下三個(gè)項(xiàng)目:自動(dòng)射擊殘留物分析和分類軟件包,,BSED 和 EDS 探頭內(nèi)部集成,,校準(zhǔn)試樣。


配備 CeB6 燈絲,,使其穩(wěn)定運(yùn)行,,燈絲壽命不低于 1500 個(gè)小時(shí),從可用性,,適用性和運(yùn)行時(shí)間的角度來(lái)看都非常理想,。小于 1 分鐘的加載時(shí)間,和快速的全自動(dòng)馬達(dá)樣品臺(tái),,使得飛納 GSR 成為高度自動(dòng)化應(yīng)用的理想工具,,可以用來(lái)進(jìn)行自動(dòng)射擊殘留物分析,。


1-Phenom GSR.png


飛納電鏡射擊殘留物分析 Phenom GSR

  • 基于 CeB6 燈絲的高分辨圖像

  • 直觀易用的 GSR 軟件

  • 高吞吐量,一次性放置多達(dá) 36 個(gè)試樣

  • 操作簡(jiǎn)單,,*丟失導(dǎo)航系統(tǒng),,*集成能譜儀

  • 測(cè)量結(jié)果準(zhǔn)確可靠,廣泛兼容法醫(yī)領(lǐng)域的各類應(yīng)用

規(guī)格參數(shù)

光學(xué)放大:3 - 16 X
電子光學(xué)放大:200,000 X
分辨率優(yōu)于 8 nm
數(shù)字放大Max. 12 X
光學(xué)導(dǎo)航相機(jī)彩色
加速電壓4.8 Kv - 20.5 Kv 連續(xù)可調(diào)
真空模式

高分辨率模式

降低核電效應(yīng)模式

高真空模式

探測(cè)器背散射電子探測(cè)器

二次電子探測(cè)器 (選配)

樣品尺寸zui大 100 mm X 100 mm

可同時(shí)裝載 36 個(gè) 0.5 英寸樣品臺(tái)

樣品高度zui高 65 mm,,樣品高度全自動(dòng)調(diào)節(jié)




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