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NIE-4000 IBE/離子束刻蝕系統(tǒng)
- 公司名稱 那諾-馬斯特中國(guó)有限公司
- 品牌
- 型號(hào) NIE-4000
- 產(chǎn)地 美國(guó)
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2018/5/10 17:22:15
- 訪問(wèn)次數(shù) 367
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PECVD,,PA-MOCVD,,蒸發(fā)系統(tǒng),離子束,,ALD,,等離子源,濺射,,刻蝕,,熱真空,兆聲清洗機(jī),,雙系統(tǒng)
IBE/RIBE離子束刻蝕/反應(yīng)離子束刻蝕
如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物,,這些金屬的刻蝕無(wú)法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過(guò)加速的Ar離子進(jìn)行物理刻蝕則是可能的,。通常情況下,,樣品表面采用厚膠作為掩模層,,刻蝕期間富有能量的離子流會(huì)使得基片和光刻膠過(guò)熱。除非可以找到有效的方式消除熱量,,否則光刻膠將變得非常難以去除。
NANO-MASTER(那諾-馬斯特)技術(shù)已經(jīng)證明了可以把基片溫度控制在50° C以內(nèi)的同時(shí),,旋轉(zhuǎn)晶圓片以達(dá)到想要的均勻度,。
產(chǎn)品特點(diǎn):
- 14.5”不銹鋼立體離子束腔體
- 16cm DC離子槍1000eV,500mA, 氣動(dòng)不銹鋼遮板
- 離子束中和器
- 氬氣MFC
- 6”水冷樣品臺(tái)
- 晶片旋轉(zhuǎn)速度3、10RPM,,真空步進(jìn)電機(jī)
- 步進(jìn)電機(jī)控制晶圓片傾斜
- 手動(dòng)或自動(dòng)上下載晶圓片
- 典型刻蝕速率:銅200 ?/min, 硅:500 ?/min
- 6”范圍內(nèi),,刻蝕均勻度+/-3%
- 極限真空5x10-7Torr,20分鐘內(nèi)可達(dá)到10-6Torr級(jí)別(配套500 l/s渦輪分子泵)
- 配套1000 l/s渦輪分子泵,,極限真空可達(dá)8x10-8Torr
- 磁控濺射Si3N4以保護(hù)被刻蝕金屬表面被氧化
- 基于LabView軟件的PC計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制
- 菜單驅(qū)動(dòng),,4級(jí)密碼訪問(wèn)保護(hù)
- 完整的安全聯(lián)鎖