靜電場描繪實驗儀/靜電場描繪試驗儀/導電微晶靜電場描繪儀主要技術參數(shù)：

1.SY11-GVZ-3型為雙層,，同步探針，內(nèi)置四種電板（同心圓,、平行導線,、聚焦、劈尖形或飛機機翼電場）,。

2.規(guī)格為410mm*240mm,高100mm,K4-2導線,。

3.微晶導電層的均勻性，實驗值誤差為小于2%,。

4.電源輸出范圍（直流）為7.00v—13.00V,，分辨率為0.01V。

5.采用多圈電位器調(diào)節(jié)電壓,，調(diào)節(jié)細度可達0.01V,。

四種電極（配數(shù)碼管電源3位半）

（同心圓R為7cm，r為1cm, 其他電極距離均為10cm）

1． 靜電場描繪實驗儀/靜電場描繪試驗儀/導電微晶靜電場描繪儀儀器簡介

本儀器采用各向均勻?qū)щ姷奈⒕щ姲?/span>,在其上面安置一些不同的金屬電極,。當有直流電流經(jīng)兩個電極在導電板上通過時,，由于微晶導電板相對于金屬導體電導率低得多，故在兩個電極間沿電流線會存在不同的電勢,，這種不同的電勢可用數(shù)字電壓表直接測出來,。分析各測量點電勢的變化規(guī)律，就可間接地得知相似的靜電場中電勢分布規(guī)律,。

2．使用方法

（1）接線：

靜電場穩(wěn)壓電源輸出+（紅）接線柱用紅色電線連接描繪架（紅）,、-（黑）接線柱用黑色電線連接描繪架（黑）接線柱。穩(wěn)壓電源探針輸入+（紅色）接線柱用紅色電線連接探針架連接線柱,。將探針架好,，并使探針下探頭置于導電微晶電極上,，啟動開關,，先校正，后測量,。

（2）測量：

開啟測量開關,，如數(shù)字顯字為0 V，則移動探針架至另一電極上，數(shù)字顯10 V,，一般常用10 V,，便于運算。然后縱橫移動探針架,，則電源電壓表頭顯示讀數(shù)隨著運動而變化,。如要測0 V～10 V間的任何一條等勢(位)線，一般可選0 V～10 V間某一電壓數(shù)據(jù)相同的8～10個點,，再將這些點連成光滑的曲線即可得到此等勢(位)線,。

（3）記錄：

實驗報告都需要記錄，以備學生計算或驗證,，對模擬法作深刻研究,，則需在描繪架上鋪平白紙，用橡膠磁條吸住,，當表頭顯示讀數(shù)認為需要記錄時,，輕輕按一下，即能清晰記下小點,，一般所需記錄電壓請參閱講義或由任課教師定奪,，為實驗清晰快捷，每等位線8～10點,，然后連接即可,。