JKZC-BMZD01型薄膜介電常數（ε）及損耗測試儀（tgd）

關鍵詞：介電常數（ε），損耗測試儀（tgd）,，品質因數(Q),，頻率(f)

     JKZC-BMZD01型薄膜介電常數（ε）及損耗測試儀（tgd）是目前針對PVDF薄膜材料，是一款真正意義上的絕緣薄膜材料介電常數及介質損耗測試儀,。是目前能夠處理的介電常數（ε）和介損（tgd）的圖譜,。GB/T1693-2007主要用于測量高壓工業(yè)絕緣材料的介質損耗角的正切值及電容量。其采用了西林電橋的經典線路,。主要可以測量電容器,，互感器，變壓器，各種電工油及各種固體絕緣材料在工頻高壓下的介質損耗( tgd)和電容量( Cx)以,，其測量線路采用“正接法”即測量對地絕緣的試品,。電橋由橋體、指另儀,、跟蹤器組成,，本電橋特別適應測量各類絕緣油和絕緣材料的介損（tgd）及介電常數（ε）。

   JKZC-BMZD01型薄膜介電常數及損耗測試儀是一款針對薄膜測試的專用設備,，測試薄膜介電常數及損耗需要特制的夾具，通過軟件可以采集到介損（tgd）及介電常數（ε）器件的介電性能測量與分析,，可測試以下參數隨頻率(f),、電平(V)、偏壓(Vi)的變化規(guī)律：電容(C),、電感(L),、電阻(R)、電抗(X),、阻抗(Z),、相位角(?)、電導(B),、導納(Y),、損耗(D)、品質因數(Q)等參數,，同時計算獲得反應材料介電性能的復介電常數和損耗參數,。

         薄膜介電常數（ε）             薄膜介損（tgd）圖譜

三電極結構設計：

微調千分尺：微調千分尺具備0.001mm的調節(jié)精度，可精細化調節(jié)上下電極之間的距離,。

平行板測試電極：下電極固定在底部支撐座,，上電極可由微調千分尺調節(jié)行程距離。上電極帶有保護電極,。

上電極片：上電極標配有2mm球頭電極,、φ26.8mm圓片電極和φ38mm圓片電極?？筛鶕悠反笮‰S時更換,。

鎖緊裝置：當樣品放入上下電極之間后，可調節(jié)此鎖緊裝置,，固定上下電極的調節(jié)行程,。防止輕微移動引起的刻度偏差。

嚴格按照ASTM D150國際標準設計,，電極表面鍍金處理,，導電性能好、抗氧化，使用壽命更長

一,、真正的三電極設計

介電夾具基于ASTM D150標準試驗方法,，采用三電極法設計。上電極+下電極+保護電極,，電極表面鍍金處理,，導電性能好、抗氧化,。為消除測試連接線阻抗及連接線之間相互耦合對測試的影響,，儀器與夾具電極連接采用4端對法。

得益于測試線纜和電極引線的良好屏蔽,，屏蔽層直達測試電極,，因此獲得更高的校準頻率。

2.校準頻率最高可達100MHz

適配的阻抗分析儀更加豐富,，充分利用測試儀器的測試頻率范圍（20Hz-120MHz）,，以滿足測試樣品對更高頻率的要求。

3.高精度調節(jié)行程

適配高精度微調千分尺,，可調精度為0.001mm,，

上電極可調行程為12mm，并帶有鎖緊裝置,，可有效鎖定當前刻度位置,，確保測試的穩(wěn)定性和準確性。

標配26.8/38mm尺寸電極片,，可滿足不同尺寸樣品測量,，樣品安裝方便、簡單

主要技術參數：

1,、測試頻率：DC~100MHz

2,、樣品要求：雙面涂覆電極，保持平整,、光滑

3,、樣品尺寸：2mm≤φ≤60mm，厚度≤10mm

4,、電極圓片：無,。有效面積：樣品上下涂覆電極垂直重疊部分面積

5、誤差分析：存在邊緣電容,，樣品表面凹陷處被導電體填充

6,、測試接口：4個SMA母頭

7、上電極：φ2mm球頭電極+φ26.8mm圓片電極+φ38mm圓片電極

8,、保護電極：上電極帶保護電極,，電極表面鍍金

9,、上電極壓力調節(jié)：12mm行程調節(jié)，用于上電極與樣品良好的電性能接觸

10,、帶電極樣品尺寸：2mm≤φ≤60mm,，厚度≤10m

11、設計標準：ASTM D150和D2149-97國際標準,，GB/T1409-2006國家標準

12,、電極結構：兩平行板電極+保護電極，三電極結構

13,、電極引線：同軸屏蔽線,，消除電磁干擾對測試影響

14、下電極：φ60mm鍍金圓片電極

15,、上電極行程調節(jié)：12mm行程調節(jié),，用于樣品安裝

16、數據存儲：數據庫保存各類實驗數據,，同時輸出TXT,、XLS,、BMP等格式文件,，對實驗數據提供豐富的查詢與分析，輸出圖形與數據,。