在電力電子裝置中我們經(jīng)常見到短路故障，IGBT短路故障致使igbt損壞的原因主要有以下三種,?？偟膩碚f，這三種原因都可以歸結(jié)為器件中硅材料或焊接導(dǎo)線的熱效應(yīng)所引起,。

1)vce過電壓

在保護(hù)電路控制igbt主動關(guān)斷由于短路引起的大電流時,，由于分布電感的存在會產(chǎn)生vce過電壓，vce超過了特定的限制,。igbt將因雪崩擊穿而損壞;與短路電流相等的ic將集中于一塊很窄的硅上從而產(chǎn)生一個高溫的熱點,，因此,，失去它的阻斷能力，并在幾十ns內(nèi)失去電壓,。為了防止由于這類原因造成igbt失效，除了主回路的分布電感應(yīng)盡可能地小[4],，還需要一種帶有vce控制的門極驅(qū)動器,。

2)超出硅材料的熱極限

短路過程中，igbt承受整個vdc電壓,，同時ic為正常電流的若干倍,。igbt將承受遠(yuǎn)大于正常運行狀態(tài)下的損耗，從而使得igbt的結(jié)溫迅速升高[2],。如果結(jié)溫超過了允許的zui高結(jié)溫,，將因熱積累作用失去阻斷能力[1]。vce將迅速降低,，隨后整個器件*損壞,。通常，igbt生產(chǎn)廠家都會保證在特定情況下10μs的短路耐受時間,。

3)igbt擎住效應(yīng)

在igbt中存在一個寄生的npn三極管,，正常運行情況下，這個npn三極管被擴(kuò)散電阻旁路,，不會開通[1],。然而，在IC很大的情況下,，例如短路發(fā)生時,，這個npn三極管將開通，這樣igbt門極將失去對igbt的控制力,。zui終,，igbt將因為過大的電流使芯片和焊接導(dǎo)線上產(chǎn)生過大的損耗而損壞。