傳統(tǒng)的半導(dǎo)體I-V特性測量方案通常是復(fù)雜且成本昂貴的,，需要多種儀器配合完成測試,，如電壓/電流源，脈沖發(fā)生器,，高精密電壓/電流表等,。不僅占用有限的測試臺架空間，同時工程師需要編程實現(xiàn)多臺設(shè)備的控制及同步,，才能確保測試結(jié)果的準確度,。源測量單元為工程師提供了一種即經(jīng)濟又高效的解決方案。它集六種設(shè)備功能于一體,，將不同輸出和測量能力整合到緊湊的2U尺寸中,，可輸出電壓或電流以及同時測量電壓和/或電流。它兼具以下儀器的功能：四象限電壓源,、電流源,、61/2數(shù)字萬用表、脈沖發(fā)生器,、電池模擬器以及電子負載,。

       脈沖模式下，源測量單元支持±10.5A的脈沖電流輸出,，脈寬可低至50μs,，能夠精準模擬功率器件的瞬態(tài)工況，如GaN（氮化鎵）,、SiC（碳化硅）器件的開關(guān)損耗測試等,，為功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)和測試提供了強有力的支持。

       具體步驟

1,、?連接源表和示波器?：將源表連接到功率器件的兩端,，同時使用示波器觀察電壓和電流波形。確保使用帶屏蔽的短引線探頭以避免外部噪聲干擾,。?

2,、?波形分割?：將導(dǎo)通和關(guān)斷過程中的波形分割成若干段，每段可以通過簡單的三角形和矩形分段求和的方法來計算損耗,。

3,、?數(shù)據(jù)處理?：通過公式計算每段的損耗，然后將各段損耗相加得到總損耗,。例如,，導(dǎo)通損耗可以通過公式P=V×I×t 計算，其中 V 是電壓,，I 是電流,，t 是時間,。