測量鍺單晶壽命需配置適當波長的光源——紅外光在硅單晶內(nèi)穿透深大于500μm

來源：北京中慧天誠科技有限公司 2025年06月17日 22:16

高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測試儀是按照半導(dǎo)體設(shè)備和材料（F28-75）及GB/T1553的要求,，采用高頻光電導(dǎo)衰減測量方法,，適用于硅,、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測量,，硅單晶壽命測量ρ≥2Ω·cm,。

規(guī)格參數(shù)：

測試范圍：5-10000μs,；

電阻率范圍：ρ≥2Ω·cm

參雜硅單晶片（厚度小于1mm），電阻率范圍：ρ＞0.1Ω·cm

重復(fù)性誤差：≤±20%

光脈沖發(fā)生裝置

重復(fù)頻率：＞20~30次/s

光脈沖關(guān)斷時間：0.2-1μs,，余輝＜1μs

紅外光源波長：1.06-1.09μm（測量硅單晶）,，紅外光在硅單晶內(nèi)穿透深大于500μm如測量鍺單晶壽命需配置適當波長的光源

脈沖電源：5A-20A

高頻振蕩源

石英諧振器頻率：30MHz

輸出功率：＞1W

放大器、檢波器

放大倍數(shù)：25倍

頻寬范圍：2Hz-2MHz

光源電極臺：可測縱向放置的單晶,、豎放單晶橫載面的壽命

可測單晶尺寸：

斷面豎測：直徑25-150,，厚2mm-500mm

縱向臥測：直徑5mm-150mm，長50mm-800mm

讀數(shù)方式：可選配測試軟件或數(shù)字示波器讀數(shù)

測試軟件：具有自動保存數(shù)據(jù)及測試點衰減波形,，可進行查詢歷史數(shù)據(jù)和導(dǎo)出歷史數(shù)據(jù)等操作,。

高頻光電導(dǎo)壽命測試儀/高頻光電導(dǎo)少子壽命測試儀（學(xué)校用）

型號：KDKLT-1

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