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FRINGE 使用微量樣品臺(tái)加載不同質(zhì)量的微量樣品進(jìn)行對(duì)比測(cè)試

來(lái)源:蘇州浪聲科學(xué)儀器有限公司   2025年05月21日 15:56  

應(yīng)用背景


X射線衍射技術(shù)是研究材料結(jié)構(gòu)的重要實(shí)驗(yàn)工具,,其結(jié)果能為功能材料的設(shè)計(jì)和改性提供重要的理論依據(jù),,而樣品制備的質(zhì)量直接影響XRD譜圖效果,,如由于不當(dāng)制樣可引起的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)誤差,,給結(jié)果分析帶來(lái)巨大挑戰(zhàn)。因此,,了解XRD樣品的觀測(cè)要求,、制備過(guò)程,提高樣品制備質(zhì)量,,可以為XRD實(shí)驗(yàn)起到事半功倍的效果,。

X射線衍射(XRD)技術(shù)可應(yīng)用于多種樣品類型的分析,包括粉末,、塊狀,、薄膜和纖維等。樣品不同,、分析目的不同,,采取的樣品制備方法不同,特別是微量樣品的制備,,因其對(duì)精確度和靈敏度的要求,,一直是XRD分析中備受關(guān)注的焦點(diǎn)。


應(yīng)用案例


本文將對(duì)不同質(zhì)量的微量LaB6樣品進(jìn)行測(cè)試并作數(shù)據(jù)對(duì)比,以驗(yàn)證界FRINGE微量樣品臺(tái)測(cè)試微量樣品的可行性,。


(1)測(cè)試參數(shù)

儀器型號(hào):界FRINGE
靶材:Cu靶 角度范圍:10~140°&5~90°
管壓:30 kV 步進(jìn)角度:0.02°/step
管流:16 mA積分時(shí)間:500 ms/step


(2)樣品制備


制樣方法:制備微量樣品須選用微量樣品架,,且將微量粉末樣品分散在樣品架中心;極微量樣品可用不溶的易揮發(fā)溶劑分散,,如乙醇或丙酮等,,使粉末成為薄層漿液狀,均勻地涂布開(kāi)來(lái),,形成一個(gè)單顆粒層的厚度就可以,,待乙醇或丙酮揮發(fā)至干即可進(jìn)行測(cè)量。本次微量樣品臺(tái)由3D打印和硅片組成,,將微量粉末樣品放到樣品臺(tái)中央,,滴1-2滴酒精或其它揮發(fā)溶劑滴到粉末上,并用工具將其盡量均勻攤開(kāi),,不能有肉眼可見(jiàn)的突起,。

界FRINGE 使用微量樣品臺(tái)加載不同質(zhì)量的微量樣品進(jìn)行對(duì)比測(cè)試(圖1)

測(cè)試分組:①硅片襯底、②5 mg LaB6,、③10 mg LaB6,、④20 mg LaB6、⑤50 mg LaB6,、⑥100 mg LaB6,、⑦普通玻片制樣。


(3)測(cè)試結(jié)果及數(shù)據(jù)分析


a.測(cè)試圖譜 

界FRINGE 使用微量樣品臺(tái)加載不同質(zhì)量的微量樣品進(jìn)行對(duì)比測(cè)試(圖1)

圖1. 硅片襯底的XRD圖譜


界FRINGE 使用微量樣品臺(tái)加載不同質(zhì)量的微量樣品進(jìn)行對(duì)比測(cè)試(圖2)

圖2. 微量樣品臺(tái)加載5 mg LaB6樣品的XRD圖譜


界FRINGE 使用微量樣品臺(tái)加載不同質(zhì)量的微量樣品進(jìn)行對(duì)比測(cè)試(圖3)

圖3. 微量樣品臺(tái)加載10 mg LaB6樣品的XRD圖譜


界FRINGE 使用微量樣品臺(tái)加載不同質(zhì)量的微量樣品進(jìn)行對(duì)比測(cè)試(圖4)

圖4. 微量樣品臺(tái)加載20 mg LaB6樣品的XRD圖譜


界FRINGE 使用微量樣品臺(tái)加載不同質(zhì)量的微量樣品進(jìn)行對(duì)比測(cè)試(圖5)

圖5. 微量樣品臺(tái)加載50 mg LaB6樣品的XRD圖譜


界FRINGE 使用微量樣品臺(tái)加載不同質(zhì)量的微量樣品進(jìn)行對(duì)比測(cè)試(圖6)

圖6. 微量樣品臺(tái)加載100 mg LaB6樣品的XRD圖譜


界FRINGE 使用微量樣品臺(tái)加載不同質(zhì)量的微量樣品進(jìn)行對(duì)比測(cè)試(圖7)

圖7. 普通玻片制備LaB6樣品的XRD圖譜


界FRINGE 使用微量樣品臺(tái)加載不同質(zhì)量的微量樣品進(jìn)行對(duì)比測(cè)試(圖8)

圖8. 六組樣品疊加X(jué)RD圖譜



b.數(shù)據(jù)對(duì)比

界FRINGE 使用微量樣品臺(tái)加載不同質(zhì)量的微量樣品進(jìn)行對(duì)比測(cè)試(圖10)

c.結(jié)論

(1)硅片襯底的圖譜在5~90°范圍內(nèi)不存在衍射峰,,且背景線較為平整,。

(2)由表1可知,在樣品量增加到50mg時(shí),,峰高值達(dá)到最大,,50mg組與普通玻片制樣組進(jìn)行對(duì)比可知,兩者峰高近似,,普通玻片峰位偏差較小,,僅有0.023。由以上分析可以推測(cè),,微量樣品臺(tái)可以對(duì)50mg以下樣品進(jìn)行測(cè)試,。


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