一,、測試目的

1. 驗證環(huán)境適應(yīng)性：確保芯片在高溫,、低溫及快速溫度變化中不出現(xiàn)功能失效、性能下降或物理損壞（如焊點開裂,、封裝變形等）,。

2. 暴露潛在缺陷：通過條件加速暴露芯片設(shè)計、材料或工藝中的隱藏問題（如熱膨脹系數(shù)不匹配,、散熱不良等）,。

3. 符合行業(yè)標準：滿足汽車電子行業(yè)（如 AEC-Q100 等）對芯片可靠性的強制要求,，確保車載芯片符合車載環(huán)境的長期使用需求,。

二、測試設(shè)備與原理

1. 主要設(shè)備：高低溫沖擊試驗箱

• 結(jié)構(gòu)特點：

• 通常具備高溫箱（如 85℃~150℃）和低溫箱（如 - 40℃~-55℃）雙箱結(jié)構(gòu),，通過機械傳動裝置快速切換樣品所在箱體,。

• 溫度轉(zhuǎn)換時間短（如 10 秒內(nèi)完成高低溫箱轉(zhuǎn)移），可模擬溫度沖擊速率（如 15℃/min~30℃/min）,。

• 核心參數(shù)：

• 溫度范圍：低溫端可達 - 70℃,，高溫端可達 180℃；

• 溫度均勻性：±2℃以內(nèi),；

• 沖擊循環(huán)次數(shù)：通常需完成數(shù)百至數(shù)千次循環(huán)（如 500 次以上）,。

2. 測試原理

• 溫度沖擊循環(huán)：
  芯片樣品在高溫和低溫環(huán)境中交替暴露，每次停留時間需確保芯片內(nèi)部溫度充分穩(wěn)定（如高溫 / 低溫各保持 30 分鐘～2 小時）,。

• 失效判定依據(jù)：

• 電氣性能測試：通過探針臺或自動化測試設(shè)備（ATE）檢測芯片的引腳電壓,、電流、邏輯功能等是否正常,。

• 物理檢測：使用 X 射線,、掃描電子顯微鏡（SEM）等觀察芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)是否出現(xiàn)裂紋、分層或焊點脫落,。

三,、測試標準與流程

1. 行業(yè)標準

• AEC-Q100（汽車電子 council）：

• 分為 Grade 0~Grade 3，對應(yīng)不同車載環(huán)境溫度等級（如 Grade 0：-40℃~125℃,，適用于引擎艙等嚴苛環(huán)境）,。

• 要求芯片通過溫度循環(huán)測試（Temperature Cycling，TC）和溫度沖擊測試（Thermal Shock,，TS）,，循環(huán)次數(shù)通常為 100~1000 次。

• 其他標準：

• ISO 16750-2（道路車輛電氣電子設(shè)備環(huán)境條件）,；

• JEDEC J-STD-020（半導(dǎo)體器件的濕度 / 溫度敏感度）,。

2. 測試流程

1. 樣品準備：

• 芯片需封裝為成品（如 QFP、BGA 等封裝形式）,，并焊接至測試夾具或 PCB 板上,。

2. 初始檢測：

• 測試前對芯片進行電氣性能全檢,，記錄初始數(shù)據(jù)。

3. 高低溫沖擊測試：

• 按設(shè)定的溫度區(qū)間,、沖擊速率和循環(huán)次數(shù)執(zhí)行測試（示例流程如下）：

  階段	溫度	保持時間	轉(zhuǎn)移時間	循環(huán)次數(shù)
  高溫	125℃	1 小時	≤10 秒	500 次
  低溫	-40℃	1 小時	≤10 秒

4. 中間檢測：

• 每完成一定循環(huán)次數(shù)（如 100 次）后,，取出樣品進行電氣性能抽檢，排查早期失效,。

5. 最終檢測：

• 測試結(jié)束后,，對芯片進行全面電氣性能測試和物理分析（如切片觀察封裝內(nèi)部）。

6. 失效分析：

• 若出現(xiàn)功能異?；蛭锢頁p壞,，通過失效分析定位問題（如材料熱匹配性差、封裝應(yīng)力集中等）,，并反饋至設(shè)計或工藝端改進,。

四、常見失效模式與原因

1. 電氣失效：

• 接觸不良：引腳或焊點因熱膨脹系數(shù)差異導(dǎo)致斷裂或松動,；

• 功能異常：晶體管閾值電壓漂移,、電路邏輯紊亂（由溫度下半導(dǎo)體材料特性變化引起）。

2. 物理失效：

• 封裝開裂：芯片基板與封裝材料熱膨脹系數(shù)不匹配,，導(dǎo)致應(yīng)力集中開裂,；

• 焊點脫落：焊料（如 SnPb、SnAgCu）在反復(fù)熱沖擊下產(chǎn)生疲勞裂紋,；

• 芯片分層：芯片與封裝基板之間的界面因吸濕或工藝缺陷出現(xiàn)分層,。

3. 熱管理失效：

• 散熱設(shè)計不足導(dǎo)致高溫下芯片結(jié)溫（Tj）超標，或低溫下冷凝水影響絕緣性能,。

五,、測試的重要性

• 保障行車安全：車載芯片（如 MCU、傳感器芯片,、功率器件）若在溫度下失效,，可能導(dǎo)致剎車失靈、氣囊誤觸發(fā)等安全事故,。

• 延長產(chǎn)品壽命：通過測試篩選出高可靠性芯片,，減少車輛在生命周期內(nèi)的故障返修率。

• 適應(yīng)新能源趨勢：新能源汽車對芯片的耐高溫（如電池管理系統(tǒng)）和抗低溫（如冬季續(xù)航性能）要求更高,，推動測試標準升級,。

六、技術(shù)發(fā)展趨勢

1. 更嚴苛的測試條件：

• 隨著車規(guī)芯片向高集成度,、高功率密度發(fā)展,，測試溫度范圍可能進一步擴展（如高溫端突破 150℃）。

2. 快速測試技術(shù)：

• 采用液氮 / 液氦冷卻或脈沖加熱技術(shù),，縮短高低溫轉(zhuǎn)換時間,，提升測試效率,。

3. 原位監(jiān)測技術(shù)：

• 在沖擊測試中同步監(jiān)測芯片的功耗、溫度分布（如紅外熱像儀）,，實時捕捉失效瞬間的參數(shù)變化,。