近期,，公司出貨了一臺(tái)推拉力測(cè)試儀，是專門(mén)用于晶片推力測(cè)試,。在現(xiàn)代半導(dǎo)體制造和電子封裝行業(yè)中,，晶片的焊接質(zhì)量直接影響產(chǎn)品的可靠性和壽命。推力測(cè)試（Die Shear Test）是一種關(guān)鍵的力學(xué)測(cè)試方法,，用于評(píng)估晶片（Die）與基板（Substrate）或框架（Lead Frame）之間的粘接強(qiáng)度,。

本文科準(zhǔn)測(cè)控小編將詳細(xì)介紹晶片推力測(cè)試的原理、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),、測(cè)試儀器及操作流程,，幫助用戶規(guī)范測(cè)試方法，提升產(chǎn)品質(zhì)量,。

一,、晶片推力測(cè)試原理

推力測(cè)試是通過(guò)施加垂直于晶片表面的機(jī)械力，測(cè)量晶片與基材之間的粘接強(qiáng)度,。測(cè)試時(shí),，推刀以恒定速度推動(dòng)晶片，直至其脫落或斷裂,，記錄最大推力值（單位：N或kgf）,。該測(cè)試可評(píng)估以下關(guān)鍵指標(biāo)：

粘接材料強(qiáng)度（如銀膠、環(huán)氧樹(shù)脂等）,。

焊接質(zhì)量（如共晶焊,、金錫焊等）,。

界面結(jié)合力（晶片與基板之間的結(jié)合完整性）,。

二、晶片推力測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)

MIL-STD-883 Method 2019.7：美guojun用標(biāo)準(zhǔn),，規(guī)定推力測(cè)試的最小閾值（如≥3kgf）,。

JEDEC JESD22-B109：半導(dǎo)體行業(yè)通用標(biāo)準(zhǔn)，涵蓋測(cè)試條件與數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)要求,。

IPC-782：電子組裝工藝標(biāo)準(zhǔn),，適用于封裝可靠性評(píng)估。

合格判定：不同尺寸晶片的最小推力要求不同（例如2×2mm晶片通常需≥5kgf）,。

三,、測(cè)試儀器和工具

1、Beta S100推拉力測(cè)試儀

A,、推拉力測(cè)試儀工作原理

推拉力測(cè)試機(jī)的原理基于力學(xué)原理,，即力與位移之間的關(guān)系。它通過(guò)施加推力或拉力于測(cè)試樣品,，并測(cè)量該力對(duì)樣品造成的位移,，從而確定樣品的強(qiáng)度和耐久性,。推拉力測(cè)試機(jī)的工作原理主要由以下幾個(gè)部分組成：

1、傳動(dòng)機(jī)構(gòu)：用于生成施加在樣品上的推力或拉力,。這是測(cè)試機(jī)的核心部分,，負(fù)責(zé)提供所需的力以進(jìn)行測(cè)試。

2,、傳感器：用于測(cè)量樣品產(chǎn)生的位移,。傳感器的精度直接影響測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性。

3,、控制系統(tǒng)：負(fù)責(zé)設(shè)置測(cè)試參數(shù),，控制測(cè)試過(guò)程，并記錄和分析數(shù)據(jù),?？刂葡到y(tǒng)的智能化水平?jīng)Q定了測(cè)試機(jī)的操作便利性和數(shù)據(jù)處理能力。

4,、數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)：負(fù)責(zé)處理和分析測(cè)試數(shù)據(jù),，以評(píng)估樣品的強(qiáng)度和性能。這一部分是測(cè)試結(jié)果科學(xué)性和可靠性的保證,。

B,、產(chǎn)品特點(diǎn)

2、推刀類型：平頭刀,、楔形刀（適配不同晶片尺寸）,。

3、常用工裝夾具

四,、測(cè)試流程

步驟一,、樣品準(zhǔn)備

確保晶片表面清潔，無(wú)污染或氧化,。

固定基板于測(cè)試平臺(tái),，避免移動(dòng)。

步驟二,、儀器設(shè)置

選擇適配推刀（通常為平頭刀,，寬度略小于晶片）。

設(shè)置測(cè)試參數(shù)：

測(cè)試速度：50~200μm/s（依標(biāo)準(zhǔn)要求）,。

觸發(fā)力：0.1N（避免誤觸發(fā)）,。

步驟三、定位與校準(zhǔn)

使用顯微鏡或攝像頭對(duì)準(zhǔn)晶片邊緣,，確保推刀與晶片接觸面平行,。

執(zhí)行零點(diǎn)校準(zhǔn)，消除系統(tǒng)誤差。

步驟四,、執(zhí)行測(cè)試

啟動(dòng)測(cè)試程序,，推刀勻速推動(dòng)晶片。

設(shè)備自動(dòng)記錄最大推力值及位移曲線,。

步驟五,、數(shù)據(jù)分析

檢查推力值是否達(dá)標(biāo)，分析失效模式（如界面剝離,、膠層斷裂等）,。

生成測(cè)試報(bào)告，標(biāo)注批次,、樣品編號(hào)及測(cè)試條件,。

五、注意事項(xiàng)

環(huán)境控制：測(cè)試應(yīng)在溫濕度穩(wěn)定的潔凈環(huán)境中進(jìn)行（建議23±2℃, RH<60%）,。

推刀維護(hù)：定期檢查推刀磨損,，避免測(cè)試偏差。

失效分析：若推力值異常,，需結(jié)合顯微鏡或SEM觀察斷裂面,，排查工藝問(wèn)題。

以上就是小編介紹的有關(guān)于晶片推力測(cè)試相關(guān)內(nèi)容了,，希望可以給大家?guī)?lái)幫助,！如果您還想了解更多關(guān)于晶片推力測(cè)試方法和測(cè)試原理，芯片推力測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)和貼片元器件推力測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),，推拉力測(cè)試機(jī)怎么使用視頻和圖解,，使用步驟及注意事項(xiàng)、作業(yè)指導(dǎo)書(shū),，原理,、怎么校準(zhǔn)和使用方法視頻，推拉力測(cè)試儀操作規(guī)范,、使用方法和測(cè)試視頻 ,，焊接強(qiáng)度測(cè)試儀使用方法和鍵合拉力測(cè)試儀等問(wèn)題,，歡迎您關(guān)注我們,，也可以給我們私信和留言，【科準(zhǔn)測(cè)控】小編將持續(xù)為大家分享推拉力測(cè)試機(jī)在鋰電池電阻,、晶圓,、硅晶片、IC半導(dǎo)體,、BGA元件焊點(diǎn),、ALMP封裝、微電子封裝、LED封裝,、TO封裝等領(lǐng)域應(yīng)用中可能遇到的問(wèn)題及解決方案,。