1.問題描述
某工業(yè)顯示屏在進行ESD靜電放電測試時,,對網(wǎng)口、USB,、串口打±6kV接觸放電,,每次試驗系統(tǒng)液晶屏出現(xiàn)藍屏現(xiàn)象,系統(tǒng)死機,,重新上電后可以恢復(fù),,實驗不通過。
本問題已經(jīng)歷經(jīng)半年,,期間客戶公司內(nèi)部以及方案公司進行過V1.0-V1.31共4次改板,,投入了大量人力物力仍未解決,時間刻不容緩,。
2.故障診斷
考慮到本板歷次分別從接地,、濾波、隔離等方面對單板進行了設(shè)計整改,,均未改善,,懷疑單板有ESD薄弱點,因此本次確定采用敏感源頭診斷和整改的方案,,從源頭解決問題,。
根據(jù)實驗現(xiàn)象分析,,判斷為CPU功能單元受到干擾,分析核心子板(CPU模塊電路)管腳各信號,,從實踐經(jīng)驗,、信號功能等角度分析,判斷表1羅列的信號比較敏感,,易受靜電干擾,。
表1 易受ESD干擾的敏感信號
序號 | 網(wǎng)絡(luò)名稱 | 信號功能 | 對ESD敏感 |
1 | LCD_HSYNC | 液晶屏行同步信號 | YES |
2 | LCD_VSYNC | 液晶屏場同步信號 | YES |
3 | I2C_SDA | I2C總線雙向數(shù)據(jù)信號 | YES |
4 | I2C_CLK | I2C總線時鐘信號 | YES |
5 | LCD_EN | 液晶屏使能信號 | YES |
6 | LCD_CLK | 液晶屏時鐘信號 | YES |
7 | VCC_3V3_MPU | MPU單元3.3V電源 | YES |
8 | eDP_RESET | eDP接口復(fù)位信號 | YES |
將ESD靜電槍電壓分別調(diào)至100V,、300V,、600V和1000V,分別對核心子板表1所示的信號管腳做接觸放電,,查找ESD敏感信號,,如圖1所示。

圖2 接觸打IC管腳
實驗中問題沒有復(fù)現(xiàn),,因此排除這些信號產(chǎn)生的問題,,試驗記錄如表2所示。
表2 ESD敏感信號驗證結(jié)果
序號 | 網(wǎng)絡(luò)名稱 | 100V | 300V | 600V | 1000V |
1 | LCD_HSYNC | 正常 | 正常 | 正常 | 正常 |
2 | LCD_VSYNC | 正常 | 正常 | 正常 | 正常 |
3 | I2C_SDA | 正常 | 正常 | 正常 | 正常 |
4 | I2C_CLK | 正常 | 正常 | 正常 | 正常 |
5 | LCD_EN | 正常 | 正常 | 正常 | 正常 |
6 | LCD_CLK | 正常 | 正常 | 正常 | 正常 |
7 | VCC_3V3_MPU | 正常 | 正常 | 正常 | 正常 |
8 | eDP_RESET | 正常 | 正常 | 正常 | 正常 |
繼續(xù)分析核心子板上敏感電路,,當對敏感信號DDR_CLK 100V接觸放電時問題復(fù)現(xiàn),,且每次放電問題都可以復(fù)現(xiàn)。
DDR_CLK布線4mil,,且布線未預(yù)留焊盤,,整改手段有限,為了確定靜電輻射電磁場對DDR_CLK時鐘信號有無影響,,則使用1根金屬接地線,,放在DDR_CLK線正上方,用靜電槍打接地線銅鼻子,,如圖3所示,。

圖3 接觸打接地線銅鼻子
按圖3所示的方法,6KV接觸放電時,,5次放電問題都能復(fù)現(xiàn),,因此確認靜電電磁場輻射對DDR_CLK信號和DDR器件有影響,此時使用銅箔將核心板區(qū)域屏蔽并接地,,保護DDR敏感信號和模塊,,如圖4所示。

圖4 核心板模塊屏蔽
將核心板模塊區(qū)域屏蔽后,,對I/O接口進行接觸放電正負6KV,、8KV、10KV,,每次連續(xù)40次放電,,系統(tǒng)均運行正常,,問題解決,因此確定為核心板受靜電干擾導致整機死機,。
3.原因分析
繼續(xù)驗證確定整機ESD為輻射耦合or容性耦合,,經(jīng)分析,系統(tǒng)靜電放電泄放途徑為I/O接口——單板PGND——金屬襯板——金屬機箱——機箱蓋板——接地線,,如圖5所示,。

圖5 整機靜電泄放途徑
當將機箱蓋板與金屬機箱不擰螺絲時或者機箱蓋板不蓋時,發(fā)現(xiàn)此時靜電放電無問題,,因此排除輻射耦合,,那么此時靜電泄放途徑為I/O接口——單板PGND——金屬襯板——金屬機箱,則相當于核心板DDR敏感部位與機箱蓋板無靜電容性耦合(兩者距離很近),,如圖6所示,。

圖6 去掉后蓋整機靜電泄放途徑
綜上整機核心子板靜電耦合簡易模型如圖7所示。

圖7 核心子板靜電耦合模
診斷時核心子板加屏蔽罩后此時靜電耦合模型如圖8所示,。

圖8 核心子板靜電耦合模型
從圖8可以看出,,核心子板加屏蔽罩后,機箱后蓋板靜電能量直接耦合到金屬屏罩并通過屏蔽罩接地引腳到GND,,從而避免ESD直接耦合到敏感的DDR模塊,,問題得以解決。因此根據(jù)以上分析,,為機箱后蓋板靜電干擾容性耦合至DDR模塊電路導致ESD問題,。
4.整改措施
因核心子板是客戶公司平臺化產(chǎn)品,模塊上DDR電路又及其敏感,,推薦主板采用屏蔽罩屏蔽敏感核心子板模塊的方案量產(chǎn),,本方案簡單易行,成本增加不到0.5元,,效果可靠,。最后經(jīng)與客戶溝通,目前主板上空間充足,,本方案可生產(chǎn),,屏蔽罩如圖9所示。

圖9 核心板屏蔽罩
5.實踐效果
改板后再次進行靜電試驗,,此后系統(tǒng)死機問題再未復(fù)現(xiàn),,試驗通過。
【總結(jié)】
ESD實驗時,,工程師經(jīng)常碰到打一槍就死,,整改來整改去沒用,即便做了無數(shù)次PCB改板,也徒勞無功,,搞得懷疑人生,,自嘲下此刻想死的心都有了!何故,?因為電路中有對ESD極其敏感的薄弱點,,不攻要害,何來征服,!本案例產(chǎn)品ESD問題,,經(jīng)過縝密的診斷和分析確定出了敏感源和耦合途徑,然后通過對敏感源屏蔽成功化解,。本文的整改方法和思路啟示我們,,打蛇打七寸,擒賊要擒王,,不出手則已,,出手則要狠招絕招,,首戰(zhàn)即決戰(zhàn),,一戰(zhàn)定乾坤。
推薦型號:
靜電放電模擬器
SESD 216(電壓范圍:200V~16.5kV)
SESD 230(電壓范圍:500V~30kV)
SESD 30000(電壓范圍:1kV~30kV)
ESD - Test System 30 kV
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