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半導(dǎo)體硅片測(cè)厚儀:應(yīng)用

來(lái)源:濟(jì)南賽成電子科技有限公司   2025年04月24日 16:08  

  本文由濟(jì)南賽成電子科技有限公司提供

  半導(dǎo)體硅片測(cè)厚儀是用于精確測(cè)量硅片厚度及其均勻性的關(guān)鍵設(shè)備,,對(duì)芯片制造過(guò)程中的工藝控制(如研磨、拋光、外延生長(zhǎng)等)至關(guān)重要。

  一,、半導(dǎo)體硅片測(cè)厚儀簡(jiǎn)介

  半導(dǎo)體硅片測(cè)厚儀采用機(jī)械接觸式測(cè)量方式,嚴(yán)格符合標(biāo)準(zhǔn)要求,,有效保證了測(cè)試的規(guī)范性和準(zhǔn)確性,。專業(yè)適用于量程范圍內(nèi)的塑料薄膜、薄片,、隔膜,、紙張、箔片,、硅片等各種材料的厚度精確測(cè)量,。

  二、半導(dǎo)體硅片測(cè)厚儀應(yīng)用領(lǐng)域

  1. 工藝控制的核心環(huán)節(jié)

  晶圓制備階段

  確保切片后的硅片厚度均勻,,避免后續(xù)研磨/拋光過(guò)量或不足。

  檢測(cè)TTV和LTV,,減少因厚度不均導(dǎo)致的應(yīng)力集中或破裂風(fēng)險(xiǎn),。

  薄膜沉積與刻蝕

  監(jiān)控外延層、氧化層等薄膜厚度(如Epi層需控制在1~10μm±0.1μm),,直接影響器件電性能(如MOSFET溝道遷移率),。

  CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)

  實(shí)時(shí)反饋拋光厚度,防止過(guò)拋導(dǎo)致硅片報(bào)廢(每片300mm硅片成本可達(dá)數(shù)百美元),。

  2. 提升器件性能與良率

  電學(xué)參數(shù)一致性

  厚度偏差會(huì)導(dǎo)致寄生電容變化,,影響高頻器件(如RF芯片)的截止頻率(??fT)。

  功率器件(如IGBT)的擊穿電壓與硅片厚度直接相關(guān)(如1200V器件需~150μm厚硅片),。

  3D集成與先進(jìn)封裝

  硅通孔(TSV)工藝中,,硅片減薄至50~100μm時(shí),厚度誤差需<±1μm,,否則導(dǎo)致互聯(lián)失效,。


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