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電快速瞬變脈沖群(EFT)抑制方法

來源:蘇州威銳科電子有限公司   2025年04月16日 11:12  

一,、電快速瞬變脈沖群特點(diǎn) 

電快速瞬變脈沖群EFT是電氣和機(jī)電設(shè)備中常見的一種瞬態(tài)干擾,是由繼電器,、接觸器,、電動(dòng)機(jī)、變壓器等電感器件產(chǎn)生的,是時(shí)間很短但幅度很大的電磁干擾,是一連串的脈沖,,可以在電路輸入端產(chǎn)生累計(jì)效應(yīng),,使干擾電平的幅度最終超過電路的噪聲門限,對(duì)電路形成干擾,。 

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電快速瞬變脈沖群由大量脈沖組成,,具有如下特點(diǎn): 

1) 幅值在100V至數(shù)千伏; 

2) 脈沖頻率在1kHz至1MHz,; 

3) 單個(gè)脈沖的上升沿在納秒級(jí),,脈沖持續(xù)時(shí)間在幾十納秒至數(shù)毫秒; 

4) EFT所形成的騷擾信號(hào)頻譜分補(bǔ)非常寬,,數(shù)字電路對(duì)它比較敏感,,易受到干擾。 

二,、電快速瞬變脈沖群常見抑制方法 

1) 減小PCB接地線公共阻抗:增加PCB接地導(dǎo)線的面積,,減小電感量成分; 

2) 加接EFT電感瞬態(tài)干擾抑制網(wǎng)絡(luò):在電感元件上并接壓敏電阻,、阻容電路,、二極管、TVS管,、背靠連接的穩(wěn)壓二極管等,; 

3) 電源或信號(hào)干擾源輸入口,使用濾波器或吸收器等濾波元器件,,選用磁珠的內(nèi)徑越小,、外徑越大、長(zhǎng)度越長(zhǎng)越好,; 

4) 電子元器件選擇時(shí),,選用性能可靠的關(guān)鍵器件;最好做過芯片級(jí)的電磁兼容仿真試驗(yàn),,質(zhì)量可靠的元器件選用可提升對(duì)電快速瞬變脈沖信號(hào)的抑制能力,; 

5) PCB布局時(shí),將干擾源遠(yuǎn)離敏感電路,; 

6) PCB布線時(shí)注意線纜的隔離,,強(qiáng)弱電的布線隔離、信號(hào)線與功率線的隔離,,各類走線要盡量短,, 

7) 正確使用接地技術(shù),減小環(huán)路面積,; 

8) 安裝瞬態(tài)干擾吸收器; 

9) 軟件設(shè)計(jì)時(shí),考慮避免干擾對(duì)系統(tǒng)的影響,,軟件上應(yīng)正確檢測(cè)和處理告警信息,,及時(shí)恢復(fù)產(chǎn)品的狀態(tài); 

10) I/O信號(hào)進(jìn)出由隔離的變壓器或光耦連接,,更好的實(shí)現(xiàn)隔離,; 

11) 使用高阻抗的共模或差模電感濾波器 

12) 使用鐵氧體磁環(huán),; 

13) 在PCB層電源輸入位置要做好濾波,,通常采用的是大小電容組合,根據(jù)實(shí)際情況可以酌情再添加一級(jí)磁珠來濾除高頻信號(hào),;

14) 組裝生產(chǎn)環(huán)節(jié)中應(yīng)嚴(yán)把質(zhì)量關(guān),,做好生產(chǎn)工藝流程控制,盡量保證產(chǎn)品質(zhì)量的一致性,,減少因個(gè)別產(chǎn)品質(zhì)量問題帶來的測(cè)試不合格現(xiàn)象,; 

三、PCB抗干擾設(shè)計(jì) 

1,、電源電路抗干擾設(shè)計(jì) 

1) 變壓器及穩(wěn)壓模塊應(yīng)就近安裝在交流電源進(jìn)入系統(tǒng)的地方,; 

2) 強(qiáng)電輸送線絕不能在系統(tǒng)內(nèi)亂布; 

3) 電源供電線應(yīng)盡量短,,板間連接線使用雙絞線,; 

4) 交流輸入、功率繼電器,、電源濾波器,、電源變壓器等干擾源電路應(yīng)與系統(tǒng)穩(wěn)壓后的5V、3.3V等布線嚴(yán)格分開并進(jìn)行有效隔離,; 

5) 穩(wěn)壓電源輸出并接電解電容及0.01uF左右陶瓷電容和二極管,; 

2、PCB布局抗干擾設(shè)計(jì) 

1) 主控部分和外圍設(shè)備按各自體系要有明顯界限,,不能混裝,,即使系統(tǒng)只有一塊印制板,也要分模塊設(shè)計(jì),,模塊間做好隔離,; 

2) 大功率低速電路、模擬電路和數(shù)字電路應(yīng)分開布局,,大功率器件應(yīng)與小信號(hào)電路分開,,如功率繼電器要與主控模塊及弱點(diǎn)驅(qū)動(dòng)模塊隔離,使相互間的信號(hào)耦合最??; 

3) 各部件之間引線要盡量短,,噪聲敏感器件盡量縮短連接的信號(hào)線; 

4) 發(fā)熱量大的器件如電源芯片,、單片機(jī),、RAM等應(yīng)盡量安排在不影響敏感電路的地方及通風(fēng)冷卻較好的地方,電路板豎直放置時(shí),,發(fā)熱量大的器件應(yīng)放置在最上邊,。 

5) 晶振與CPU時(shí)鐘輸入端,要相互靠近,; 

6) 易產(chǎn)生噪聲的器件,、小電流電路、大電流電路等應(yīng)盡量遠(yuǎn)離邏輯電路,,如果有可能,,應(yīng)分開做印制電路板; 

7) 盡可能縮短高頻元器件之間的連線,,設(shè)法減少它們的分布參數(shù)和相互間的電磁干擾,;易受干擾的元器件不能相互靠得太近,輸入和輸出元器件應(yīng)盡量遠(yuǎn)離,; 

8) 按功能模塊對(duì)電路板進(jìn)行分區(qū),,把有干擾的電源、接地層和其它功能區(qū)與無干擾的或靜態(tài)的區(qū)域分開,;每個(gè)功能模塊分區(qū)元器件放置應(yīng)相互靠近,,布線長(zhǎng)度最短; 

9) DC/DC模塊,、開關(guān)元器件和整流器應(yīng)盡可能靠近變壓器放置,; 

10) 電磁干擾濾波器要盡可能靠近電磁干擾源,并放在同一塊電路板上,; 

11) 調(diào)壓元器件和濾波電容器應(yīng)盡可能靠近整流二極管放置,; 

12) 印制電路板按頻率和電流開關(guān)特性分區(qū),噪聲元器件和非噪聲元器件距離盡量遠(yuǎn),; 

13) 對(duì)噪聲敏感的布線不要與大電流和高速開關(guān)線平行,; 

14) 連接器、接插件應(yīng)布置在電路板一側(cè),,盡量避免從兩側(cè)引出電纜,,減少共模輻射; 

3,、PCB布線抗干擾設(shè)計(jì) 

1) 電路板的層數(shù)根據(jù)系統(tǒng)電源網(wǎng)絡(luò),、強(qiáng)弱信號(hào)網(wǎng)絡(luò)等因素來確定;在電路板層數(shù)允許的情況下,,可設(shè)置獨(dú)立的電源層和地層,; 

2) 數(shù)字電路和模擬電路要分開接地,;數(shù)字電路的地可構(gòu)成閉環(huán)以提高抗干擾性能,地平面一般做接地處理,,并作為基本電平參考點(diǎn),,地平面屏蔽效果優(yōu)于電源平面,。 

3) 元器件布局后,,先布地線、電源線,、然后布高速信號(hào)線,;數(shù)字電路地線采用網(wǎng)格結(jié)構(gòu) 

4) 電源線應(yīng)盡量靠近地線,減小差模輻射的環(huán)路面積,,有利于減小電路間干擾,; 

5) 時(shí)鐘線與信號(hào)線之間用地線隔離,關(guān)鍵信號(hào)線之間用地線隔離,,減小環(huán)路面積,,可有效地抑制相鄰新號(hào)線路之間的耦合; 

6) 避免印制電路板導(dǎo)線的不連續(xù)性,,布線寬度不要突變,,防止導(dǎo)線阻抗突變引發(fā)信號(hào)反射和駐波,布線不要突然拐角,,避免直角和銳角布線,; 

7) 電源線和地線要盡量寬、短,、直,,以減小阻抗; 

8) 時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生器電路應(yīng)盡量靠近使用時(shí)鐘的器件,,時(shí)鐘線要盡量短,,晶振外殼要接地,石英晶體及對(duì)噪聲敏感器件下面不要走線,,用地線把時(shí)鐘區(qū)圈起來,; 

9) 電源線和地線加接去耦電容,盡量加寬電源導(dǎo)線寬度,,采用大面積接地,;電源輸入端跨接100uF左右的電解電容,每個(gè)IC處布置一個(gè)0.01uF的瓷片電容,。去耦電容值的選區(qū)可按C=1/f計(jì)算,,及10MHz取0.1uF,單片機(jī)系統(tǒng)一般取0.01uF—0.1uF,; 

10) 印制板中的接觸器,、繼電器,、按鈕等元器件,操作時(shí)易產(chǎn)生火花放電,,采用RC回路來吸收放電電流,,一般R取值1—2K,C取值2.2—4.7uF,; 

11) 單片機(jī)等芯片CMOS電路輸入阻抗很高,,且易受靜電感應(yīng),對(duì)不用的端口通過電阻接地或接正電源,; 

12) 高速信號(hào)布線的過孔孔徑盡量小,,高速并行線每根信號(hào)線的過孔數(shù)盡量保持相同; 

13) 避免有過長(zhǎng)的平行信號(hào)線,,頂層和底層的布線相互垂直,; 

14) 數(shù)字地與模擬地要分開,單點(diǎn)共地,; 

15) 光耦隔離處把原,、副隔離開; 

16) 變壓器,、開關(guān)電源,,高頻器件下面盡量不要走線。

推薦型號(hào):

SFT 2400: 125kHz / 5.0kV / 觸摸屏

SFT 2420: 2MHz / 4.8kV / 觸摸屏

SFT 1400-1: 125kHz / 5.0kV

SFT 1420-1: 2MHz / 4.8kV

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