1.CP測試的流程

       晶圓片放置在Chuck臺上并移動到相機采集圖像的位置,，根據(jù)采集到的圖像計算出晶圓的圓心位置,，晶粒排列方向,，然后旋轉Chuck臺使晶粒排列方向與X軸同向,；

       測試時移動Chuck臺使探針與晶粒焊盤準確接觸,，上位機向測試機發(fā)送開始測試信號,，測試機開始測試并將結果返回給上位機,，上位機根據(jù)測試結果決定是否進行重測或進行打點標記，完成一個晶粒的測試,；

       然后上位機控制Chuck臺移動至下一個晶粒位置繼續(xù)測試,；

       測完一行的晶粒后，向Y軸移動換一行直至測 全部晶粒,。

2.晶圓中心檢測

       為了獲取到晶圓的中心,，可連續(xù)在三個不同的位置進行晶圓邊界檢測，獲取三個邊界點A,、B和C,。然后分別做AB和BC的中垂線，根據(jù)三點定圓原理,，即可求出晶圓的圓心位置,。晶圓邊界的提取可分為三部分： 圖像二值化、圖像腐蝕,、邊緣提取,。

3.晶圓調(diào)平

       晶圓片放到Chuck臺上，晶粒排列方向與X軸運動方向存在一個傾角,，需要將晶圓擺正,，使晶粒的排列方向與X軸同向，這樣在進給運動的時候,，只需要做X向或Y向運動,，簡化了探針測試的運動控制。

       為了計算晶粒方向的傾角,，需要確定同一行內(nèi)兩個晶粒位置,，計算出兩個晶粒的X向位移d和Y向位移Δy，然后用公式tanθ=Δy/d計算出傾角,。然后旋轉R軸便可以實現(xiàn)晶圓調(diào)平,。

       中冷低溫研發(fā)的溫度卡盤TC系列是一款溫度范圍為-65℃到200℃氣冷型高低溫卡盤系統(tǒng)，主要由氣冷高低溫卡盤和氣冷溫控器組成,。系統(tǒng)具有寬泛的溫度控制范圍,、緊湊的冷卻套件、純空氣制冷,、高溫度精度與穩(wěn)定性控制等特性,，廣泛應用于八英寸及以下尺寸的半導體器件或晶圓的變溫電學性能關鍵參數(shù)分析,，如:功率器件建模測試、晶圓可靠性評估,、生產(chǎn)型變溫檢測,，變溫光電測試、射頻變溫測試等,。

關鍵特征:

·僅使用空氣冷卻一無液體或帕爾貼元件

·溫度范圍為-65℃到200℃

·模塊化系統(tǒng),，適合單獨測試的需要

·冷卻劑占地面積小,，節(jié)省空間

·兼容各大主流生產(chǎn)型或分析型探針臺

·可集成全套的軟硬件于一體