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IC載板制造商需要了解的光刻技術(shù)信息

來源:德國韋氏納米系統(tǒng)(香港)有限公司   2025年03月28日 15:31  

圖像轉(zhuǎn)移,也稱為光刻技術(shù)(或簡稱光刻),,在PCB的電路圖形方面發(fā)揮關(guān)鍵作用,。它能實(shí)現(xiàn)復(fù)雜和精確的連接,以支持在更小的區(qū)域?qū)崿F(xiàn)更多連接,。隨著對(duì)更高密度的電路板和更小線寬間距的需求不斷增加,,線路必須以高精度和均勻度制成。  

針對(duì)先進(jìn)應(yīng)用,,各種先進(jìn)IC載板(ICS),,如條狀覆晶 - 芯片尺寸封裝(FC-CSP)和覆晶芯片球柵陣列(FC-BGA)需要高分辨率和準(zhǔn)確度。

光刻對(duì)于先進(jìn)IC載板 - 其特點(diǎn)是單元尺寸大,,層數(shù)高和細(xì)線路 - 圖形轉(zhuǎn)移為制造商帶來了的挑戰(zhàn),,特別是在表面高低不均的情況下成像,。IC載板制造商必須制造極細(xì)的圖形,這需要出色的對(duì)位精度和覆蓋精度,。

 

概括地說,,制造商面臨著三個(gè)關(guān)鍵挑戰(zhàn):

    • 實(shí)現(xiàn)均勻細(xì)線路,避免拼接問題


    • 提高層與層的對(duì)位精度


    • 保持高產(chǎn)能和效率

 

線寬品質(zhì)

隨著IC載板架構(gòu)復(fù)雜度的增加,,層數(shù)增多,,更大的主體,x-y軸的失真和高低差的變化(z軸)給IC載板制造帶來了重大挑戰(zhàn),。更具體地說,,當(dāng)對(duì)先進(jìn)載板成像時(shí),拼接問題(即線寬/間距的偏移或偏差)因表面高低不平而加劇,,導(dǎo)致良率下降,。

先進(jìn)的板級(jí)封裝技術(shù)需具有

出色精度的超精細(xì),、高度均勻的線條

 

現(xiàn)有的解決方案(如數(shù)字微鏡器件(DMD),、直接成像(DI)和Stepper)無法解決這兩種挑戰(zhàn)。高且連續(xù)的景深(DOF)和先進(jìn)的補(bǔ)償機(jī)制是克服這兩種挑戰(zhàn)的必要條件,。

 

此外,,對(duì)于高頻應(yīng)用,線寬均勻度和邊緣粗糙度帶來了額外的挑戰(zhàn),,因?yàn)楸3志€路均勻性是實(shí)現(xiàn)最佳傳輸和信號(hào)完整的關(guān)鍵,。

 

 

層間對(duì)位,實(shí)現(xiàn)更高精度

隨著封裝功能的增加,,優(yōu)化層間對(duì)位至關(guān)重要,,通過較小的焊盤設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)更多的IO(及連續(xù)的凸點(diǎn))。通過實(shí)現(xiàn)先進(jìn)的漲縮演算法和高精度的平臺(tái)可以實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),。同時(shí),,對(duì)位優(yōu)化不影響載板尺寸。

漲縮算法可以幫助實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的層間對(duì)齊

 

 

產(chǎn)能和效率

產(chǎn)能和效率是縮短上市時(shí)間 (TTM) 和低擁有成本 (COO) 的關(guān)鍵,。增加區(qū)域或分區(qū)的數(shù)量,,特別是在先進(jìn)的 FC-CSP 和模塊中,會(huì)降低設(shè)備產(chǎn)能,,增加制造成本,。此外,對(duì)于先進(jìn)的 FC-BGA,,目前使用的主要影像轉(zhuǎn)移解決方案是Stepper,,需要光罩,從而導(dǎo)致更長的上市時(shí)間和較高的成本,。

 

 

KLA 對(duì) IC 載板光刻工藝的方法

KLA 的產(chǎn)品組合包括多種直接成像解決方案,,旨在應(yīng)對(duì)當(dāng)前和未來的光刻挑戰(zhàn),。我們的 Corus™ 直接成像平臺(tái)的市場證明了其作為一種靈活高效的成像解決方案的優(yōu)秀能力。

 

對(duì)于先進(jìn)的 IC 載板應(yīng)用,,KLA 的 Serena™ 平臺(tái)剛剛推出,,代表了超越Stepper的新光刻平臺(tái)類別。這種創(chuàng)新的數(shù)字解決方案專為大尺寸,、高層數(shù)有機(jī)內(nèi)層的細(xì)線圖形設(shè)計(jì),,提高了精度和良率。

 

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