干法刻蝕的工藝參數(shù),，一般指刻蝕條件中可以被調(diào)整的條件項目。即,，刻蝕條件中的工藝氣體的流量,、各工藝氣體之間的比例、腔體的壓力,、腔體上下電極上設(shè)定的功率,、下部電極的溫度(及腔壁的設(shè)定溫度)、終點檢測系統(tǒng)中檢測窗口的設(shè)定參數(shù),。 通常我們利用工藝參數(shù)與刻蝕參數(shù)之間的關(guān)系,，來制定可以滿足規(guī)格圖形需要的刻蝕條件。比如,，對于一些尺寸規(guī)格較小的接觸孔圖形,，在干法刻蝕的過程中，常會出現(xiàn)中途刻蝕停止的現(xiàn)象,，這往往是由于反應(yīng)聚合物在孔內(nèi)側(cè)壁聚積引起的,。由于接觸孔的孔徑較小，內(nèi) 壁上聚合物的堆積回阻止等離子自由活性激團進一步進入孔的底部,，最終導(dǎo)致刻蝕停止,。針對這種的情況，我們可以適當增加下部電極的功率和降低淀積氣體的比例來進行改善,。下部電極功率參數(shù)可以增加等離子的直進性,，也就是物理異方性，達到垂直刻蝕的效果,，這樣可 以減少內(nèi)壁上的反應(yīng)聚合物的淀積,。另外，降低淀積氣體的比例,，是指刻蝕條件中對于淀積氣體的設(shè)定,。所胃淀積氣體，是指相對于與表面材料發(fā)生反應(yīng)的主刻蝕氣體外的輔助氣體,，它們可以在刻蝕反應(yīng)中,，幫助產(chǎn)生一些容易淀積的聚合物，反應(yīng)聚合物淀積在側(cè)壁上,，保護側(cè)壁不被刻蝕,，從而確保良好的刻蝕形狀。但適當降低該氣體的比例,，可以改善刻蝕停止的問題,。

然而，任何一個工藝參數(shù)的變化都會引起刻蝕參數(shù)的變化,。如,，功率變化或氣體比例的變化,，會引起刻蝕速率的變化。硅片面內(nèi)各點的速率變化了,，意味著面內(nèi)的均一性會發(fā)生變化,。同時，隨著速率的變化,，相對于某種表面材料的選擇比也發(fā)生了變化,。因此說，工藝參 數(shù)和刻蝕參數(shù)之間有著密切的關(guān)系,。我們雖然推斷,，通過改變某些工藝參數(shù)可能改善圖形或解決刻蝕中出現(xiàn)的問題。但是,，我們必須制定出適當?shù)墓に嚄l件,。比如，按如上的分析,，我們增加了下部電極的功率,，刻蝕停止的問題可能解決了。但由于功率的增加,，刻蝕速率變快 了,，光刻膠對于該刻蝕材料的選擇比降低了，導(dǎo)致整個孔徑尤其是開口處的尺寸或形狀惡化了,。這樣的條件,，解決了停止問題，卻仍然不能在生產(chǎn)中應(yīng)用,。因此說,，調(diào)整工藝參數(shù)是一個權(quán)衡利弊，掌握平衡的過程,。掌握工藝參數(shù)與刻蝕參數(shù)之間的關(guān)系非常重要,，它可以幫助 我們較為全面的判斷和制定出一個完善的工藝條件。

所以,，制定刻蝕條件是一種技能,。一個優(yōu)秀的刻蝕工藝工程師，可以在較短的時間內(nèi)通過準確的數(shù)據(jù)分析和判斷,，確立并完善刻蝕條件,，使之應(yīng)用在生產(chǎn)中，解決實際的生產(chǎn)問題,。關(guān)于工藝參數(shù)和刻蝕參數(shù)的具體取樣、分析及最終圖形確認的研究,，將于下一章節(jié),，在金 屬刻刻蝕的具體課題研究中,，進行詳細的闡述。