介質(zhì)阻擋放電通常是由正弦波型（sinusoidal）的交直流高電壓放大器驅(qū)動(dòng),，隨著供給電壓的升高,，系統(tǒng)中反應(yīng)氣體的狀態(tài)會(huì)經(jīng)歷三個(gè)階段的變化,，即會(huì)由絕緣狀態(tài)（insulation）逐漸至放電（breakdown）最后發(fā)生擊穿。在系統(tǒng)中常用頻率范圍在50Hz~1MHz之間,，此時(shí)就需要一款合適的高電壓放大器為為系統(tǒng)提供動(dòng)能,，今天Aigtek安泰電子就為大家介紹一下介質(zhì)阻擋放電高電壓放大器ATA-2082測(cè)試系統(tǒng)的原理。

　　基本原理：

　　介質(zhì)阻擋放電,，是把絕緣介質(zhì)插入放電空間的一種非平衡態(tài)氣體放電,，其阻擋介質(zhì)通常為玻璃、聚四氟乙烯,、陶瓷等絕緣材料，有效抑制氣隙內(nèi)電流的無限增長,，避免放電過渡到火花放電,。其可以在高氣壓和寬頻率范圍內(nèi)工作，產(chǎn)生大體積,、高能量密度的低溫等離子體,，且不需要真空設(shè)備就能在室溫或接近室溫條件下獲得活性粒子。

　　當(dāng)供給的電壓比較低時(shí),，雖然有些氣體會(huì)有一些電離和游離擴(kuò)散,，但因含量太少電流太小，不足以使反應(yīng)區(qū)內(nèi)的氣體出現(xiàn)等離子體反應(yīng),，此時(shí)的電流為零,。隨著供給電壓的逐漸提高，反應(yīng)區(qū)域中的電子也隨之增加，但未達(dá)到反應(yīng)氣體的擊穿電壓（breakdownvoltage;avalanchevoltage）時(shí),，兩電極間的電場(chǎng)比較低無法提供電子足夠的能量使氣體分子進(jìn)行非彈性碰撞,，缺乏非彈性碰撞的結(jié)果導(dǎo)致電子數(shù)不能大量增加。

　　因此,，反應(yīng)氣體仍然為絕緣狀態(tài),，無法產(chǎn)生放電，此時(shí)的電流隨著電極施加的電壓提高而略有增加,，但幾乎為零,。若繼續(xù)提高供給電壓，當(dāng)兩電極間的電場(chǎng)大到足夠使氣體分子進(jìn)行非彈性碰撞時(shí),，氣體將因?yàn)殡x子化的非彈性碰撞而大量增加,，當(dāng)空間中的電子密度高于一臨界值時(shí)及帕邢（Paschen）擊穿電壓時(shí)，便產(chǎn)生許多微放電絲（microdischarge）導(dǎo)通在兩極之間,，同時(shí)系統(tǒng)中可明顯觀察到發(fā)光（luminous）的現(xiàn)象此時(shí),，電流會(huì)隨著施加的電壓提高而迅速增加。

　　研究實(shí)例：

　　DBD技術(shù)有重要的環(huán)保價(jià)值,，在放電過程中會(huì)產(chǎn)生大量化學(xué)性質(zhì)活躍的自由基和準(zhǔn)分子,，它們和其它原子、分子或其它自由基發(fā)生反應(yīng),，形成穩(wěn)定的原子或分子,。可利用該特性處理廢氣,，降解污染物,、殺菌消毒燈。DBD可用于材料表面改性等方面,，作用深度范圍材料表面幾納米-幾百納米,，能在不影響基體性能的前提下改善材料表面的物理化學(xué)性能。DBD可用于制成準(zhǔn)分子輻射光源,，如紫外準(zhǔn)分子燈,、無汞熒光燈、等離子體顯示屏等,。

　　為了滿足介質(zhì)阻擋放電測(cè)試系統(tǒng)的電壓,、功率、頻率需求,，我們選擇ATA-2082高電壓放大器來為系統(tǒng)提供動(dòng)能,，指標(biāo)參數(shù)具體如下：

　　ATA-2082高壓放大器除了在材料無損檢測(cè)領(lǐng)域，在壓電陶瓷,，微流控細(xì)胞分選,、發(fā)光二極管等眾多領(lǐng)域都有著廣泛應(yīng)用，具體案例歡迎持續(xù)關(guān)注我們，我們將在日后逐一為大家分享,。

　　本資料由Aigtek安泰電子整理發(fā)布,，更多案例及產(chǎn)品詳情請(qǐng)持續(xù)關(guān)注我們。西安安泰電子是專業(yè)從事功率放大器,、高壓放大器,、功率放大器模塊、功率信號(hào)源,、射頻功率放大器,、前置微小信號(hào)放大器、高精度電壓源,、高精度電流源等電子測(cè)量儀器研發(fā),、生產(chǎn)和銷售的高科技企業(yè)，為用戶提供具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案,。Aigtek已經(jīng)成為在業(yè)界擁有廣泛產(chǎn)品線,，且具有相當(dāng)規(guī)模的儀器設(shè)備供應(yīng)商，樣機(jī)都支持免費(fèi)試用,。