半導(dǎo)體材料的霍爾效應(yīng)是表征和分析半導(dǎo)體材料的重要手段,，可根據(jù)霍爾系數(shù)的符號判斷材料的導(dǎo)電類型,?；魻栃?yīng)本質(zhì)上是運(yùn)動的帶電粒子在磁場中受洛侖茲力作用引起的偏轉(zhuǎn),，當(dāng)帶電粒子(電子或空穴)被約束在固體材料中,，這種偏轉(zhuǎn)就導(dǎo)致在垂直于電流和磁場的方向上產(chǎn)生正負(fù)電荷的聚積,，形成附加的橫向電場。

根據(jù)霍爾系數(shù)及其與溫度的關(guān)系可以計算載流子的濃度,，以及載流子濃度同溫度的關(guān)系,，由此可以確定材料的禁帶寬度和雜質(zhì)電離能;通過霍爾系數(shù)和電阻率的聯(lián)合測量能夠確定載流子的遷移率，用微分霍爾效應(yīng)法可測縱向載流子濃度分布;測量低溫霍爾效應(yīng)可以確定雜質(zhì)補(bǔ)償度,。與其他測試不同的是霍爾參數(shù)測試中測試點多,、連接繁瑣，計算量大，需外加溫度和磁場環(huán)境等特點,。

錦正茂霍爾效應(yīng)測試儀,，是用于測量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率,、電阻率,、霍爾系數(shù)等重要參數(shù)，而這些參數(shù)是了解半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必須預(yù)先掌控的,，因此是理解和研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必*的工具,。

該儀器為性能穩(wěn)定、功能強(qiáng)大,、性價比高的霍爾效應(yīng)儀,在國內(nèi)高校,、研究所及半導(dǎo)體業(yè)界擁有廣泛的用戶和知*度。儀器輕巧方便,，易于攜帶,，主要用于量測電子材料之重要特性參數(shù)，如載流子濃度,、遷移率,、電阻率、霍爾系數(shù)等,，薄膜或固體材料均可,。

可測試材料: 

半導(dǎo)體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料，低阻抗材料：石墨烯,、金屬,、透明氧化物、弱磁性半導(dǎo)體材料,、TMR 材料,，高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等。