靜電放電(ESD)理論研究的已經(jīng)相當成熟,為了模擬分析靜電事件,,前人設計了很多靜電放電模型,。
常見的靜電模型有:人體模型(HBM),,帶電器件模型,場感應模型,場增強模型,機器模型和電容耦合模型等,。芯片級一般用HBM做測試,而電子產(chǎn)品則用IEC 6 1000-4-2的放電模型做測試,。為對 ESD 的測試進行統(tǒng)一規(guī)范,,在工業(yè)標準方面,歐共體的 IEC 61000-4-2 已建立起嚴格的瞬變沖擊抑制標準,;電子產(chǎn)品必須符合這一標準之后方能銷往歐共體的各個成員國,。
因此,大多數(shù)生產(chǎn)廠家都把 IEC 61000-4-2看作是 ESD 測試的事實標準,。我國的國家標準(GB/T 17626.2-1998)等同于IEC 61000-4-2,。大多是實驗室用的靜電發(fā)生器就是按 IEC 61000-4-2的標準,分為接觸放電和空氣放電,。放電頭按接觸放電和空氣放電分尖頭和圓頭兩種。
靜電放電主要電流是一個上升沿在1nS左右的一個上升沿,,要消除這個上升沿要求ESD保護器件響應時間要小于這個時間,。靜電放電的能量主要集中在幾十MHz到500MHz,很多時候我們能從頻譜上考慮,,如濾波器濾除相應頻帶的能量來實現(xiàn)靜電防護
當集成電路( IC )經(jīng)受靜電放電( ESD)時,,放電回路的電阻通常都很小,無法限制放電電流,。例如將帶靜電的電纜插到電路接口上時,,放電回路的電阻幾乎為零,造成高達數(shù)十安培的瞬間放電尖峰電流,,流入相應的 IC 管腳,。瞬間大電流會嚴重損傷 IC ,局部發(fā)熱的熱量甚至會融化硅片管芯,。ESD 對 IC的損傷還包括內(nèi)部金屬連接被燒斷,,鈍化層受到破壞,晶體管單元被燒壞,。
ESD 還會引起 IC 的死鎖( LATCHUP),。這種效應和 CMOS 器件內(nèi)部的類似可控硅的結構單元被激活有關。高電壓可激活這些結構,形成大電流信道,,一般是從 VCC 到地,。串行接口器件的死鎖電流可高達 1A 。死鎖電流會一直保持,,直到器件被斷電,。不過到那時, IC 通常早已因過熱而燒毀了,。
相關產(chǎn)品
免責聲明
- 凡本網(wǎng)注明“來源:化工儀器網(wǎng)”的所有作品,,均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡有限公司-化工儀器網(wǎng)合法擁有版權或有權使用的作品,未經(jīng)本網(wǎng)授權不得轉載,、摘編或利用其它方式使用上述作品,。已經(jīng)本網(wǎng)授權使用作品的,應在授權范圍內(nèi)使用,,并注明“來源:化工儀器網(wǎng)”,。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關法律責任,。
- 本網(wǎng)轉載并注明自其他來源(非化工儀器網(wǎng))的作品,,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點和對其真實性負責,,不承擔此類作品侵權行為的直接責任及連帶責任,。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉載時,,必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來源,,并自負版權等法律責任。
- 如涉及作品內(nèi)容,、版權等問題,,請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關權利,。