tanδ測量的意義

通過測量 tanδ,，可以反映出絕緣的一系列缺陷,，如絕緣受潮，油或浸漬劑臟污或老化變質(zhì),，絕緣中有氣隙發(fā)生放電等,。這時，流過絕緣的電流中有功電流分量增大了,，tanδ也加大,。絕緣中存在氣隙這種缺陷，最好通過做tanδ與外加電壓的關(guān)系曲線tanδ~U 來發(fā)現(xiàn),。例如對于電機線棒,，如果絕緣老化，氣隙較多,，則tanδ~U將呈明顯的轉(zhuǎn)折,，如圖所示。Uc代表較多氣隙開始放電時的外加電壓，從tanδ增加的陡度可反映出老化的程度,。

tanδ~U關(guān)系曲線

測量tanδ用的西林電橋

西林電橋的基本線路如圖所示，圖中被試品用Cx,、Rx表示,，C為標(biāo)準(zhǔn)電容器(tanδ≈0)，G為檢流計,，R3和C4,、R4為電橋的低壓臂。當(dāng)被試品兩端均不接地時,，用圖中（a）所示的正接法,。在正接法中電橋D點直接接地，操作時比較安全,。由于通常運行中的電氣設(shè)備一端都是接地的,，因而這時就不得不用圖(b)所示的反接法。這時電橋調(diào)節(jié)部分是處于高電位之下,，應(yīng)放入法拉第籠內(nèi)并對地絕緣,。如電橋工作電壓僅為10kV，可不用法拉第籠,，為了保證人身安全，R3,、C4的調(diào)節(jié)手柄用的是絕緣柄,，耐壓15kV以上，同時,，電橋的帶高電位部分都放在接地的屏蔽箱內(nèi)。需注意的是這時從電橋接到被試品和標(biāo)準(zhǔn)電容器的引線都是帶高壓的,，這是因為電橋調(diào)節(jié)部分兩端的電壓通常只有幾伏，電源高壓實際上加在Cx,、Rx上,，上述引線的對地電位與電源電壓基本相同。

圖1 西林電橋的基本線路

（a）正接法（b）反接法

橋臂對地雜散電流的影響

上圖電路表示的是一種理想情況,，也就是不計任何雜散或干擾電流對電橋的影響。

要在實際上達到這一點,，就必須注意橋臂對地雜散電流的影響(主要是雜散電容電流的影響),。由于R3和Z4數(shù)值小，正接法中雜散電容和它們并聯(lián)產(chǎn)生的分流影響較??；反接法則不然,。由于試品Cx和CN阻抗較大，特別是當(dāng)Cx較小時,，雜散電容的分流影響不能忽視。解決的辦法是：除電橋本身采用屏蔽外,，電橋至試品和CN的連接線應(yīng)采用屏蔽線,，如上圖所示。屏蔽接在D點,，這樣,，由屏蔽流出的對地雜散電流直接由電源供給，不再流過橋臂對電橋平衡條件沒有影響,。除采用屏蔽及屏蔽線外,，在反接法線路中,，還需要注意CN,、Cx的引線及端部各部分表面的絕緣電阻，保持端部絕緣表面干燥,、清潔,，以消除雜散電流的影響。

圖2 電橋的屏蔽

（a）屏蔽帶平衡回路（b）橋臂與屏蔽間接運算放大器