一、研究背景

隨著我國加快實現(xiàn)“碳達峰,、碳中和”的目標,，電氣化替代已成為實現(xiàn)目標的關(guān)鍵。近年來新能源呈爆發(fā)式增長,，充電樁作為新能源汽車的基礎(chǔ)配套設(shè)備,，其數(shù)量與質(zhì)量也是消費者選擇電動汽車的重要影響因素。當前,，MOSFET在國內(nèi)充電樁企業(yè)批量應(yīng)用,，是新能源汽車充電樁的“心臟”。

MOSFET即金屬－氧化物－半導體場效應(yīng)晶體管,，簡稱MOS管,，主要有三個引腳：漏極、源極和柵極,，屬于絕緣柵型,，其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻,。

二,、為什么要測試MOSFET的好壞？

在充電樁中，開關(guān)電源是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置,，MOS管可以利用電場效應(yīng)來控制其電流大小,，當使用有故障的MOS管時，會發(fā)生漏極到柵極的短路,，對電路有害,，而MOS管是實現(xiàn)電能高效率轉(zhuǎn)換，確保充電樁穩(wěn)定不過熱的關(guān)鍵器件,。

具體測試方案如下：

1,、測試對象

（為保護客戶信息安全，圖片來源于網(wǎng)絡(luò),，僅供參考）

2,、測試要求

VGS:20V左右，VDS：0-1000V,，做來料檢測,，需要能呈現(xiàn)MOS產(chǎn)品規(guī)格書里的C-V特性曲線，測試輸入,、輸出,、反向傳輸電容。

3,、測試過程

MOSFET或IGBT最重要的四個寄生參數(shù)：Ciss,、Coss、Crss,、Rg,，Cies、Coes,、Cres,、Rg均可一鍵測試，TH510系列半導體C-V特性分析儀10.1寸大屏可同時將測量結(jié)果,、等效電路圖,、分選結(jié)果等重要參數(shù)同時顯示，一目了然,。

一鍵測試單管器件器件時,，無需頻繁切換測試腳位、測量參數(shù),、測量結(jié)果,，大大提高了測試效率。

三,、TH510系列半導體C-V特性分析儀

1,、列表測試,，多個、多芯,、模組器件測量參數(shù)同屏顯示

TH510系列半導體C-V特性分析儀支持最多6個單管器件,、6芯器件或6模組器件測試，所有測量參數(shù)通過列表掃描模式同時顯示測試結(jié)果及判斷結(jié)果,。

2,、曲線掃描功能（選件）

在MOSFET的參數(shù)中，CV特性曲線也是一個非常重要的指標,，如下圖

TH510系列半導體C-V特性分析儀支持C-V特性曲線分析,，可以以對數(shù)、線性兩種方式實現(xiàn)曲線掃描,，可同時顯示多條曲線：同一參數(shù),、不同Vg的多條曲線；同一Vg,、不同參數(shù)多條曲線,。

3、接觸檢查（Contact）功能,，提前排除自動化測試隱患

在高速測試特別是自動化測試中,，經(jīng)常會由于快速插拔或閉合,，造成測試治具或工裝表面磨損而接觸不良,，接觸不良造成的最直接后果是誤判測試結(jié)果而難以發(fā)現(xiàn)，在廢品率突然增加或發(fā)出產(chǎn)品故障原因退回時才會發(fā)現(xiàn),，因此是一個極大的隱患,。

同惠TH510系列半導體C-V特性分析儀采用了硬件測試方法，可及時發(fā)現(xiàn)接觸不良故障,，出現(xiàn)故障之后自動停止測試并在測試界面提供接觸不良點提示,。

保障了結(jié)果的準確性，同時利于客戶及時發(fā)現(xiàn)問題,，避免了不良品率提高及故障品退回等帶來的損失,。

4、快速通斷測試（OP_SH）,，排除損壞器件

在半導體器件特性測試時,，由于半器件本身是損壞件，特別是多芯器件其中一個芯已經(jīng)損壞的情況下,，測試雜散電容仍有可能被為合格,，而半導體器件的導通特性才是最重要的特性。

因此,，對于本身導通特性不良的產(chǎn)品進行C-V特性測試是沒有必要的,，不僅僅浪費了測量時間,，同時會由于C-V合格而混雜在良品里，導致成品出貨后被退回帶來損失,。

TH510系列半導體C-V特性分析儀提供了快速通斷測試（OP_SH）功能,，可用于直接判斷器件本身導通性能。

5,、模組式器件設(shè)置,，支持定制

針對模組式器件如雙路（Dual）MOSFET、多組式IGBT,，有些器件會有不同類型芯片混合式封裝,；TH510系列CV特性分析儀針對此情況做了優(yōu)化，常見模組式芯片Demo已內(nèi)置,，特殊芯片支持定制,。