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愛安德介紹半導(dǎo)體曝光設(shè)備原理
半導(dǎo)體曝光設(shè)備由光源,、聚光透鏡、光掩模,、投影透鏡和載物臺組成,。從光源發(fā)出的紫外光通過聚光透鏡調(diào)整,，使其指向同一方向。之后,，紫外光穿過作為構(gòu)成電路圖案的一層的原型的光掩模,，并通過投影透鏡減少光線，將半導(dǎo)體元件的電路圖案（的一層）轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體元件上,。馬蘇,。在諸如步進(jìn)機之類的曝光設(shè)備中，在完成一次轉(zhuǎn)移之后,，通過平臺移動硅晶片,，并將相同的電路圖案轉(zhuǎn)移到硅晶片上的另一位置。通過更換光掩模,，可以轉(zhuǎn)印半導(dǎo)體器件的另一層電路圖案,。
所使用的光源包括波長為248 nm的KrF準(zhǔn)分子激光器、波長為193 nm的ArF準(zhǔn)分子激光器以及波長為13 nm的EUV光源,。
最新半導(dǎo)體制造工藝的設(shè)計規(guī)則（最小加工尺寸）越來越細(xì)化至3至5納米左右,，因此聚光透鏡、光掩模,、投影透鏡和平臺都需要納米級的高精度,。此外，隨著層壓的進(jìn)行，進(jìn)行多次曝光以改變電路圖案并形成單個半導(dǎo)體,。
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