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愛安德分享半導(dǎo)體曝光設(shè)備的應(yīng)用

來(lái)源:愛安德商貿(mào)(深圳)有限公司   2024年08月30日 19:15  

愛安德分享半導(dǎo)體曝光設(shè)備的應(yīng)用

半導(dǎo)體曝光裝置用于包含MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)、FET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)等半導(dǎo)體元件的IC(集成電路)的制造工序中的曝光工序,。

在IC制造過(guò)程中,,在硅晶片上依次重復(fù)光刻和蝕刻循環(huán),,并且在將氧化硅,、金屬等層層壓并加工成預(yù)定圖案的過(guò)程中,,半導(dǎo)體元件所需的特性被加工為執(zhí)行得如此,,它已經(jīng) .例如,,在n型MOS(NMOS)的情況下,,在p型硅基板的柵極區(qū)域上形成氧化硅膜和柵極金屬,并且將高濃度的雜質(zhì)離子注入到漏極和源極中,。這形成了n型(n+型)MOS,。這一系列工序中的光刻工序和蝕刻工序如圖所示地構(gòu)成(成膜工序S1~抗蝕劑剝離工序S6)。

半導(dǎo)體曝光設(shè)備

其中,,曝光工序(S3)使用半導(dǎo)體曝光裝置來(lái)進(jìn)行,。根據(jù)電路圖案的尺寸和半導(dǎo)體元件的精度,使用不同的曝光設(shè)備波長(zhǎng),。


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