霍爾效應測試儀,,是用于測量半導體材料的載流子濃度,、遷移率、電阻率,、霍爾系數(shù)等重要參數(shù),而這些參數(shù)是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的,,因此是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性必*的工具,。霍爾效應測試儀主要用于測量電子材料之重要特性參數(shù),,如載流子濃度,、遷移率、電阻率,、霍爾系數(shù)等,,薄膜或固體材料均可。
儀器系統(tǒng)構(gòu)成:電磁鐵,、高精度電源,、高斯計、高精度恒流源,、高精度電壓表,、霍爾探頭、電纜,、標準樣品,、樣品安裝架、系統(tǒng)軟件,。
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技術(shù)參數(shù):
* 電磁鐵磁場:間距 10mm情況下10700 高斯,間距20mm 情況下7000 高斯
*樣品電流:50nA~50mA(*小可調(diào)節(jié)電流為 0.1nA)
*測量電壓:0.1uV~30V
* 提供各類測試標準材料,各級別霍爾器件(靈敏度與精度不同)
*分辨率:低至1GS
*磁場范圍:0-±1T
*配合高斯計或數(shù)采板可與計算機通訊
* I-V 曲線及 I-R 曲線測量等 ▲ 電阻率范圍:5*10-5~5*102Ω.cm
*電阻范圍:10mOhms~ 6MOhms
*載流子濃度:5*1012~5*1020cm-3
*霍爾系數(shù):±1*10-2~±1*106cm3/C
*遷移率:0.1~108cm2/volt*sec
*測試全自動化,一鍵處理
*專業(yè)的歐姆接觸組合套件
可測試材料:
半導體材料:SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料,,低阻抗材料:石墨烯,、金屬、透明氧化物、弱磁性半導體材料、TMR 材料,高阻抗材料:半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等
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