當(dāng)PLEIGER反饋開關(guān)1206   9321209620管截止后因漏感引起的振玲會(huì)隨漏感的增大而使電壓跌得更低,，

更低的電壓回復(fù)需要更長的時(shí)間,，

VDS的波形此時(shí)和VCC的波形是同步的，

PSR檢測電壓是通過IC內(nèi)部延時(shí)4~6uS避開這個(gè)振玲來檢測后面相對(duì)平滑的電壓,，

電壓恢復(fù)時(shí)間過長導(dǎo)致IC檢測開始時(shí)檢測到的是振玲處的電壓，

最總導(dǎo)致的結(jié)果是輸出電壓不穩(wěn)定,，甚至蕩機(jī)。

當(dāng)然也有因變壓器漏感比較小,，無此電阻也可以正常工作,，但一致性較難控制。

此電阻的取值與RCD回路和EMC噪音有關(guān),，

一般建議取值為150~510R,推薦使用220~330R，D2建議使用恢復(fù)時(shí)間較慢的1N4007

具體可根據(jù)漏感結(jié)合RCD來調(diào)試,。

2. Vcc供電和電壓檢測回路,即：D3,R3,R4,R10,C2

R4與R10的取值是根據(jù)IC的VFB來計(jì)算的,。

但阻值取值對(duì)一般USB直接輸出的產(chǎn)品來說,，以IFB=0.5mA左右來計(jì)算,。

若為帶線式產(chǎn)品，因考慮到線損帶來的負(fù)載調(diào)整率差,，

可保持VFB電壓不變,，同時(shí)增大R4和R10的阻值，減小IFB的電流,，

具體IFB的電流取值需根據(jù)輸出線材的壓降來調(diào)試,，

如設(shè)計(jì)為5V/1A的產(chǎn)品，假設(shè)輸出空載為5.10V,，

調(diào)試的最佳狀態(tài)是負(fù)載0.5A時(shí),，輸出電壓達(dá)，如4.90V,，

再增加負(fù)載,，電壓會(huì)因IC內(nèi)部補(bǔ)償功能喚醒使輸出電壓回升，

當(dāng)負(fù)載達(dá)到1.0A時(shí),，輸出電壓回升到5.10V左右,。

之前有做過一款輸出5V/1A線長3.5米的產(chǎn)品，設(shè)計(jì)時(shí)IFB=0.15mA,，

輸出空載在5.15V左右,，負(fù)載0.5A時(shí)輸出為4.85V左右，負(fù)載1A時(shí)輸出為5.14V左右,。

聽很多PSR IC的FAE說過,，PIN1腳的C5也有此功能，但實(shí)際應(yīng)用效果不明顯,。

D3應(yīng)該大家都知道要用恢復(fù)時(shí)間較快的FR107,。

R3和C2需取相對(duì)較小的值，

R3在VCC供電回路鐘有一定的抗沖擊和干擾的作用,，但相對(duì)PWM線路來講,，其取值需相對(duì)較小,，不大于10R，一般取2.2~4.7R,。

C2取值不大于10UF,，一般取4.7UF。

因?yàn)殡娫撮_啟和負(fù)載切換時(shí),，VFB的電壓會(huì)因C2的容量增大和R3的限流作用導(dǎo)致拉低,，從而使輸出產(chǎn)生電壓尖峰。

若更嚴(yán)重得導(dǎo)致PSR延時(shí)檢測開啟而VFB電壓仍未建立,，輸出的電壓尖峰會(huì)更高,。

3. 輸出回路,即：C3,C7,D5,R11,LED1

R11和LED1是輸出的假負(fù)載，為避免IC在空載進(jìn)入間歇模式導(dǎo)致輸出電壓不穩(wěn)定而設(shè)置的,。

D5的作用是防止回授失效而設(shè)置的過壓保護(hù),，一般取值為6.2V。

C3,C7不僅是輸出濾波,，而且需有足夠的容量來防止PSR IC在延時(shí)檢測未開啟前輸出電壓不受控而過沖,。

若容量不夠，會(huì)導(dǎo)致輸出電壓過沖而被D5鉗位,，被D5鉗位到6.2V后會(huì)導(dǎo)致反饋線圈的電壓也上升,，從而出現(xiàn)輸出電壓持續(xù)在6.2V左右，且有功率損耗,，D5會(huì)嚴(yán)重發(fā)熱,，但不會(huì)馬上損壞。

曾經(jīng)有人把這個(gè)D5去掉了,，測試發(fā)現(xiàn)電容容量小導(dǎo)致的過沖現(xiàn)象有,，但過沖后的電壓因?yàn)闆]有D5鉗位而正常了，

無Y不影響輸出紋波,，PSR線路的紋波一般都很小,，這也是輸出端不用加差模電感的主要原因，5V/1A一般控制在100mV以內(nèi)是沒問題的,，如果對(duì)紋波沒有要求,，量產(chǎn)品一般在65~85mV之間，如果采用稍好些的LOW ESR的電容,，在50mV以內(nèi)也是沒問題的,。

1. 因?yàn)镮C是內(nèi)阻圖騰驅(qū)動(dòng)MOS的，MOS導(dǎo)通需要10V以上,，所以圖騰的電壓要高于10V,，但因?yàn)閳D騰是直接驅(qū)動(dòng)MOS的，驅(qū)動(dòng)電壓太高不僅會(huì)增加驅(qū)動(dòng)的損耗而且會(huì)使EMI變差，IC的VCC和內(nèi)部的圖騰是相連的,，所以VCC的電壓建議取15V左右,，保證在空載是最小值要大于10V。

2. 分壓電阻的VFB在IC的規(guī)格書上是定義2.0V的,，實(shí)際因?yàn)槁└械挠绊懞涂紤]到線損不補(bǔ)償,，所以還是需要再調(diào)節(jié)的。

線損的補(bǔ)償是會(huì)導(dǎo)致輸出電容端的電壓增大,，但VFB不會(huì)變?yōu)?.1V，因?yàn)檫@里的2.1是有效值,，舉個(gè)例：如果你的VFB分壓電阻有原來的100K:10K變?yōu)?0K:1K,，此時(shí)的VFB有效值電壓是不變的，但峰值電壓會(huì)變小,。在IC的規(guī)格書中沒有仔細(xì)的說明,，我的理解是這樣的，VFB端在IC內(nèi)部是有一個(gè)固定的RC電路再進(jìn)入比較器比較的,，所以在保持VFB電壓不變的情況下,，可以通過同時(shí)增大VF端的分壓電阻來調(diào)節(jié)補(bǔ)償電源，但分壓比例會(huì)有受VF端內(nèi)部的RC影響而有偏差,，比如：要使輸出電壓為5.0V,，原本采用的分壓電阻為10K和1K，同時(shí)增大分壓電阻后,，要使輸出電壓仍在5.0V,，分壓電阻可能會(huì)是90K和10K，而不是100K和10K,。