電子元器件恒溫試驗(yàn)方法高低溫恒溫恒濕試驗(yàn)箱：

工作原理：

電子器件在變溫變濕的條件下,，除了濕氣和雜質(zhì)會(huì)從封裝缺陷處侵入器件外,還由于濕度的變化會(huì)在熱膨脹不匹配處出現(xiàn)新的缺陷,而讓濕氣及雜質(zhì)進(jìn)一步侵入器件, 導(dǎo)致電性退化和結(jié)構(gòu)缺陷產(chǎn)生,。本試驗(yàn)主要考核在變溫變濕條件下,，器件防止?jié)駳饧半s質(zhì)侵入芯片損壞器件的能力,。

試驗(yàn)規(guī)定

要嚴(yán)格按照試驗(yàn)儀器“技術(shù)說(shuō)明書(shū)”操作順序操作,。

常規(guī)產(chǎn)品規(guī)定每季度做一次周期試驗(yàn),，試驗(yàn)條件及判據(jù)采用或等效采用產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn);新產(chǎn)品,、新工藝,、用戶(hù)特殊要求產(chǎn)品等按計(jì)劃進(jìn)行,。

采用LTPD的抽樣方法，在第一次試驗(yàn)不合格時(shí),，可采用追加樣品抽樣方法或采用篩選方法重新抽樣,，但無(wú)論何種方法只能重新抽樣或追加一次。

若LTPD=10%,，則抽22只,，0收1退，追加抽樣為38只,，1收2退,。抽樣必須在OQC檢驗(yàn)合格成品中抽取。

操作規(guī)范:

1)打開(kāi)電源開(kāi)關(guān)

2)根據(jù)試驗(yàn)要求設(shè)定程序運(yùn)行的狀態(tài)

MODEL1:STEP1: 25℃4h  STEP2: 65℃ 4h step P2

MODEL2:STEP1:25℃4h  STEP2:65℃ 4h step P1

RH根據(jù)要求設(shè)定,，

3) 啟動(dòng)狀態(tài);

4)160hrs,、即10cycles后關(guān)閉儀器，取出材料;

5)常溫下放置12h后,，48h之內(nèi)測(cè)試,。

試驗(yàn)條件及判據(jù):八、

環(huán)境條件

(1)標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)

標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)是指預(yù)處理,，后續(xù)處理及試驗(yàn)中的環(huán)境條件,。論述如下環(huán)境溫度:15~35°C45~75%相對(duì)濕度:

(2)判定狀態(tài)

判定狀態(tài)是指初測(cè)及終測(cè)時(shí)的環(huán)境條件。論述如下:

環(huán)境溫度:25±3℃

相對(duì)濕度:45~75%