在半導(dǎo)體行業(yè)中,，Bump,、RDL、TSV,、Wafer合稱先進(jìn)封裝的四要素,，其中Bump起著界面互聯(lián)和應(yīng)力緩沖的作用。

Bump是一種金屬凸點(diǎn)，從倒裝焊FlipChip出現(xiàn)就開始普遍應(yīng)用,，Bump的形狀有多種,，常見的為球狀和柱狀，也有塊狀等其他形狀,，下圖所示為各種類型的Bump,。

Bump起著界面之間的電氣互聯(lián)和應(yīng)力緩沖的作用，從Bondwire工藝發(fā)展到FlipChip工藝的過程中,，Bump起到了至關(guān)重要的作用,。隨著工藝技術(shù)的發(fā)展，Bump的尺寸也變得越來越小,，從最初 Standard FlipChip的100um發(fā)展到現(xiàn)在最小的5um,。

伴隨著工藝技術(shù)的高速發(fā)展，對(duì)于Bump的量測(cè)要求也不斷提高,，需要把控長(zhǎng)寬尺寸,，高度均勻性，亞納米級(jí)粗糙度,、三維形貌等指標(biāo),。

以粗糙度指標(biāo)為例,，電鍍工藝后的Cu 凸點(diǎn)表面粗糙并存在一定的高度差,，所以鍵合前需要對(duì)其表面進(jìn)行平坦化處理，如化學(xué)機(jī)械拋光(CMP),，使得鍵合時(shí)Cu 表面能夠充分接觸,，實(shí)現(xiàn)原子擴(kuò)散，由此可見把控Bump表面粗糙度是必*過程,。

為了貼合工藝制程,，積極響應(yīng)客戶Bump 計(jì)量需求，中圖儀器以高精度,、多功能合一等優(yōu)勢(shì)將自研量測(cè)設(shè)備推向眾多半導(dǎo)體客戶,。BOKI_1000系統(tǒng)支持鍵合、減薄,、翹曲和切割后的基板,，可以為包括切割后、預(yù)鍵合,、銅焊盤圖案化,、銅柱、凸塊（Bump）,、硅通孔（TSV）和再分布層（RDL）在內(nèi)的特征提供優(yōu)異的量測(cè)能力,。

Bump Metrology system—BOKI_1000