硅光是以光子和電子為信息載體的硅基電子大規(guī)模集成技術,，能夠突破傳統(tǒng)電子芯片的極限性能，是5G通信,、大數(shù)據(jù),、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新型產(chǎn)業(yè)的基礎支撐,。光纖到硅基耦合是芯片設計十分重要的一環(huán),，耦合質(zhì)量決定著集成硅光芯片上光信號和外部信號互聯(lián)質(zhì)量。耦合過程中最困難的地方在于兩者光模式尺寸不匹配,，硅光芯片中光模式約為幾百納米,，而光纖中則為幾個微米，幾何尺寸上巨大差異造成模場的嚴重失配,。準確測量耦合位置質(zhì)量及硅光芯片內(nèi)部鏈路情況,，對硅光芯片設計和生產(chǎn)都變得十分有意義。

光纖微裂紋診斷儀（OLI）對硅光芯片耦合質(zhì)量和內(nèi)部裂紋損傷檢測,，非常有優(yōu)勢,，可精準探測到光鏈路中每個事件節(jié)點，具有靈敏度高,、定位精準,、穩(wěn)定性高、簡單易用等特點,，是硅光芯片檢測很好的工具,。

OLI測試硅光芯片耦合連接處質(zhì)量

使用OLI測量硅光芯片耦合連接處質(zhì)量，分別測試正常和異常樣品,，圖1為硅光芯片耦合連接處實物圖,。

圖1硅光芯片耦合連接處實物圖

OLI測試結果如圖2所示,，圖2（a）為耦合正常樣品，圖2（b）為耦合異常樣品,。從圖中可以看出第一個峰值為光纖到硅基波導耦合處反射,，第二個峰值為硅基波導到空氣處反射，對比兩幅圖可以看出耦合正常的回損約為-61dB,，耦合異常,，耦合處回損較大，約為-42dB,，可以通過耦合處回損值來判斷耦合質(zhì)量,。

（a）耦合正常樣品

（b）耦合異常樣品

圖2 OLI測試耦合連接處結果

OLI測試硅光芯片內(nèi)部裂紋

使用OLI測量硅光芯片內(nèi)部情況，分別測試正常和內(nèi)部有裂紋樣品,，圖3為耦合硅光芯片實物圖,。

圖3.耦合硅光芯片實物圖

OLI測試結果如圖4所示，圖4（a）為正常樣品,，圖中第一個峰值為光纖到波導耦合處反射,，第二個峰值為連接處到硅光芯片反射，第三個峰為硅光芯片到空氣反射,；圖4（b）為內(nèi)部有裂紋樣品,，相較于正常樣品再硅光芯片內(nèi)部多出一個峰值，為內(nèi)部裂紋表現(xiàn)出的反射,。使用OLI能精準測試出硅光芯片內(nèi)部裂紋反射和位置信息。

（b）內(nèi)部有裂紋樣品

圖4.OLI測試耦合硅光芯片結果

因此,，使用光纖微裂紋診斷儀（OLI）測試能快速評估出硅光芯片耦合質(zhì)量,，并精準定位硅光芯片內(nèi)部裂紋位置及回損信息。OLI以亞毫米級別分辨率探測硅光芯片內(nèi)部,，可廣泛用于光器件,、光模塊損傷檢測以及產(chǎn)品批量出貨合格判定。