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霍爾效應(yīng)測(cè)試儀，是用于測(cè)量半導(dǎo)體材料的載流子濃度,、遷移率,、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù),，而這些參數(shù)是了解半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必須預(yù)先掌控的,，因此是理解和研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必*的工具。
該儀器為性能穩(wěn)定,、功能強(qiáng)大、性價(jià)比高的霍爾效應(yīng)儀,在國(guó)內(nèi)高校,、研究所及半導(dǎo)體業(yè)界擁有廣泛的用戶和知*度,。儀器輕巧方便，易于攜帶,，主要用于量測(cè)電子材料之重要特性參數(shù),，如載流子濃度、遷移率,、電阻率,、霍爾系數(shù)等，薄膜或固體材料均可,。
可測(cè)試材料:
半導(dǎo)體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料,，低阻抗材料：石墨烯、金屬,、透明氧化物,、弱磁性半導(dǎo)體材料,、TMR 材料，高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等,。
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