手機版
化工儀器網(wǎng)手機版
化工儀器網(wǎng)小程序
官方微信
公眾號：chem17
掃碼關(guān)注視頻號
相信很多朋友和小編一樣,，從各種場合無數(shù)次的看過如下的圖：
擊穿電壓隨襯底材料厚度的增加而增大,，隨摻雜濃度的減小而增大。
出事了，貌似與摻雜濃度的關(guān)系不大,，弱相關(guān),；且從圖上看貌似有蕞優(yōu)的摻雜濃度，此時擊穿電壓蕞大,。
為了澄清,，小編特意翻閱了公式，公式如下：
1,、非穿通結(jié)構(gòu),，擊穿電壓公式如下：
（1）
2、穿通結(jié)構(gòu),，擊穿電壓公式如下：
（2）
其中Emax為蕞大場強,，εs為半導(dǎo)體材料介電常數(shù)，q為單位電荷,，ND為襯底摻雜濃度,，Wp為襯底厚度。
其中硅材料蕞大場強Emax有如下公式：
（3）
以襯底厚度Wp=100um為例,，對擊穿電壓和摻雜濃度進(jìn)行了作圖,，如下：
摻雜濃度確實存在優(yōu)值，摻雜濃度2.5E13,，擊穿電壓蕞大,，為1663V。但擊穿電壓與摻雜濃度弱相關(guān),，當(dāng)摻雜濃度1E14（增大4倍）
時,，擊穿電壓為1323V，僅減小340V,。
以硅材料,，摻雜濃度1E14為例，對擊穿電壓和襯底厚度進(jìn)行了作圖,，如下：
擊穿電壓隨襯底厚度增加而增大,，但存在蕞大值。襯底摻雜濃度1E14,，襯底厚度為120um,，擊穿電壓最大，為1364V,。
小結(jié)如下：
1,、當(dāng)襯底摻雜濃度確定后，擊穿電壓有蕞大值,，計算用公式（1）,；
2,、當(dāng)襯底摻雜濃度確定后，襯底厚度有蕞大值,；再增大襯底厚度,，擊穿電壓飽和不變；
3,、當(dāng)襯底厚度一定時,，襯底摻雜濃度存在優(yōu)值，此時擊穿電壓蕞大,；
4,、當(dāng)襯底厚度一定時，摻雜濃度小于優(yōu)值,，擊穿電壓減?。?/p>
5,、當(dāng)襯底厚度一定時,，摻雜濃度大于優(yōu)值，擊穿電壓減小,。
總結(jié)如下：
1,、擊穿電壓隨襯底厚度增大而增大，但會飽和,；
2,、擊穿電壓與摻雜濃度弱相關(guān)，但存在優(yōu)值,，此時擊穿電壓蕞大,。
相關(guān)產(chǎn)品
免責(zé)聲明
- 凡本網(wǎng)注明“來源：化工儀器網(wǎng)”的所有作品，均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-化工儀器網(wǎng)合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品,，未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載,、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的,，應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用,，并注明“來源：化工儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者,，本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任,。
- 本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其他來源（非化工儀器網(wǎng)）的作品，目的在于傳遞更多信息,，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點和對其真實性負(fù)責(zé),，不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體,、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時,，必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來源，并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任,。
- 如涉及作品內(nèi)容,、版權(quán)等問題，請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,，否則視為放棄相關(guān)權(quán)利,。
采購中心