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掃描電鏡是利用精細聚焦的電子束照射在樣品表面,，電子束與樣品相互作用產(chǎn)生各種信號,，其中包括二次電子,、背散射電子,、特征X射線等不同能量的光子,，這些信號經(jīng)相應的探測器接收,，用于研究各種材料的微觀形貌,；配上能譜儀,、波譜儀等附件，可對材料元素成分進行分析,。
微區(qū)分析中,，掃描電鏡結(jié)合X射線能譜儀是微區(qū)形貌觀察和成分分析常用的手段。能譜儀在不損壞試樣的情況下,，可對樣品成分進行定性,、定量分析,，且分析速度快，靈敏度高,，在材料科學,、生物培養(yǎng)、醫(yī)學手術(shù),、地礦勘探等各個領域被廣泛應用,。
譜峰識別中常出現(xiàn)的問題
1 假峰
假峰是指能譜分析中由于脈沖重合和探測器的輻射損失等原因而產(chǎn)生的峰，主要包括以下幾種：逃逸峰,、和峰,、硅內(nèi)熒光峰、系統(tǒng)峰,。
由于探測器材料的熒光效應,，造成入射光電子能量損失引起的假峰，稱之為逃逸峰,。
逃逸峰的能量為入射特征峰減去探測器發(fā)射的X射線能量(硅逃逸峰的能量為1.734keV),。逃逸峰發(fā)生的概率隨著其主峰能量的增加而降低，其強弱相比于主峰存在著固定的比值,，硅探測器的固定比值從P Kα的1%下降到Zn Kα的0.01%,，硒探測器的固定比值從Se Kα的17%下降到Ru Kα的7%。入射X射線能量低于探測器材料的臨界激發(fā)能時不產(chǎn)生逃逸峰,，有的元素L譜峰同樣產(chǎn)生逃逸,。
和峰是由于兩個特征X射線光電子同時進入探測器無法分辨，而產(chǎn)生兩個特征X射線光子能量之和的假峰,，和峰的強度隨計數(shù)率的增加而增大,。
硅內(nèi)熒光峰是由探測器內(nèi)的熒光效應而不是由試樣被激發(fā)產(chǎn)生的譜峰。
系統(tǒng)峰主要是由于入射電子束中的非聚焦成分和/或試樣的背散射而激發(fā)試樣臺,、準直器,、樣品室部件及透鏡極靴等造成的假峰。
2 重疊峰
由于X射線能譜儀的能量分辨率較差,，目前來說性能較好的能譜儀,，其分辨率約為130~150eV，而元素的分析譜線分為K,，L,，M，N等線系,，比較復雜,，且各線系能量間隔小，尤其是在低能端,，輕元素的K線系(主要是Kα線)與重元素的L線系或M線系的某條譜線的能量差往往小于50eV,，各線系間互相干擾,，非常容易造成各譜線的相互重疊。
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