摘要

粉塵中游離二氧化硅對(duì)人體的傷害極大,，是引發(fā)矽肺病的主要因素之一，同時(shí)游離二氧化硅含量也是評(píng)價(jià)粉塵危害性質(zhì)的主要指標(biāo),?？諝夥蹓m中游離二氧化硅的檢測(cè)方法主要有焦磷酸法、紅外分光光度法,、X射線衍射法,，本文主要介紹焦磷酸法測(cè)定粉塵中游離二氧化硅含量的操作步驟。

游離二氧化硅主要指沒有與金屬或金屬氧化物結(jié)合,，而呈現(xiàn)游離狀態(tài)的二氧化硅,，粉塵中的硅酸鹽和金屬氧化物能溶于加熱到245~250℃的焦磷酸中，游離二氧化硅幾乎不溶解,，從而實(shí)現(xiàn)分離,。然后稱量分離出的游離二氧化硅，就可以計(jì)算其在粉塵中的百分含量,，具體操作步驟如下,。

操作步驟

1,、實(shí)驗(yàn)前先將電熱板開機(jī)，設(shè)置溫度為360℃,，讓儀器加熱直至電熱板恒溫至360℃（說明：電熱板板面溫度在360℃時(shí),，放置在電熱板上的樣品能夠穩(wěn)定在245~250℃范圍內(nèi)）。

2,、準(zhǔn)確稱取0.10g樣品于25mL錐形瓶?jī)?nèi),，加入15mL焦磷酸，混勻樣品,。

3,、將樣品置于光波加熱儀上，儀器調(diào)至最大功率后,，加熱恒溫10min,，快速讓樣品加熱到245~250℃，同時(shí)用帶有溫度計(jì)的玻璃棒不斷攪拌,。

4,、確定電熱板已恒溫至360℃后，將在光波加熱儀上恒溫10min的樣品放在電熱板上繼續(xù)恒溫15min,，攪拌,，防止底部過熱，加熱過程中溫度計(jì)請(qǐng)勿離開錐形瓶,，以免溫度計(jì)因冷熱變化而炸裂,。

5、取下錐形瓶,，室溫冷卻至50℃后,，緩慢加入40mL的80℃蒸餾水，攪拌并轉(zhuǎn)移至500mL燒杯中,，并用100~150mL的80℃蒸餾水多次洗滌,，洗液全部轉(zhuǎn)入燒杯中，將燒杯置于電熱板上加熱煮沸后,，靜置3~5分鐘待混懸物沉降,，取慢速定量濾紙趁熱過濾樣品溶液。

6,、用0.1mol/L的鹽酸洗滌燒杯并過濾,，濾紙上的沉渣沖洗3~5次，用熱蒸餾水洗至無酸性（用pH試紙測(cè)試）,。

7,、將有沉渣的濾紙折疊并放入已經(jīng)恒重的坩堝中，再將坩堝放入高溫灰化的儀器內(nèi),，在800~900℃下灰化30min,；室溫下冷卻后放入干燥器冷卻1小時(shí),，在分析天平上稱量至恒重即可。

8,、根據(jù)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)計(jì)算出游離二氧化硅在粉塵中的百分含量,。

優(yōu)化改進(jìn)

本文將粉塵中游離二氧化硅含量的操作步驟進(jìn)行了細(xì)化和改進(jìn)，避免熔融后焦磷酸形成膠狀物,，確保實(shí)驗(yàn)順利進(jìn)行,，規(guī)避了高溫過夜的安全隱患，為矽肺病的防治工作提供參考,。

方案推薦

光波加熱儀+微控?cái)?shù)顯電熱板：5min迅速升溫至250℃,，用于GBZ/T 192.4-2007標(biāo)準(zhǔn)方法步驟3.5.2的焦磷酸加熱過程。

產(chǎn)品介紹——光波加熱儀

Lightwave Heater 光波加熱儀,，樣品加熱新概念,，將光波輻射加熱方式應(yīng)用實(shí)驗(yàn)場(chǎng)景，適用于樣品的快速升溫加熱,。

升溫速度快：紅外加熱方式,，輻射為主，傳導(dǎo)為輔,，受熱均勻,，升溫速度更快。

節(jié)能環(huán)保：功率低,、升溫快,，可定時(shí)操作，節(jié)能環(huán)保,。

良好防腐：表面特殊處理，具有良好的防腐性能,。

產(chǎn)品介紹——微控?cái)?shù)顯電熱板

Hot Plate電熱板在常壓狀態(tài)下消解樣品,，樣品經(jīng)Hot Plate電熱板處理后可進(jìn)行AA、ICP,、ICP-MS等分析,，適用于質(zhì)檢、環(huán)保,、疾控,、醫(yī)藥、農(nóng)業(yè)等多個(gè)領(lǐng)域的樣品消解,。

良好加熱技術(shù)：保證板面溫度均勻性,；數(shù)字顯示，微處理芯片精確控溫,。

超大加熱面積：600╳400mm超大加熱面積,，適合大批量樣品處理,。

防腐設(shè)計(jì)：整機(jī)密封防腐，全防腐操作平臺(tái),；加熱石墨表面耐高溫防腐材料噴涂,，避免石墨粉末污染樣品；所有電子元器件防腐處理,，帶來超長的使用壽命,。

更安全  更經(jīng)濟(jì)  運(yùn)行成本低：常壓消解，安全性高,；特別適用于食品,、土壤等常規(guī)樣品的消解，運(yùn)行成本低,，無需額外為高壓功能買單,。