摘要

粉塵中游離二氧化硅對人體的傷害極大,，是引發(fā)矽肺病的主要因素之一,，同時游離二氧化硅含量也是評價粉塵危害性質的主要指標,?？諝夥蹓m中游離二氧化硅的檢測方法主要有焦磷酸法,、紅外分光光度法,、X射線衍射法,，本文主要介紹焦磷酸法測定粉塵中游離二氧化硅含量的操作步驟,。

游離二氧化硅主要指沒有與金屬或金屬氧化物結合,，而呈現(xiàn)游離狀態(tài)的二氧化硅，粉塵中的硅酸鹽和金屬氧化物能溶于加熱到245~250℃的焦磷酸中,，游離二氧化硅幾乎不溶解,，從而實現(xiàn)分離。然后稱量分離出的游離二氧化硅,，就可以計算其在粉塵中的百分含量,，具體操作步驟如下。

操作步驟

1,、實驗前先將電熱板開機,，設置溫度為360℃，讓儀器加熱直至電熱板恒溫至360℃（說明：電熱板板面溫度在360℃時,，放置在電熱板上的樣品能夠穩(wěn)定在245~250℃范圍內）,。

2、準確稱取0.10g樣品于25mL錐形瓶內,，加入15mL焦磷酸,，混勻樣品。

3,、將樣品置于光波加熱儀上,，儀器調至最大功率后，加熱恒溫10min,，快速讓樣品加熱到245~250℃,，同時用帶有溫度計的玻璃棒不斷攪拌。

4,、確定電熱板已恒溫至360℃后,，將在光波加熱儀上恒溫10min的樣品放在電熱板上繼續(xù)恒溫15min，攪拌,，防止底部過熱,，加熱過程中溫度計請勿離開錐形瓶，以免溫度計因冷熱變化而炸裂,。

5,、取下錐形瓶,，室溫冷卻至50℃后，緩慢加入40mL的80℃蒸餾水,，攪拌并轉移至500mL燒杯中,，并用100~150mL的80℃蒸餾水多次洗滌，洗液全部轉入燒杯中,，將燒杯置于電熱板上加熱煮沸后,，靜置3~5分鐘待混懸物沉降，取慢速定量濾紙趁熱過濾樣品溶液,。

6,、用0.1mol/L的鹽酸洗滌燒杯并過濾，濾紙上的沉渣沖洗3~5次,，用熱蒸餾水洗至無酸性（用pH試紙測試）,。

7、將有沉渣的濾紙折疊并放入已經恒重的坩堝中,，再將坩堝放入高溫灰化的儀器內,，在800~900℃下灰化30min；室溫下冷卻后放入干燥器冷卻1小時,，在分析天平上稱量至恒重即可,。

8、根據(jù)實驗數(shù)據(jù)計算出游離二氧化硅在粉塵中的百分含量,。

優(yōu)化改進

本文將粉塵中游離二氧化硅含量的操作步驟進行了細化和改進,，避免熔融后焦磷酸形成膠狀物，確保實驗順利進行,，規(guī)避了高溫過夜的安全隱患,，為矽肺病的防治工作提供參考。

方案推薦

光波加熱儀+微控數(shù)顯電熱板：5min迅速升溫至250℃,，用于GBZ/T 192.4-2007標準方法步驟3.5.2的焦磷酸加熱過程,。

產品介紹——光波加熱儀

Lightwave Heater 光波加熱儀，樣品加熱新概念,，將光波輻射加熱方式應用實驗場景,，適用于樣品的快速升溫加熱。

升溫速度快：紅外加熱方式,，輻射為主,，傳導為輔，受熱均勻,，升溫速度更快,。

節(jié)能環(huán)保：功率低、升溫快，可定時操作,，節(jié)能環(huán)保,。

良好防腐：表面特殊處理，具有良好的防腐性能,。

產品介紹——微控數(shù)顯電熱板

Hot Plate電熱板在常壓狀態(tài)下消解樣品,，樣品經Hot Plate電熱板處理后可進行AA、ICP,、ICP-MS等分析,，適用于質檢、環(huán)保,、疾控,、醫(yī)藥、農業(yè)等多個領域的樣品消解,。

良好加熱技術：保證板面溫度均勻性,；數(shù)字顯示，微處理芯片精確控溫,。

超大加熱面積：600╳400mm超大加熱面積，適合大批量樣品處理,。

防腐設計：整機密封防腐,，全防腐操作平臺；加熱石墨表面耐高溫防腐材料噴涂,，避免石墨粉末污染樣品,；所有電子元器件防腐處理，帶來超長的使用壽命,。

更安全  更經濟  運行成本低：常壓消解,，安全性高；特別適用于食品,、土壤等常規(guī)樣品的消解,，運行成本低，無需額外為高壓功能買單,。