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一,、產(chǎn)品優(yōu)勢：
1.控制電路選用模糊PID程控技術(shù),，該技術(shù)控溫精度高，熱慣性小,，溫度不過沖,，性能可靠，操作簡單,。
2.氣路快速連接法蘭結(jié)構(gòu)采用本公司*的知識產(chǎn)權(quán)設(shè)計,提高操作便捷性,。
3.中真空系統(tǒng)具有真空度上下限自動控制功能，高真空系統(tǒng)采用高壓強,，耐沖擊分子泵.
防止意外漏氣造成分子泵損壞,，延長系統(tǒng)使用壽命。
二,、注意點：
二,、注意點：
CVD石墨烯制備雙溫區(qū)滑軌式CVD系統(tǒng)爐管內(nèi)氣壓不可高于0.02MPa
當(dāng)爐體溫度高于1000℃時,，爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài)，爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓相當(dāng),，保持在常壓狀態(tài)進入爐管的氣體流量需小于200SCCM,，以避免冷的大氣流對加熱石英管的沖擊
石英管的長時間使用溫度＜1100℃
對于樣品加熱的實驗，不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥使用,。若需要關(guān)閉氣閥對樣品加熱,，則需時刻關(guān)注壓力表的示數(shù)，若氣壓表示數(shù)大于0.02MPa,，必須立刻打開泄氣閥,，以防意外發(fā)生（如爐管破裂,，法蘭飛出等）。
石墨烯制備系統(tǒng)（CVD）主要用于合成石墨烯薄膜和各種碳納米材料,，有一個水平石英管式爐,。一個催化劑襯底(通常是銅鋁箔)放置在爐里,甲烷氣體或乙炔氣體從外部低流量和低壓地注入，在催化劑的襯托上形成石墨烯薄膜,。
快速冷卻對于形成高質(zhì)量的石墨烯薄膜非常重要,，快速冷卻可以抑制碳過量的沉積在催化劑金屬箔上 (如銅或鎳箔)；系統(tǒng)配備了快速冷卻系統(tǒng),。管式爐向一側(cè)滑動30mm到反應(yīng)爐,，加熱的爐可以遠離樣品，從而快速冷卻樣品,。通過非常簡單的方式達到快速冷卻的效果,。相關(guān)產(chǎn)品
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