磁控濺射

磁控濺射是物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition,，PVD）的一種,。一般的濺射法可被用于制備金屬,、半導體、絕緣體等多材料,，且具有設備簡單,、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優(yōu)點,，而上世紀 70 年代發(fā)展起來的磁控濺射法更是實現(xiàn)了高速,、低溫,、低損傷,。因為是在低氣壓下進行高速濺射，必須有效地提高氣體的離化率,。磁控濺射通過在靶陰極表面引入磁場,，利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率。

磁控濺射定義

在二極濺射中增加一個平行于靶表面的封閉磁場,，借助于靶表面上形成的正交電磁場,，把二次電子束縛在靶表面特定區(qū)域來增強電離效率,，增加離子密度和能量，從而實現(xiàn)高速率濺射的過程,。

磁控濺射原理

磁控濺射的工作原理是指電子在電場E的作用下,，在飛向基片過程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子,；新電子飛向基片,，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面,，使靶材發(fā)生濺射,。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜,，而產(chǎn)生的二次電子會受到電場和磁場作用,，產(chǎn)生E（電場）×B（磁場）所指的方向漂移，簡稱E×B漂移,，其運動軌跡近似于一條擺線,。若為環(huán)形磁場，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運動,，它們的運動路徑不僅很長,，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi)，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材,，從而實現(xiàn)了高的沉積速率,。
隨著碰撞次數(shù)的增加，二次電子的能量消耗殆盡,，逐漸遠離靶表面,，并在電場E的作用下最終沉積在基片上。由于該電子的能量很低,，傳遞給基片的能量很小,，致使基片溫升較低。磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過程,。入射粒子在靶中經(jīng)歷復雜的散射過程,，和靶原子碰撞，把部分動量傳給靶原子,，此靶原子又和其他靶原子碰撞,，形成級聯(lián)過程。在這種級聯(lián)過程中某些表面附近的靶原子獲得向外運動的足夠動量,，離開靶被濺射出來,。

磁控濺射種類

磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應用對象。但有一共同點：利用磁場與電場交互作用,，使電子在靶表面附近成螺旋狀運行,，從而增大電子撞擊氬氣產(chǎn)生離子的概率。所產(chǎn)生的離子在電場作用下撞向靶面從而濺射出靶材,。

靶源分平衡和非平衡式,，平衡式靶源鍍膜均勻，非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結(jié)合力強,。平衡靶源多用于半導體光學膜,，非平衡多用于磨損裝飾膜。磁控陰極按照磁場位形分布不同,，大致可分為平衡態(tài)和非平衡磁控陰極,。
平衡態(tài)磁控陰極內(nèi)外磁鋼的磁通量大致相等，兩極磁力線閉合于靶面,，很好地將電子/等離子體約束在靶面附近,，增加碰撞幾率，提高了離化效率,，因而在較低的工作氣壓和電壓下就能起輝并維持輝光放電,，靶材利用率相對較高，但由于電子沿磁力線運動主要閉合于靶面,，基片區(qū)域所受離子轟擊較小.非平衡磁控濺射技術概念,，即讓磁控陰極外磁極磁通大于內(nèi)磁極，兩極磁力線在靶面不*閉合,，部分磁力線可沿靶的邊緣延伸到基片區(qū)域,，從而部分電子可以沿著磁力線擴展到基片，增加基片區(qū)域的等離子體密度和氣體電離率.不管平衡非平衡,，若磁鐵靜止,，其磁場特性決定一般靶材利用率小于30%。為增大靶材利用率,，可采用旋轉(zhuǎn)磁場,。但旋轉(zhuǎn)磁場需要旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，同時濺射速率要減小,。
旋轉(zhuǎn)磁場多用于大型或貴重靶,。如半導體膜濺射。對于小型設備和一般工業(yè)設備,，多用磁場靜止靶源,。用磁控靶源濺射金屬和合金很容易，點火和濺射很方便,。這是因為靶（陰極）,，等離子體,，和被濺零件/真空腔體可形成回路,。但若濺射絕緣體如陶瓷則回路斷了,。于是人們采用高頻電源，回路中加入很強的電容,。這樣在絕緣回路中靶材成了一個電容,。但高頻磁控濺射電源昂貴，濺射速率很小,，同時接地技術很復雜,，因而難大規(guī)模采用。為解決此問題,，發(fā)明了磁控反應濺射,。就是用金屬靶，加入氬氣和反應氣體如氮氣或氧氣,。當金屬靶材撞向零件時由于能量轉(zhuǎn)化,，與反應氣體化合生成氮化物或氧化物。磁控反應濺射絕緣體看似容易,，而實際操作困難,。
主要問題是反應不光發(fā)生在零件表面，也發(fā)生在陽極,，真空腔體表面,，以及靶源表面。從而引起滅火,，靶源和工件表面起弧等,。德國萊寶發(fā)明的孿生靶源技術，很好的解決了這個問題,。其原理是一對靶源互相為陰陽極,，從而消除陽極表面氧化或氮化。冷卻是一切源（磁控,，多弧,，離子）所必需，因為能量很大一部分轉(zhuǎn)為熱量,，若無冷卻或冷卻不足,，這種熱量將使靶源溫度達一千度以上從而溶化整個靶源。