激光浮區(qū)技術(LFZ),，在過去的幾十年里,，作為種簡單,、快速,、無需坩堝的生長高質量單晶材料的方法，在高熔點材料的單晶生長域取得·越進展,。

LFZ與常規(guī)光學浮區(qū)技術OFZ大的區(qū)別是用于加熱和熔化的光輻照源不同,。OFZ通常是使用橢球鏡將鹵素燈或者氙燈光源聚焦到生長棒來實現(xiàn)晶體生長。LFZ則是采用激光作為加熱光源進行晶體生長，由于激光光束具有能量密度高的點,，因此可實現(xiàn)高飽和蒸汽壓,、高熔點材料及高熱導率材料等常規(guī)浮區(qū)法單晶爐難以勝任的單晶生長工作。

隨著技術的不斷迭代,，2020年Quantum Design Japan公司和日本理化研究所Yoshio Kaneko教授密切合作,，聯(lián)合設計開發(fā)了新代高性能激光浮區(qū)法單晶爐LFZ，該系統(tǒng)采用了5束激光光路的設計方案,，保證了激光輻照強度均勻分布在原材料的環(huán)向外圍,，并提供高功率分別為1.5 kW和2 kW兩種規(guī)格的系統(tǒng)。此外,，在新代高性能激光浮區(qū)爐LFZ的光路設計中,，采用了Yoshio Kaneko教授的溫度梯度化設計，能有助于改善晶體生長過程中的剩余熱應變弛豫,；除此之外,，該系統(tǒng)還采用了Yoshio Kaneko教授的溫度反饋控制閉環(huán)設計方案，實現(xiàn)了溫度的實時監(jiān)控與自動調節(jié),。

實例講解：

1. 磁性材料Bi₂CuO₄

傳統(tǒng)的磁性記憶合金依賴于雙磁態(tài),，如鐵磁體的自旋向上、自旋向下兩種狀態(tài),。增加磁態(tài)數量,，且采用無雜散場的反鐵磁材料，有望實現(xiàn)更高容量存儲,。近篇發(fā)表于Nature Communications期刊題為Visualizing rotation and reversal of the Néel vector through antiferromagnetic trichroism的工作表明磁電共線反鐵磁Bi₂CuO₄中不僅具有四個穩(wěn)定的Néel矢量方向,，還存在引人注目的反鐵磁三色現(xiàn)象，即在可見光范圍內的磁電效應使得吸收系數隨光傳播矢量和Néel矢量之間的角度變化而取三個離散值,。用這種反鐵磁三色性,，該工作可實現(xiàn)可視化的場驅動Néel矢量的旋轉甚至反轉^[1]，為電場調控和光學讀取的高密度存儲器設計提供可能性,。

在該篇工作中看,，磁性材料Bi₂CuO₄的制備使用了Quantum Design LFZ1A 激光浮區(qū)法單晶爐。該材料表面張力較低,，熔融區(qū)難以控制,，早期研究多采用較快的生長速度，但生長速度過快往往會導致微裂隙的存在而影響樣品品質,。在此,，用LFZ1A,，通過精細調節(jié)生長條件,，實現(xiàn)了高質量單晶的生長，從而實現(xiàn)了更精細的磁電性質測量。

在晶體生長的初幾個小時,，為穩(wěn)定熔融區(qū)域,，激光電流手動調節(jié)在26.9 - 27.4 A范圍，隨后,，便可以切換到自動恒溫模式下,，生長速度控制在2.0 mmh^-1，進料棒和籽晶棒反向旋轉10 rpm,，實現(xiàn)晶體的超過24 h的穩(wěn)定生長,，而不需要其他的手動操作。晶體生長在流動的純氧氣氛中進行,。

圖1. Bi₂CuO₄的磁性測量,。SQUID面內面外磁化率的測量都表明材料是TN=44K發(fā)生了反鐵磁轉變。單晶棒非常容易從Z平面解理開,，插圖顯示解理面非常光亮,，表明了樣品的質量很高^[1]。

2. 燒綠石Nd₂Mo₂O₇

燒綠石Nd₂Mo₂O₇中,，Mo子晶格呈現(xiàn)出自旋傾斜,、近乎共線鐵磁排布，其標量自旋手性誘導出巨大的拓撲霍爾效應,，可應用于霍爾效應傳感器,。Nd₂Mo₂O₇是種高揮發(fā)性材料，單晶合成需要被加熱到1630℃,，MoO₂等成分高度揮發(fā),，并在生長石英管內壁沉積，導致光源輻照受阻,，進而導致熔融區(qū)域溫度降低,，生長不穩(wěn)定。得益于LFZ設備高精度和快速響應的溫度控制系統(tǒng),，在熔融區(qū)域失穩(wěn)前,，迅速增加激光功率，激光光通量密度比鹵素燈高幾個量,，因而可以迅速將溫度提升到1100℃,，促進沉積到石英管內壁上的MoO₂的再揮發(fā)，當沉積與再揮發(fā)達到平衡時,，激光加熱功率穩(wěn)定下來,，終實現(xiàn)晶體的穩(wěn)定生長。

近發(fā)表在Physical Review B期刊題為Robust noncoplanar magnetism in band-filling-tuned (Nd_1−xCa_x)₂Mo₂O₇的工作中,，Max Hirschberger等人通過Ca²⁺取代Nd³⁺來調控化學勢,，實現(xiàn)了對Mo子晶格傾斜自旋鐵磁穩(wěn)定性的調控^[2]。

他們用Quantum Design LFZ制備了系列不同組分的厘米尺寸單晶(Nd_1−xCa_x)₂Mo₂O₇（x=0.01, 0.03, 0.05, 0.07, 0.10, 0.15, 0.22, 0.30和0.40）。在氬氣氛下,，生長溫度控制在1630-1700℃,，生長速度為1.8-2 mm/h。對不同組分單晶的磁性研究證明了在x≤0.15時傾斜鐵磁態(tài)以及自旋傾角具有穩(wěn)定性,。而在x=0.22以上,，Mo-Mo和Mo-Nd磁耦合變號，自旋玻璃金屬態(tài)取代傾斜的鐵磁態(tài),。

圖2, (Nd_1−xCa_x)₂Mo₂O₇不同組分磁化曲線和相圖,。左圖：x=0.01, 0.22和0.40的三個組分單晶的場冷曲線，可以清晰的判斷出傾斜鐵磁態(tài)和自旋玻璃態(tài)的轉變溫度,。右圖：不同組分獲得的轉變溫度總結的相圖,，包括有傾斜鐵磁態(tài)、自旋玻璃態(tài)和順磁態(tài)^[2],。高品質數據的采集得益于高質量的單晶樣品和精準的成分控制,。

3. 高熔點材料SmB₆

SmB₆是早發(fā)現(xiàn)的重費米子材料之，其研究已經有五十多年的歷史,。隨著拓撲域的發(fā)展,，近幾年人們發(fā)現(xiàn)SmB₆是種拓撲近藤緣體。它的電緣性來自于強關聯(lián)的電子相互作用,，不僅如此,，它的緣態(tài)存在能帶反轉，具有拓撲非平庸屬性,，表面會出現(xiàn)無能隙拓撲表面態(tài),。由于體態(tài)*緣，這個表面態(tài)可以用來做新型二維電子器件^[3],。

對SmB6拓撲和低溫性質的準確探索,，離不開高質量的材料，但因為該材料的高熔點（2350℃）,，很難通過常規(guī)手段獲得,。而Yoshio Kaneko等人應用Quantum Design LFZ實現(xiàn)了高品質SmB₆的生長。生長條件：1標準大氣壓的氬氣氛,，氣體流速2000 cc/m,，生長速率20 mm/h。

圖3. SmB6單晶形貌圖和勞厄衍射圖,。SmB6單晶表面如鏡面般光亮,，晶體（111）面的勞厄斑體現(xiàn)了很好的三重對稱性，佐證了樣品的高品質,，適用于拓撲性質的精細測量^[4],。

總結

綜上,，Quantum Design新代高性能激光浮區(qū)法單晶爐（LFZ）與傳統(tǒng)浮區(qū)法單晶生長系統(tǒng)相比，*的激光光路可實現(xiàn)更高功率,、更加均勻的能量分布和更加穩(wěn)定的性能,。LFZ將浮區(qū)法晶體生長技術推向個全新的高度,，可廣泛應用于制備紅寶石,、SmB₆等高熔點材料，Ba₂Co₂Fe₁₂O₂₂等不致熔融材料,，以及Nd₂Mo₂O₇,、SrRuO₃等高揮發(fā)性材料，為凝聚態(tài)物理,、化學,、半導體、光學等多種學科域提供了豐富的高品質單晶儲備,，使得更精細的單晶性質測量和表征成為可能,。

圖4. 新代高性能激光浮區(qū)法單晶爐LFZ外觀圖（左）和原型機中被五束激光加熱的原料棒（右）。

參考文獻： 

[1]. K. Kimura, Y. Otake, T. Kimura, Visualizing rotation and reversal of the Neel vector through antiferromagnetic trichroism. Nat Commun 13, 697 (2022).

[2]. M. Hirschberger et al., Robust noncoplanar magnetism in band-filling-tuned (Nd_1−xCa_x)₂Mo₂O₇. Physical Review B 104,  (2021).

[3]. N. Kumar, S. N. Guin, K. Manna, C. Shekhar, C. Felser, Topological Quantum Materials from the Viewpoint of Chemistry. Chem Rev 121, 2780-2815 (2021).

[4]. Y. Kaneko, Y. Tokura, Floating zone furnace equipped with a high power laser of 1 kW composed of five smart beams. Journal of Crystal Growth 533, 125435 (2020).

相關產品

1,、新代高性能激光浮區(qū)法單晶爐-LFZ

http://sorrent.com.cn/product/detail/32086238.html