半導(dǎo)體（SEMI）附膜晶圓應(yīng)力檢測的應(yīng)用

來源：蘇州圣全科技有限公司 2022年05月07日 14:57

在高溫環(huán)境中,，由于化學(xué)氣相沉積（CVD）的涂層與晶圓的膨脹率不同,，容易產(chǎn)生局部形變,，形變則會產(chǎn)生應(yīng)力,，在多層的反復(fù)加工中應(yīng)力會越來越大，最終導(dǎo)致晶圓損壞報廢,。

因此化學(xué)氣相沉積（CVD）鍍膜的細分工位通常使用激光退火的方式來消除應(yīng)力,，最后通過應(yīng)力檢測機確認消除效果，以此形成應(yīng)力把控的閉環(huán),。

設(shè)備前端模塊（EFEM）將晶圓送入測量腔內(nèi),，隨后晶圓經(jīng)翻轉(zhuǎn)運輸至干涉儀的測量視野范圍中檢測形變量，通過應(yīng)力計算判定退火品質(zhì)后,，再翻轉(zhuǎn)運輸至設(shè)備前端模塊（EFEM）進行OK/NG的分類,。

目前時域中常見的濾波方式,，平均值（AVE）方式穩(wěn)定性好,，可抗干擾差；中位值（MED）方式抗干擾好,，可穩(wěn)定性差,，在輸入干擾較大的情況下，用以上任意一種濾波難以精準獲取到實時的溫度值,。

2,、如何快速響應(yīng)細微的溫度變化趨勢？

通過有限的溫度采樣值，例如中心的基準溫度值,、變化趨勢,、判定區(qū)間，并使用大數(shù)據(jù)仿真確定了更為合適的RMS濾波算法,，最后經(jīng)過經(jīng)驗分布函數(shù)推算/模擬出大量的實時溫度數(shù)據(jù),。

2,、通過數(shù)學(xué)期望算法，實時估算基準值

首先建立數(shù)學(xué)期望模型,，然后采集開始檢測的溫度值（過濾后）,，最后通過一系列的推算，在動態(tài)測量中預(yù)估出基準溫度值,。

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