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應(yīng)用案例 | DIL測試碳化硅的燒結(jié)過程
DIL測試碳化硅的燒結(jié)過程
簡介
碳化硅（SiC）是由硅和碳組成的陶瓷,，人造的碳化硅作為研磨料，商品名為金剛砂,，也可作為半導體材料和碳硅寶石,。最常見類型是α-碳化硅，其合成溫度超過2000°C,，結(jié)構(gòu)呈六方晶系,。另一種β-碳化硅呈面心立方結(jié)構(gòu)，制備溫度通常低于2000°C,，但商業(yè)價值不高,。碳化硅的比重為3.2g/cm3，熔點溫度高達2700°C,，呈化學惰性,，熱膨脹系數(shù)很低，并且不會發(fā)生相轉(zhuǎn)變,，非常適合用作高溫軸套和爐體材料,。
測試條件
溫度范圍：1000…2200°C
樣品長度：18.66mm
校正標樣：Poco 石墨
升溫速率：5K/min
氣氛：He
測試結(jié)果
上圖是碳化硅生坯（主要是由SiC粉末和燒結(jié)助劑混合而成）在1000°C到2200°C下熱膨脹測試曲線，呈兩步燒結(jié)步驟,。第一步燒結(jié)收縮速率在1313°C達到最大,，這是因為燒結(jié)助劑的減少。第二步收縮速率在1817°C達到最大,，這是由于坯體的收縮/致密化造成的,。該例說明使用DIL 402測量超過2000°C的陶瓷燒結(jié)過程是*沒有問題。
編譯：
朱明峰
曾智強
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