1. 簡(jiǎn)介

電容測(cè)量廣泛用于半導(dǎo)體表征,，如光伏（PV）電池,。例如，用電容測(cè)量來確定摻雜濃度,。在EC Lab®和EC Lab®Express軟件中,，可以直接繪制電容（直接指無需任何后期處理）。電容可通過所有電化學(xué)阻抗譜（EIS）技術(shù)獲得,，即電位EIS（PEIS）,、電流EIS（GEIS）、階梯PEIS（SPEIS）,、階梯GEIS（SGEIS）,，“Wait”技術(shù)允許用戶跟蹤Z的模量與時(shí)間的關(guān)系（PEISW技術(shù)）。

根據(jù)預(yù)想的模型電路,，計(jì)算兩種類型的電容,，Cs或Cp。電容Cs對(duì)應(yīng)于R+C（串聯(lián)）電路的電容,，Cp對(duì)應(yīng)于R/C（并聯(lián)）電路的電容（圖1）,。

圖1 電容曲線的兩種等效電路

本文演示了如何繪制電容與電壓（C-V）曲線。首先,，以可變電容器作為實(shí)驗(yàn)?zāi)Ｐ拖到y(tǒng),，展示了繪制電容的不同選項(xiàng)。討論了電路模型的選擇,，并將Z Fit擬合的電容值與該技術(shù)直接可用的電容值進(jìn)行了比較,。其次，描述了光伏電池的典型C-V特性,。

2. 實(shí)驗(yàn)條件

使用配備超低電流選項(xiàng)的SP-200或SP-300和EC Lab®軟件進(jìn)行研究,。對(duì)于這兩個(gè)系統(tǒng)（即varia電容器和光伏電池），采用標(biāo)準(zhǔn)的雙電極連接進(jìn)行了研究,。

可變電容器的特性如下所述：

? 低壓可變電容雙二極管（NXP的BB201）,。

? 在0.5至11V的電壓范圍內(nèi)，電容在10至120 pF的范圍內(nèi),。

光伏電池的C-V特性是在一個(gè)由150 W氙燈（由ALX-150電源供電的MOS-200光源）照射的電池上進(jìn)行的,。

3. 可變電容器的研究

3.1 R/C或R+C等效電路？

為了在R/C或R+C中選擇合適的等效電路,，需要在較寬的頻率范圍（即3 MHz至1 mHz）上進(jìn)行EIS測(cè)量,。設(shè)置如圖2所示。

圖2 EIS測(cè)量的參數(shù)設(shè)置

EIS測(cè)量結(jié)果為半圓（圖3）,，因此C-V研究考慮R/C模型（Cp變量）,。R和C的擬合值分別為70歐姆和145 pF（圖4）。

圖3 可變電容器的Nyquist圖

圖4 Z fit過程的數(shù)值

3.2 C-V研究

采用了兩種SPEIS技術(shù),。一個(gè)在7 MHz到1 Hz的頻率范圍內(nèi)（設(shè)置如圖5所示）,，另一個(gè)在一個(gè)頻率下（設(shè)置與圖5所示類似，fi等于ff）,。在323 kHz的頻率下進(jìn)行測(cè)量,，因?yàn)樵谠擃l率以上,，可變電容器的響應(yīng)取決于頻率（圖6）。這些實(shí)驗(yàn)分別命名為SPEIS_{7MHz 1Hz}和SPEIS_323kHz,。電壓掃描從0 V開始,，以200 mV的步長上升到10 V。

圖5 SPEIS的參數(shù)設(shè)置

圖6 不同頻率的C-V特性

SPEIS_7MHz-1Hz允許用戶使用Zfit工具在不同頻率下擬合電容值C1（頻率選擇窗口如圖7所示）,。圖8中的C1與實(shí)驗(yàn)中已經(jīng)計(jì)算的Cp值進(jìn)行了比較,。C1和Cp在低電壓下的值約為140 pF，在高電壓下的值約為20 pF,。因此,，比較表明，用Zfit計(jì)算的C1和直接在EIS技術(shù)中確定的Cp是相同的,。

這些值與可變電容器數(shù)據(jù)表中描述的規(guī)格一致,。

此外，SPEIS_7MHz-1Hz和SPEIS_323kHz分別持續(xù)6200秒和150秒,。因此,，以一個(gè)頻率執(zhí)行SPEIS可以節(jié)省時(shí)間。

圖7 頻率選擇

圖8 可變電容器的半對(duì)數(shù)C-V曲線

（藍(lán)色-SPEIS_323kHz,；綠色-SPEIS_7MHz-1Hz擬合值,；紅色-SPEIS_7MHz-1Hz）

4. 光伏電池的C-V曲線

對(duì)于光伏電池特性，電壓在3-7.5 V之間掃描,，信號(hào)頻率為100 kHz（圖9）,。根據(jù)以前的研究，考慮了R/C模型,。所以繪制了Cp vs V曲線（圖10）,。

圖9 光伏電池的C-V曲線參數(shù)設(shè)置

C-V曲線顯示了3個(gè)區(qū)域：

•E<4V：累積區(qū)

•4V<E<6V：耗盡區(qū)

•E>6V：反轉(zhuǎn)區(qū)

可通過以下關(guān)系確定摻雜濃度N：

其中e是電子電荷（1.60 x 10^-19 C），ε₀是半導(dǎo)體介電常數(shù)（硅為1.03 x 10^-12 F/cm）,。A是光伏電池的表面,，21 cm² ，C是電容（F）,，E是電壓（V）,。

由于C^~2變量在可用變量列表中也可用（圖1），因此也可以繪制C^-2與E的關(guān)系圖,。該曲線的斜率引起摻雜濃度。

在這種情況下,，斜率（通過線性擬合確定）為3.53 x 1015 F/V,，因此摻雜濃度為1.64 x 10¹⁴ cm^-3。該值與之前給出的值一致,。

圖10 光伏電池的C-V曲線

5. 結(jié)論

本文介紹了如何在不進(jìn)行任何擬合的情況下進(jìn)行電容測(cè)量,。這有以下幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)：

•快速測(cè)量,，只需一個(gè)頻率即可確定Cp或Cs。不需要完整的EIS光譜,。

•無后處理：無需阻抗擬合過程

•EC-Lab的圖形包允許繪制不同類型的圖形,，如對(duì)數(shù)間距的C與E、C^-2與E,，甚至更多…

可以通過PEISW技術(shù)跟蹤電容變化,，這種技術(shù)對(duì)傳感器應(yīng)用也很有意義。