IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是常見(jiàn)的功率器件，期間經(jīng)常使用在強(qiáng)電流高電壓的場(chǎng)景中,，如電動(dòng)汽車(chē),、變電站等。器件結(jié)構(gòu)由MOSFET及BGT組合而成,，兼具了高輸入阻抗及低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn),，IGBT是電力電子設(shè)備的“cpu”，被國(guó)家列為重點(diǎn)研究對(duì)象,。

IGBT測(cè)試難點(diǎn)：

1,、由于IGBT是多端口器件，所以需要多個(gè)測(cè)量模塊協(xié)同測(cè)試,。

2,、IGBT的漏電流越小越好，所以需要高精度的設(shè)備進(jìn)行測(cè)試,。

3,、IGBT動(dòng)態(tài)電流范圍大，測(cè)試時(shí)需要量程范圍廣,，且量程可以自動(dòng)切換的模塊進(jìn)行測(cè)試,。

4、由于IGBT工作在強(qiáng)電流下,，自加熱效應(yīng)明顯,，脈沖測(cè)試可以減少自加熱效應(yīng)，所以MOSFET需要進(jìn)行脈沖IV測(cè)試,，用于評(píng)估期間的自加熱特性,。

5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內(nèi)容,，且與其在高頻應(yīng)用有密切關(guān)系,。所以IGBT的電容測(cè)試非常重要。

6,、IGBT開(kāi)關(guān)特性非常重要,，需要進(jìn)行雙脈沖動(dòng)態(tài)參數(shù)的測(cè)試。

那么IGBT器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試需要哪些儀器呢,？

E系列高電壓源測(cè)單元具有輸出及測(cè)量電壓高（3000V）,、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)（1nA）的特點(diǎn)。設(shè)備工作在第一象限,，輸出及測(cè)量電壓0~3000V,，輸出及測(cè)量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式,，同時(shí)支持豐富的I-V掃描模式,。

用于IGBT擊穿電壓測(cè)試,IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測(cè)試,壓敏電阻耐壓測(cè)試等場(chǎng)合,。其恒流模式對(duì)于快速測(cè)量擊穿點(diǎn)具有重大意義,。

 E300高壓源測(cè)單元

HCPL100型高電流脈沖電源為脈沖恒流源,，具有輸出電流大（1000A）、脈沖邊沿陡（10uS）,、支持兩路脈沖電壓測(cè)量（峰值采樣）,、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。

設(shè)備可應(yīng)用于肖特基二極管,、整流橋堆,、IGBT器件、IGBT半橋模塊,、IPM模塊等需要高電流的測(cè)試場(chǎng)合,，使用該設(shè)備可以獨(dú)立完成“電流-導(dǎo)通電壓”掃描測(cè)試。

HCPL100高電流脈沖電源 

P系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度,、大動(dòng)態(tài),、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓,、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能,，Z大脈沖輸出電流達(dá)10A，Z大輸出電壓達(dá)300V,，支持四象限工作,，因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中。P系列源表適用于各行各業(yè)使用者,，特別適合現(xiàn)代半導(dǎo)體,、納米器件和材料、有機(jī)半導(dǎo)體,、印刷電子技術(shù)以及其他小尺寸,、低功率器件特性分析。

P300脈沖源表