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PDH穩(wěn)頻技術(shù)中電光調(diào)制器的選擇

來源:武漢能帶科技有限公司   2021年07月05日 17:16  

在許多應(yīng)用中,,人們需要抑制激光器噪聲和穩(wěn)定其工作波長,應(yīng)用包括引力波探測(參見2017年諾貝爾物理學獎LIGO項目,以及原子物理,、光學頻率和量子計算中的量子態(tài)光譜探測,。最常見的主動激光穩(wěn)頻技術(shù)之一是Pound-Drever-Hall技術(shù),,該技術(shù)將激光的發(fā)射頻率鎖定在穩(wěn)定,、高精細度的諧振腔中,。這項技術(shù)以Robert Pound, Ronald Drever and John L.Hall而命名,。PDH技術(shù)最早在1983年的《Applied Physics B》雜志上發(fā)表,“Laser phase and frequency stabilization using an optical resonator”,。根據(jù)路透社2017年的報道,,這篇論文被引用了2000多次。

 

PDH方案具有難以置信的可靠性,,真正成為了主流的鎖定機制,。今天,這么多年過去了,,我們?nèi)栽谟盟鼇韲L試制造線寬為幾mHz的超穩(wěn)定激光器”,。Jun Ye博士,NIST,。

 

PDH技術(shù)是一種非常智慧和可靠的方法,,以非常干凈的方式獲得Error誤差信號。”,。Pr Sylvain Gigan, Laboratoire Kastler Brossel.

 

PDH技術(shù)使用常見的光學外差光譜和射頻電子學方法,,用標準具或法布里-珀羅F-P腔測量激光器的頻率,并將測量結(jié)果反饋給激光器,,以抑制激光器的頻率偏差,。其優(yōu)點包括響應(yīng)時間可能比腔的響應(yīng)時間更快。

 

選擇適合的調(diào)制器給PDH應(yīng)用

下圖給出了PDH設(shè)置的示例,。當激光器的頻率與腔的FSR(整數(shù)倍)*匹配時,,反射光和漏光具有相同的振幅,并且相位差180°,。因此兩束光相互干擾,,反射光消失。

 

 

考慮到感興趣的激光源的窄線寬和所需的調(diào)制深度,,iXblue開發(fā)了一系列用于實現(xiàn)PDH技術(shù)的優(yōu)化相位調(diào)制器,。

 

與任何其他相位調(diào)制器相比,我們可以區(qū)分LN-0.1系列的優(yōu)點:

  • 適應(yīng)低頻:直流耦合至200 MHz調(diào)制頻率
  • 專用于給定的波長范圍,。
  • 極低的驅(qū)動電壓Vπ.
  • 低插入損耗(LIL選項),。
  • 高輸入阻抗,提高調(diào)制效率,。
  • NIR版本的高偏振消光比(PER)。
  • 低剩余幅度調(diào)制(Residual Amplitude Modulation-RAM)設(shè)計(EP3009879A1)

 

低頻相位調(diào)制器的現(xiàn)實優(yōu)勢

為光通信應(yīng)用而設(shè)計和開發(fā)的普通高速(GHz)電光調(diào)制器在射頻線的末端具有50歐姆負載電阻終端,,以減少射頻電反射,。當在低頻率下工作時,,這種高速相位調(diào)制器在射頻微波線路中有過高的電流,這導致焦耳效應(yīng)的局部加熱,。當頻率變得較低并且與熱效應(yīng)的時間常數(shù)相當時,,熱循環(huán)和散熱就成了一個問題。因此,,在加熱和冷卻過程中,,電極、波導的物理特性會發(fā)生變化,。

 

iXblue的LN-0.1相位調(diào)制器采用高輸入阻抗負載(10kΩ)抑制熱效應(yīng)或電極線開路(1 MΩ)的設(shè)計,,PDH測試證明這種調(diào)制器可在溫度變化時性能穩(wěn)定在一個大的溫度范圍內(nèi)-40℃到+85°C)

 

 

左圖: 50Hz信號時明顯有熱效應(yīng),,上面曲線為射頻電信號,,下面為光信號。

右圖: 50KHz信號時無熱效應(yīng),,上面曲線為射頻電信號,,下面為光信號。

 

當用電光調(diào)制器實現(xiàn)PDH技術(shù)時,,在環(huán)境擾動期間引起誤差信號的畸變和非預期的頻率偏移RAM總會出現(xiàn)的,。當系統(tǒng)的不穩(wěn)定性逐漸降低到極低水平時,抑制或減輕RAM引起的頻率不穩(wěn)定性就變得越來越重要,。iXblue為PDH設(shè)計并優(yōu)化了專用RAM低頻相位調(diào)制器,。RAM可以通過在調(diào)制器注入一個直流電壓降低,該電壓對應(yīng)于鈮酸鋰波導一個整體的負折射率變化,。一個5-15V直流電壓足以將RAM降低>10 dB,。LN-0.1系列內(nèi)部嵌入高阻抗射頻負載終端,不會被直流信號損壞,。

 

 

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