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介電常數(shù)測(cè)試儀特點(diǎn)及性能介紹

來(lái)源:北京縱橫金鼎儀器設(shè)備有限公司   2021年06月23日 15:07  

 介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀 電感器:

  按測(cè)試頻率要求,,需要配置不同量的電感器。

  例如:在1MHz測(cè)試頻率時(shí),,要配250μH電感器,,在50MHz測(cè)試頻率時(shí),,要配0.1μH電感器等。

  高頻介質(zhì)樣品(選購(gòu)件):

  在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中,檢定部門(mén)為高頻介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x提供的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)是高頻標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品,。

  該樣品由人工藍(lán)寶石,,石英玻璃,氧化鋁陶瓷,,聚四氟乙烯,,環(huán)氧板等材料做成Φ50mm,厚1~2mm測(cè)試樣品,。用戶可按需訂購(gòu),,以保證測(cè)試裝置的重復(fù)性和準(zhǔn)確性。

  介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀 特點(diǎn):

  ◎本公司新的自動(dòng)Q值保持技術(shù),,使測(cè)Q分辨率至0.1Q,,使tanδ分辨率至0.00005 。

  ◎能對(duì)固體絕緣材料在10kHz~120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試,。

  ◎調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH,,保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。

  ◎特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù):Q值,,測(cè)試頻率,,調(diào)諧狀態(tài)等。

  ◎Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制,。

  ◎DPLL合成發(fā)生1kHz~60MHz, 50kHz~160MHz測(cè)試信號(hào),。獨(dú)立信號(hào) 源輸出口,所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源,。

  ◎測(cè)試裝置符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求,。

  介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀 工作頻率范圍是10kHz~120MHz,它能完成工作頻率內(nèi)材料的高頻介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。

  本儀器中測(cè)試裝置是由平板電容器和測(cè)微圓筒線性電容器組成,,平板電容器一般用來(lái)夾被測(cè)樣品,,配用Q表作為指示儀器。

  絕緣材料的損耗角正切值是通過(guò)被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過(guò)公式計(jì)算得到,。

  同樣,,由測(cè)微圓筒線性電容器的電容量讀數(shù)變化,通過(guò)公式計(jì)算得到介電常數(shù),。

  介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀 主要技術(shù)指標(biāo):

  2.1 tanδ和ε性能:

  2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率10kHz~120MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試,。

  2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍:

  tanδ:0.1~0.00005,ε:1~50

  2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度(1MHz):

  tanδ:±5%±0.00005,,ε:±2%

  工作頻率范圍:50kHz~50MHz 四位數(shù)顯,,壓控振蕩器

  Q值測(cè)量范圍:1~1000三位數(shù)顯,±1Q分辨率

  可調(diào)電容范圍:40~500pF ΔC±3pF

  電容測(cè)量誤差:±1%±1pF

  Q表殘余電感值:約20nH

  介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀 裝置:

  2.3.1 平板電容器極片尺寸::Φ38mm和Φ50mm二種.

  2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率:0~8mm,, ±0.01mm

  2.3.3 圓筒電容器線性:0.33 pF /mm±0.05 pF,

  2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍:±12.5mm(±4.2pF)

  2.3.5 裝置插頭間距:25mm±0.1mm

  2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10-4

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